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    DIODES Mosfet场效应管 DMTH6016LK3-13 起订15个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH6016LK3-13 起订15个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH6016LK3-13

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:3.2W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:17nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:864pF@30V

    连续漏极电流:46.9A€10.8A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:17mΩ@10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 RFD3055LESM9A 起订4个装
    onsemi Mosfet场效应管 RFD3055LESM9A 起订4个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RFD3055LESM9A

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:38W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:11.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:350pF@25V

    连续漏极电流:11A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:107mΩ@8A,5V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK6Y33-60P,115 起订4个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK6Y33-60P,115 起订4个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK6Y33-60P,115

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:110W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:69nC@10V

    输入电容:2.59nF@30V

    连续漏极电流:30A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:33mΩ@7A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 RFD3055LESM9A 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 RFD3055LESM9A 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RFD3055LESM9A

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:38W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:11.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:350pF@25V

    连续漏极电流:11A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:107mΩ@8A,5V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 RFD3055LESM9A 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 RFD3055LESM9A 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RFD3055LESM9A

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:38W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:11.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:350pF@25V

    连续漏极电流:11A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:107mΩ@8A,5V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 RFD3055LESM9A 起订5个装
    onsemi Mosfet场效应管 RFD3055LESM9A 起订5个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RFD3055LESM9A

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:38W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:11.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:350pF@25V

    连续漏极电流:11A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:107mΩ@8A,5V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMNH6022SSD-13 起订数2500个
    DIODES Mosfet场效应管 DMNH6022SSD-13 起订数2500个

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:1.5W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:32nC@10V

    输入电容:2.127nF@25V

    连续漏极电流:7.1A€22.6A

    类型:2个N沟道

    导通电阻:27mΩ@5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 RFD12N06RLESM9A 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 RFD12N06RLESM9A 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RFD12N06RLESM9A

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:49W

    阈值电压:3V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:485pF@25V

    连续漏极电流:18A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:63mΩ@10V,18A

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 RFD16N06LESM9A 起订5个装
    onsemi Mosfet场效应管 RFD16N06LESM9A 起订5个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RFD16N06LESM9A

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:90W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:62nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.35nF@25V

    连续漏极电流:16A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:47mΩ@16A,5V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 RFD16N06LESM9A 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 RFD16N06LESM9A 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RFD16N06LESM9A

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:90W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:62nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.35nF@25V

    连续漏极电流:16A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:47mΩ@16A,5V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 RFD3055LESM9A 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 RFD3055LESM9A 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RFD3055LESM9A

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:38W

    阈值电压:3V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:11.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:350pF@25V

    连续漏极电流:11A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:107mΩ@8A,5V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 RFD3055LESM9A 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 RFD3055LESM9A 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RFD3055LESM9A

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:38W

    阈值电压:3V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:11.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:350pF@25V

    连续漏极电流:11A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:107mΩ@8A,5V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 RFD3055LESM9A 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 RFD3055LESM9A 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RFD3055LESM9A

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:38W

    阈值电压:3V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:11.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:350pF@25V

    连续漏极电流:11A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:107mΩ@8A,5V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 RFD16N06LESM9A 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 RFD16N06LESM9A 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RFD16N06LESM9A

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:90W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:62nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.35nF@25V

    连续漏极电流:16A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:47mΩ@16A,5V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 RFD3055LESM9A 起订2500个装
    onsemi Mosfet场效应管 RFD3055LESM9A 起订2500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RFD3055LESM9A

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:38W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:11.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:350pF@25V

    连续漏极电流:11A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:107mΩ@8A,5V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 RFD12N06RLESM9A 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 RFD12N06RLESM9A 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RFD12N06RLESM9A

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:49W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:485pF@25V

    连续漏极电流:18A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:63mΩ@10V,18A

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 RFD16N06LESM9A 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 RFD16N06LESM9A 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RFD16N06LESM9A

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:90W

    阈值电压:3V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:62nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.35nF@25V

    连续漏极电流:16A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:47mΩ@16A,5V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 RFD16N06LESM9A 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 RFD16N06LESM9A 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RFD16N06LESM9A

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:90W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:62nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.35nF@25V

    连续漏极电流:16A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:47mΩ@16A,5V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 RFD16N06LESM9A 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 RFD16N06LESM9A 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RFD16N06LESM9A

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:90W

    阈值电压:3V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:62nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.35nF@25V

    连续漏极电流:16A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:47mΩ@16A,5V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH6016LK3-13 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH6016LK3-13 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH6016LK3-13

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:3.2W

    阈值电压:3V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:17nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:864pF@30V

    连续漏极电流:46.9A€10.8A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:17mΩ@10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 RFD16N06LESM9A 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 RFD16N06LESM9A 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RFD16N06LESM9A

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:90W

    阈值电压:3V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:62nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.35nF@25V

    连续漏极电流:16A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:47mΩ@16A,5V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    MINOS Mosfet场效应管 MDT08N06 起订16个装
    MINOS Mosfet场效应管 MDT08N06 起订16个装

    品牌:MINOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):MDT08N06

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:107W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:72nC@10V

    输入电容:3nF@30V

    连续漏极电流:80A

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:240pF@30V

    导通电阻:7mΩ@10V,20A

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 RFD3055LESM9A 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 RFD3055LESM9A 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RFD3055LESM9A

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:38W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:11.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:350pF@25V

    连续漏极电流:11A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:107mΩ@8A,5V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    MINOS Mosfet场效应管 MP180N06 起订10个装
    MINOS Mosfet场效应管 MP180N06 起订10个装

    品牌:MINOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):MP180N06

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:270W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:257nC@10V

    输入电容:13.2nF@25V

    连续漏极电流:180A

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:810pF@25V

    导通电阻:3.5mΩ@10V,50A

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    MINOS Mosfet场效应管 MDT08N06 起订30个装
    MINOS Mosfet场效应管 MDT08N06 起订30个装

    品牌:MINOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):MDT08N06

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:107W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:72nC@10V

    输入电容:3nF@30V

    连续漏极电流:80A

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:240pF@30V

    导通电阻:7mΩ@10V,20A

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    MINOS Mosfet场效应管 MP180N06 起订4个装
    MINOS Mosfet场效应管 MP180N06 起订4个装

    品牌:MINOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):MP180N06

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:270W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:257nC@10V

    输入电容:13.2nF@25V

    连续漏极电流:180A

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:810pF@25V

    导通电阻:3.5mΩ@10V,50A

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    MINOS Mosfet场效应管 MDT60N06D 起订17个装
    MINOS Mosfet场效应管 MDT60N06D 起订17个装

    品牌:MINOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):MDT60N06D

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:87W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:31nC@10V

    输入电容:910pF@25V

    连续漏极电流:60A

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:30pF@25V

    导通电阻:12mΩ@10V,25A

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    捷捷 微电子 JIEJIE MICROEL ECTRONICS Mosfet场效应管 JMTK80N06A 起订27个装
    捷捷 微电子 JIEJIE MICROEL ECTRONICS Mosfet场效应管 JMTK80N06A 起订27个装

    品牌:捷捷 微电子 JIEJIE MICROEL ECTRONICS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):JMTK80N06A

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:108W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:90nC@10V

    输入电容:4.136nF@30V

    连续漏极电流:80A

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:257pF@30V

    导通电阻:5.3mΩ@10V,30A

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 RFD12N06RLESM9A 起订3个装
    onsemi Mosfet场效应管 RFD12N06RLESM9A 起订3个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RFD12N06RLESM9A

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:49W

    阈值电压:3V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:485pF@25V

    连续漏极电流:18A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:63mΩ@10V,18A

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 RFD3055LESM9A 起订2500个装
    onsemi Mosfet场效应管 RFD3055LESM9A 起订2500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RFD3055LESM9A

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:38W

    阈值电压:3V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:11.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:350pF@25V

    连续漏极电流:11A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:107mΩ@8A,5V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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