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    阈值电压: 2.1V@250μA
    功率: 275mW
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    NEXPERIA Mosfet场效应管 2N7002BKW,115 起订数450000个
    NEXPERIA Mosfet场效应管 2N7002BKW,115 起订数450000个

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    功率:275mW

    阈值电压:2.1V@250μA

    栅极电荷:600pC@4.5V

    输入电容:50pF@10V

    连续漏极电流:310mA

    类型:1个N沟道

    导通电阻:1.6Ω@10V,500mA

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 2N7002BKW,115 起订数100个
    NEXPERIA Mosfet场效应管 2N7002BKW,115 起订数100个

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    功率:275mW

    阈值电压:2.1V@250μA

    栅极电荷:600pC@4.5V

    输入电容:50pF@10V

    连续漏极电流:310mA

    类型:1个N沟道

    导通电阻:1.6Ω@10V,500mA

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

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    NEXPERIA Mosfet场效应管 2N7002BKW,115 起订数1000个
    NEXPERIA Mosfet场效应管 2N7002BKW,115 起订数1000个

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    功率:275mW

    阈值电压:2.1V@250μA

    栅极电荷:600pC@4.5V

    输入电容:50pF@10V

    连续漏极电流:310mA

    类型:1个N沟道

    导通电阻:1.6Ω@10V,500mA

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    NEXPERIA Mosfet场效应管 2N7002BKW,115 起订数1000个
    NEXPERIA Mosfet场效应管 2N7002BKW,115 起订数1000个

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    类型:1个N沟道

    栅极电荷:600pC@4.5V

    输入电容:50pF@10V

    功率:275mW

    阈值电压:2.1V@250μA

    连续漏极电流:310mA

    漏源电压:60V

    导通电阻:1.6Ω@10V,500mA

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