品牌:MINOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MDT50N06D
工作温度:-55℃~+175℃
功率:87W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:31nC@10V
输入电容:910pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:1个N沟道
反向传输电容:30pF@25V
导通电阻:11mΩ@10V,25A
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MINOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MDT50N06D
工作温度:-55℃~+175℃
功率:87W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:31nC@10V
输入电容:910pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:1个N沟道
反向传输电容:30pF@25V
导通电阻:11mΩ@10V,25A
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMNH6021SK3Q-13
工作温度:-55℃~+175℃
功率:2.1W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:20.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.143nF@25V
连续漏极电流:50A
类型:1个N沟道
导通电阻:23mΩ@10V,12A
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMNH6021SK3Q-13
工作温度:-55℃~+175℃
功率:2.1W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:20.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.143nF@25V
连续漏极电流:50A
类型:1个N沟道
导通电阻:23mΩ@10V,12A
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存: