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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.5W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：20nC@5V
连续漏极电流：5.7A
类型：1个P沟道
导通电阻：30mΩ@7.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.3W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：24nC@10V
连续漏极电流：4.1A
类型：1个P沟道
导通电阻：42mΩ@10V，5.7A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W€5.6W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：65nC@10V
输入电容：1.96nF@15V
连续漏极电流：13A
类型：1个P沟道
导通电阻：18mΩ@10V，10A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.5W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：20nC@5V
连续漏极电流：5.7A
类型：1个P沟道
导通电阻：30mΩ@7.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：6.25W€104W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：250nC@10V
输入电容：8.65nF@15V
连续漏极电流：60A
类型：1个P沟道
导通电阻：3.9mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.5W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：40nC@10V
连续漏极电流：6.4A
类型：1个P沟道
导通电阻：25mΩ@9.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.3W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：24nC@10V
连续漏极电流：4.1A
类型：1个P沟道
导通电阻：42mΩ@10V，5.7A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W€5.6W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：65nC@10V
输入电容：1.96nF@15V
连续漏极电流：13A
类型：1个P沟道
导通电阻：18mΩ@10V，10A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
功率：4.2W
阈值电压：3V@250μA
连续漏极电流：8A
类型：1个P沟道
导通电阻：19.2mΩ@10V，7A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.3W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：24nC@10V
连续漏极电流：4.1A
类型：1个P沟道
导通电阻：42mΩ@10V，5.7A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：750mW
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：15nC@10V
输入电容：380pF@15V
连续漏极电流：2.5A
类型：1个P沟道
导通电阻：78mΩ@10V，3.2A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：750mW
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：15nC@10V
输入电容：380pF@15V
连续漏极电流：2.5A
类型：1个P沟道
导通电阻：78mΩ@10V，3.2A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.5W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：56nC@10V
连续漏极电流：7.4A
类型：1个P沟道
导通电阻：18mΩ@10V，11.7A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.5W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：56nC@10V
连续漏极电流：7.4A
类型：1个P沟道
导通电阻：18mΩ@10V，11.7A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.5W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：20nC@5V
连续漏极电流：5.7A
类型：1个P沟道
导通电阻：30mΩ@7.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.5W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：56nC@10V
连续漏极电流：7.4A
类型：1个P沟道
导通电阻：18mΩ@10V，11.7A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1W€2.3W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：8nC@10V
输入电容：155pF@15V
连续漏极电流：2.7A
类型：1个P沟道
导通电阻：190mΩ@10V，1.9A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.3W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：24nC@10V
连续漏极电流：4.1A
类型：1个P沟道
导通电阻：42mΩ@10V，5.7A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.5W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：40nC@10V
连续漏极电流：6.4A
类型：1个P沟道
导通电阻：25mΩ@9.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.5W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：40nC@10V
连续漏极电流：6.4A
类型：1个P沟道
导通电阻：25mΩ@9.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：750mW
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：21nC@10V
输入电容：540pF@15V
连续漏极电流：3.1A
类型：1个P沟道
导通电阻：53mΩ@10V，4A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.3W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：24nC@10V
连续漏极电流：4.1A
类型：1个P沟道
导通电阻：42mΩ@10V，5.7A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.5W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：56nC@10V
连续漏极电流：7.4A
类型：1个P沟道
导通电阻：18mΩ@10V，11.7A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：750mW
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：21nC@10V
输入电容：540pF@15V
连续漏极电流：3.1A
类型：1个P沟道
导通电阻：53mΩ@10V，4A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.5W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：20nC@5V
连续漏极电流：5.7A
类型：1个P沟道
导通电阻：30mΩ@7.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.5W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：40nC@10V
连续漏极电流：6.4A
类型：1个P沟道
导通电阻：25mΩ@9.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI5403DC-T1-GE3
功率：6.3W
阈值电压：3V@250μA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：6A
类型：1个P沟道
导通电阻：30mΩ@10V，7.2A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7423DN-T1-E3
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：7.4A
漏源电压：30V
导通电阻：18mΩ@10V，11.7A
功率：1.5W
阈值电压：3V@250μA
工作温度：-55℃~+150℃
栅极电荷：56nC@10V
ECCN：EAR99
类型：1个P沟道
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
导通电阻：190mΩ@10V，1.9A
功率：1W€2.3W
连续漏极电流：2.7A
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~+150℃
栅极电荷：8nC@10V
输入电容：155pF@15V
类型：1个P沟道
阈值电压：3V@250μA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.5W
栅极电荷：40nC@10V
连续漏极电流：6.4A
导通电阻：25mΩ@9.8A，10V
类型：1个P沟道
阈值电压：3V@250μA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
