采购热线 400-661-9010
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.5W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：55nC@5V
连续漏极电流：8.7A
类型：1个P沟道
导通电阻：14mΩ@10V，10.5A
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS4675
工作温度：-55℃~+175℃
功率：2.4W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：56nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4.35nF@20V
连续漏极电流：11A
类型：1个P沟道
导通电阻：13mΩ@11A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.5W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：55nC@5V
连续漏极电流：8.7A
类型：1个P沟道
导通电阻：14mΩ@10V，10.5A
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS4675
工作温度：-55℃~+175℃
功率：2.4W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：56nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4.35nF@20V
连续漏极电流：11A
类型：1个P沟道
导通电阻：13mΩ@11A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：27nC@5V
输入电容：1.872nF@20V
连续漏极电流：8.2A
类型：1个P沟道
导通电阻：27mΩ@10V，8.2A
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.5W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：55nC@5V
连续漏极电流：8.7A
类型：1个P沟道
导通电阻：14mΩ@10V，10.5A
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS4675
工作温度：-55℃~+175℃
功率：2.4W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：56nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4.35nF@20V
连续漏极电流：11A
类型：1个P沟道
导通电阻：13mΩ@11A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.5W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：55nC@5V
连续漏极电流：8.7A
类型：1个P沟道
导通电阻：14mΩ@10V，10.5A
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：27nC@5V
输入电容：1.872nF@20V
连续漏极电流：8.2A
类型：1个P沟道
导通电阻：27mΩ@10V，8.2A
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS4675
工作温度：-55℃~+175℃
功率：2.4W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：56nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4.35nF@20V
连续漏极电流：11A
类型：1个P沟道
导通电阻：13mΩ@11A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK6Y24-40P，115
工作温度：-55℃~+175℃
功率：66W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：35nC@10V
输入电容：1.25nF@20V
连续漏极电流：39A
类型：1个P沟道
导通电阻：24mΩ@8.2A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS4675
工作温度：-55℃~+175℃
功率：2.4W
阈值电压：3V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：56nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4.35nF@20V
连续漏极电流：11A
类型：1个P沟道
导通电阻：13mΩ@11A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS4675
工作温度：-55℃~+175℃
功率：2.4W
阈值电压：3V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：56nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4.35nF@20V
连续漏极电流：11A
类型：1个P沟道
导通电阻：13mΩ@11A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS4675
工作温度：-55℃~+175℃
功率：2.4W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：56nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4.35nF@20V
连续漏极电流：11A
类型：1个P沟道
导通电阻：13mΩ@11A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS4675
工作温度：-55℃~+175℃
功率：2.4W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：56nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4.35nF@20V
连续漏极电流：11A
类型：1个P沟道
导通电阻：13mΩ@11A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS4675
工作温度：-55℃~+175℃
功率：2.4W
阈值电压：3V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：56nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4.35nF@20V
连续漏极电流：11A
类型：1个P沟道
导通电阻：13mΩ@11A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS4675
工作温度：-55℃~+175℃
功率：2.4W
阈值电压：3V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：56nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4.35nF@20V
连续漏极电流：11A
类型：1个P沟道
导通电阻：13mΩ@11A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS4675
工作温度：-55℃~+175℃
功率：2.4W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：56nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4.35nF@20V
连续漏极电流：11A
类型：1个P沟道
导通电阻：13mΩ@11A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS4675
工作温度：-55℃~+175℃
功率：2.4W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：56nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4.35nF@20V
连续漏极电流：11A
类型：1个P沟道
导通电阻：13mΩ@11A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS4675
工作温度：-55℃~+175℃
功率：2.4W
阈值电压：3V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：56nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4.35nF@20V
连续漏极电流：11A
类型：1个P沟道
导通电阻：13mΩ@11A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：27nC@5V
输入电容：1.872nF@20V
连续漏极电流：8.2A
类型：1个P沟道
导通电阻：27mΩ@10V，8.2A
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS4675
工作温度：-55℃~+175℃
功率：2.4W
阈值电压：3V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：56nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4.35nF@20V
连续漏极电流：11A
类型：1个P沟道
导通电阻：13mΩ@11A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS4675
工作温度：-55℃~+175℃
功率：2.4W
阈值电压：3V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：56nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4.35nF@20V
连续漏极电流：11A
类型：1个P沟道
导通电阻：13mΩ@11A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS4675
工作温度：-55℃~+175℃
功率：2.4W
阈值电压：3V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：56nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4.35nF@20V
连续漏极电流：11A
类型：1个P沟道
导通电阻：13mΩ@11A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK6Y24-40P，115
工作温度：-55℃~+175℃
功率：66W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：35nC@10V
输入电容：1.25nF@20V
连续漏极电流：39A
类型：1个P沟道
导通电阻：24mΩ@8.2A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ANBON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AS4375
功率：1W
阈值电压：3V@250μA
连续漏极电流：3A
类型：1个P沟道
导通电阻：80mΩ@10V，5A
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：1920
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS4675
工作温度：-55℃~+175℃
功率：2.4W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：56nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4.35nF@20V
连续漏极电流：11A
类型：1个P沟道
导通电阻：13mΩ@11A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS4675
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4.35nF@20V
导通电阻：13mΩ@11A，10V
漏源电压：40V
连续漏极电流：11A
功率：2.4W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：56nC@4.5V
工作温度：-55℃~+175℃
ECCN：EAR99
类型：1个P沟道
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
漏源电压：40V
功率：1.5W
连续漏极电流：8.7A
导通电阻：14mΩ@10V，10.5A
类型：1个P沟道
栅极电荷：55nC@5V
阈值电压：3V@250μA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：5272}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS4675
工作温度：-55℃~+175℃
功率：2.4W
阈值电压：3V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：56nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4.35nF@20V
连续漏极电流：11A
类型：1个P沟道
导通电阻：13mΩ@11A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
