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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD80R1K4P7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：32W
阈值电压：3.5V@700μA
栅极电荷：10nC@10V
输入电容：250pF@500V
连续漏极电流：4A
类型：1个N沟道
导通电阻：1.4Ω@10V，1.4A
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD80R1K4P7
输入电容：250pF@500V
栅极电荷：10nC@10V
连续漏极电流：4A
导通电阻：1.4Ω@10V，1.4A
工作温度：-55℃~+150℃
类型：1个N沟道
阈值电压：3.5V@700μA
漏源电压：800V
功率：32W
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK5R1A08QM，S4X
功率：45W
阈值电压：3.5V@700μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：54nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3.98nF@40V
连续漏极电流：70A
类型：1个N沟道
导通电阻：5.1mΩ@35A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK5R1A08QM，S4X
功率：45W
阈值电压：3.5V@700μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：54nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3.98nF@40V
连续漏极电流：70A
类型：1个N沟道
导通电阻：5.1mΩ@35A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD80R1K4P7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：32W
阈值电压：3.5V@700μA
栅极电荷：10nC@10V
输入电容：250pF@500V
连续漏极电流：4A
类型：1个N沟道
导通电阻：1.4Ω@10V，1.4A
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
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规格型号(MPN)：TK5R1A08QM，S4X
功率：45W
阈值电压：3.5V@700μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：54nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3.98nF@40V
连续漏极电流：70A
类型：1个N沟道
导通电阻：5.1mΩ@35A，10V
漏源电压：80V
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漏源电压：80V
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包装方式：管件
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品牌：东芝（TOSHIBA）
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行业应用：工业,汽车
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包装规格(MPQ)：50psc
规格型号(MPN)：TK5R1A08QM，S4X
功率：45W
导通电阻：5.1mΩ@35A，10V
类型：1个N沟道
连续漏极电流：70A
阈值电压：3.5V@700μA
漏源电压：80V
包装方式：管件
输入电容：3.98nF@40V
ECCN：EAR99
栅极电荷：54nC@10V
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：50psc
规格型号(MPN)：TK5R1A08QM，S4X
功率：45W
导通电阻：5.1mΩ@35A，10V
类型：1个N沟道
连续漏极电流：70A
阈值电压：3.5V@700μA
漏源电压：80V
包装方式：管件
输入电容：3.98nF@40V
ECCN：EAR99
栅极电荷：54nC@10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：IPD80R1K4P7
输入电容：250pF@500V
栅极电荷：10nC@10V
连续漏极电流：4A
导通电阻：1.4Ω@10V，1.4A
工作温度：-55℃~+150℃
类型：1个N沟道
阈值电压：3.5V@700μA
漏源电压：800V
功率：32W
包装清单：商品主体 * 1
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