品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2307-TP
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.1W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:6.2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:340pF@15V
连续漏极电流:2.7A
类型:1个P沟道
导通电阻:135mΩ@2.6A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:海德
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):HD2307
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.1W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:4.1nC@4.5V
输入电容:340pF@15V
连续漏极电流:2.7A
类型:1个P沟道
反向传输电容:51pF@15V
导通电阻:73mΩ@10V,3.5A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:海德
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):HD2307
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.1W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:4.1nC@4.5V
输入电容:340pF@15V
连续漏极电流:2.7A
类型:1个P沟道
反向传输电容:51pF@15V
导通电阻:73mΩ@10V,3.5A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:海德
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):HD2307
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.1W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:4.1nC@4.5V
输入电容:340pF@15V
连续漏极电流:2.7A
类型:1个P沟道
反向传输电容:51pF@15V
导通电阻:73mΩ@10V,3.5A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:海德
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):HD2307
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.1W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:4.1nC@4.5V
输入电容:340pF@15V
连续漏极电流:2.7A
类型:1个P沟道
反向传输电容:51pF@15V
导通电阻:73mΩ@10V,3.5A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:海德
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):HD2307
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.1W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:4.1nC@4.5V
输入电容:340pF@15V
连续漏极电流:2.7A
类型:1个P沟道
反向传输电容:51pF@15V
导通电阻:73mΩ@10V,3.5A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMP4A57E6TA
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.1W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:15.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:833pF@20V
连续漏极电流:2.9A
类型:1个P沟道
导通电阻:80mΩ@4A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVGS5120PT1G
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.1W
阈值电压:3V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:942pF@30V
连续漏极电流:2.1A
类型:1个P沟道
反向传输电容:48pF@30V
导通电阻:72mΩ@10V,2.9A
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVGS5120PT1G
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.1W
阈值电压:3V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:942pF@30V
连续漏极电流:2.1A
类型:1个P沟道
反向传输电容:48pF@30V
导通电阻:72mΩ@10V,2.9A
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVGS5120PT1G
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.1W
阈值电压:3V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:942pF@30V
连续漏极电流:2.1A
类型:1个P沟道
反向传输电容:48pF@30V
导通电阻:72mΩ@10V,2.9A
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存: