采购热线 400-661-9010
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：720mW
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：4.1nC@10V
输入电容：206pF@30V
连续漏极电流：1.5A
类型：1个P沟道
导通电阻：350mΩ@10V，900mA
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：720mW
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：4.1nC@10V
输入电容：206pF@30V
连续漏极电流：1.5A
类型：1个P沟道
导通电阻：350mΩ@10V，900mA
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：720mW
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：4.1nC@10V
输入电容：206pF@30V
连续漏极电流：1.5A
类型：1个P沟道
导通电阻：350mΩ@10V，900mA
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：720mW
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：4.1nC@10V
输入电容：206pF@30V
连续漏极电流：1.5A
类型：1个P沟道
导通电阻：350mΩ@10V，900mA
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：720mW
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：4.1nC@10V
输入电容：206pF@30V
连续漏极电流：1.5A
类型：1个P沟道
导通电阻：350mΩ@10V，900mA
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：420mW
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：7nC@10V
输入电容：135pF@15V
连续漏极电流：1.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：110mΩ@10V，2.5A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
