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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.5W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：40nC@10V
连续漏极电流：3.2A
类型：1个P沟道
导通电阻：64mΩ@5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.5W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：40nC@10V
连续漏极电流：3.2A
类型：1个P沟道
导通电阻：64mΩ@5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：900mW
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：40nC@10V
输入电容：1.36nF@15V
连续漏极电流：6.9A
类型：2个P沟道
导通电阻：22mΩ@10V，6.9A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.5W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：40nC@10V
连续漏极电流：3.2A
类型：1个P沟道
导通电阻：64mΩ@5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
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工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.5W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：40nC@10V
连续漏极电流：3.2A
类型：1个P沟道
导通电阻：64mΩ@5A，10V
漏源电压：60V
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销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：900mW
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：40nC@10V
输入电容：1.36nF@15V
连续漏极电流：6.9A
类型：2个P沟道
导通电阻：22mΩ@10V，6.9A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
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输入电容：1.36nF@15V
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~+150℃
类型：2个P沟道
栅极电荷：40nC@10V
功率：900mW
连续漏极电流：6.9A
导通电阻：22mΩ@10V，6.9A
阈值电压：3V@250μA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.5W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：40nC@10V
连续漏极电流：6.4A
类型：1个P沟道
导通电阻：25mΩ@9.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.5W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：40nC@10V
连续漏极电流：6.4A
类型：1个P沟道
导通电阻：25mΩ@9.8A，10V
漏源电压：30V
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分类：Mosfet场效应管
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工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.5W
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栅极电荷：40nC@10V
连续漏极电流：6.4A
类型：1个P沟道
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漏源电压：30V
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工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.5W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：40nC@10V
连续漏极电流：6.4A
类型：1个P沟道
导通电阻：25mΩ@9.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.5W
栅极电荷：40nC@10V
连续漏极电流：6.4A
导通电阻：25mΩ@9.8A，10V
类型：1个P沟道
阈值电压：3V@250μA
包装清单：商品主体 * 1
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