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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K7002CFU，LF(T
功率：150mW
阈值电压：2.1V@250μA
连续漏极电流：170mA
类型：1个N沟道
导通电阻：3.9Ω@10V，100mA
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K7002CFU，LF(T
功率：150mW
阈值电压：2.1V@250μA
连续漏极电流：170mA
类型：1个N沟道
导通电阻：3.9Ω@10V，100mA
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K7002CFU，LF(T
功率：150mW
阈值电压：2.1V@250μA
连续漏极电流：170mA
类型：1个N沟道
导通电阻：3.9Ω@10V，100mA
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SSM3K7002CFU，LF(T
功率：150mW
阈值电压：2.1V@250μA
连续漏极电流：170mA
类型：1个N沟道
导通电阻：3.9Ω@10V，100mA
漏源电压：60V
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SSM3K7002CFU，LF(T
功率：150mW
阈值电压：2.1V@250μA
连续漏极电流：170mA
类型：1个N沟道
导通电阻：3.9Ω@10V，100mA
漏源电压：60V
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SSM3K7002CFU，LF(T
功率：150mW
阈值电压：2.1V@250μA
连续漏极电流：170mA
类型：1个N沟道
导通电阻：3.9Ω@10V，100mA
漏源电压：60V
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SSM3K7002CFU，LF(T
功率：150mW
阈值电压：2.1V@250μA
连续漏极电流：170mA
类型：1个N沟道
导通电阻：3.9Ω@10V，100mA
漏源电压：60V
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SSM3K7002CFU，LF(T
功率：150mW
阈值电压：2.1V@250μA
连续漏极电流：170mA
类型：1个N沟道
导通电阻：3.9Ω@10V，100mA
漏源电压：60V
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库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：150mW
阈值电压：2.1V@250μA
栅极电荷：350pC@4.5V
输入电容：17pF@10V
连续漏极电流：170mA
类型：1个N沟道
导通电阻：3.9Ω@100mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K7002CFU，LF(T
功率：150mW
阈值电压：2.1V@250μA
连续漏极电流：170mA
类型：1个N沟道
导通电阻：3.9Ω@10V，100mA
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K7002CFU，LF(T
功率：150mW
阈值电压：2.1V@250μA
连续漏极电流：170mA
类型：1个N沟道
导通电阻：3.9Ω@10V，100mA
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
功率：285mW
阈值电压：2.1V@250μA
栅极电荷：350pC@4.5V
输入电容：17pF@10V
连续漏极电流：170mA
类型：2个N沟道
导通电阻：3.9Ω@100mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：220mW€1.06W
阈值电压：2.1V@250μA
栅极电荷：430pC@4.5V
输入电容：17pF@10V
连续漏极电流：170mA
类型：1个N沟道
导通电阻：4.5Ω@100mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：220mW€1.06W
阈值电压：2.1V@250μA
栅极电荷：430pC@4.5V
输入电容：17pF@10V
连续漏极电流：170mA
类型：1个N沟道
导通电阻：4.5Ω@100mA，10V
漏源电压：60V
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库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
功率：285mW
阈值电压：2.1V@250μA
栅极电荷：350pC@4.5V
输入电容：17pF@10V
连续漏极电流：170mA
类型：2个N沟道
导通电阻：3.9Ω@100mA，10V
漏源电压：60V
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品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
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工作温度：-55℃~+150℃
功率：220mW€1.06W
阈值电压：2.1V@250μA
栅极电荷：430pC@4.5V
输入电容：17pF@10V
连续漏极电流：170mA
类型：1个N沟道
导通电阻：4.5Ω@100mA，10V
漏源电压：60V
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品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：220mW
阈值电压：2.1V@250μA
栅极电荷：430pC@4.5V
输入电容：17pF@10V
连续漏极电流：170mA
类型：2个N沟道
导通电阻：4.5Ω@10V，100mA
漏源电压：60V
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
功率：285mW
阈值电压：2.1V@250μA
栅极电荷：350pC@4.5V
输入电容：17pF@10V
连续漏极电流：170mA
类型：2个N沟道
导通电阻：3.9Ω@100mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：220mW
阈值电压：2.1V@250μA
栅极电荷：430pC@4.5V
输入电容：17pF@10V
连续漏极电流：170mA
类型：2个N沟道
导通电阻：4.5Ω@10V，100mA
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
连续漏极电流：170mA
工作温度：-55℃~+150℃
栅极电荷：430pC@4.5V
功率：220mW
阈值电压：2.1V@250μA
导通电阻：4.5Ω@10V，100mA
漏源电压：60V
输入电容：17pF@10V
类型：2个N沟道
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品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
功率：220mW€1.06W
连续漏极电流：170mA
工作温度：-55℃~+150℃
类型：1个N沟道
栅极电荷：430pC@4.5V
阈值电压：2.1V@250μA
漏源电压：60V
输入电容：17pF@10V
导通电阻：4.5Ω@100mA，10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K7002CFU，LF(T
功率：150mW
连续漏极电流：170mA
类型：1个N沟道
导通电阻：3.9Ω@10V，100mA
阈值电压：2.1V@250μA
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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