采购热线 400-661-9010
品牌：MOT
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MOT6515J
工作温度：-55℃~+150℃
功率：28W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：62nC@10V
输入电容：1.82nF@25V
连续漏极电流：50A
类型：1个N沟道
反向传输电容：180pF@25V
导通电阻：15mΩ@10V，25A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MOT
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MOT6515G
工作温度：-55℃~+150℃
功率：28W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：62nC@10V
输入电容：1.82nF@25V
连续漏极电流：50A
类型：1个N沟道
反向传输电容：180pF@25V
导通电阻：15mΩ@10V，25A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G15N06K
工作温度：-55℃~+150℃
功率：40W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：25nC@10V
输入电容：763pF@30V
连续漏极电流：15A
类型：1个N沟道
反向传输电容：37pF@30V
导通电阻：31mΩ
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MOT
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MOT6515J
工作温度：-55℃~+150℃
功率：28W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：62nC@10V
输入电容：1.82nF@25V
连续漏极电流：50A
类型：1个N沟道
反向传输电容：180pF@25V
导通电阻：15mΩ@10V，25A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS5351
工作温度：-55℃~+150℃
功率：5W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：27nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.31nF@30V
连续漏极电流：6.1A
类型：1个N沟道
导通电阻：35mΩ@10V，6.1A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS5351
工作温度：-55℃~+150℃
功率：5W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：27nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.31nF@30V
连续漏极电流：6.1A
类型：1个N沟道
导通电阻：35mΩ@10V，6.1A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS5351
工作温度：-55℃~+150℃
功率：5W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：27nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.31nF@30V
连续漏极电流：6.1A
类型：1个N沟道
导通电阻：35mΩ@10V，6.1A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS5351
工作温度：-55℃~+150℃
功率：5W
阈值电压：3V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：27nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.31nF@30V
连续漏极电流：6.1A
类型：1个N沟道
导通电阻：35mΩ@10V，6.1A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS5351
工作温度：-55℃~+150℃
功率：5W
阈值电压：3V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：27nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.31nF@30V
连续漏极电流：6.1A
类型：1个N沟道
导通电阻：35mΩ@10V，6.1A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIS4608LDN-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.3W€27.1W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：23nC@10V
输入电容：905pF@30V
连续漏极电流：12.6A€36.2A
类型：1个N沟道
导通电阻：11.5mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS5351
工作温度：-55℃~+150℃
功率：5W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：27nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.31nF@30V
连续漏极电流：6.1A
类型：1个N沟道
导通电阻：35mΩ@10V，6.1A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS5351
工作温度：-55℃~+150℃
功率：5W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：27nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.31nF@30V
连续漏极电流：6.1A
类型：1个N沟道
导通电阻：35mΩ@10V，6.1A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS5351
工作温度：-55℃~+150℃
功率：5W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：27nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.31nF@30V
连续漏极电流：6.1A
类型：1个N沟道
导通电阻：35mΩ@10V，6.1A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS5351
工作温度：-55℃~+150℃
功率：5W
阈值电压：3V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：27nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.31nF@30V
连续漏极电流：6.1A
类型：1个N沟道
导通电阻：35mΩ@10V，6.1A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS5351
工作温度：-55℃~+150℃
功率：5W
阈值电压：3V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：27nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.31nF@30V
连续漏极电流：6.1A
类型：1个N沟道
导通电阻：35mΩ@10V，6.1A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIS4608LDN-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.3W€27.1W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：23nC@10V
输入电容：905pF@30V
连续漏极电流：12.6A€36.2A
类型：1个N沟道
导通电阻：11.5mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS5351
工作温度：-55℃~+150℃
功率：5W
阈值电压：3V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：27nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.31nF@30V
连续漏极电流：6.1A
类型：1个N沟道
导通电阻：35mΩ@10V，6.1A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS5351
工作温度：-55℃~+150℃
功率：5W
阈值电压：3V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：27nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.31nF@30V
连续漏极电流：6.1A
类型：1个N沟道
导通电阻：35mΩ@10V，6.1A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS5351
工作温度：-55℃~+150℃
功率：5W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：27nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.31nF@30V
连续漏极电流：6.1A
类型：1个N沟道
导通电阻：35mΩ@10V，6.1A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIS4608LDN-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.3W€27.1W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：23nC@10V
输入电容：905pF@30V
连续漏极电流：12.6A€36.2A
类型：1个N沟道
导通电阻：11.5mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIL05N06-TP
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.7W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：12nC@10V
输入电容：500pF@30V
连续漏极电流：5A
类型：1个N沟道
导通电阻：45mΩ@5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS5351
工作温度：-55℃~+150℃
功率：5W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：27nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.31nF@30V
连续漏极电流：6.1A
类型：1个N沟道
导通电阻：35mΩ@10V，6.1A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS5351
工作温度：-55℃~+150℃
功率：5W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：27nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.31nF@30V
连续漏极电流：6.1A
类型：1个N沟道
导通电阻：35mΩ@10V，6.1A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS5351
工作温度：-55℃~+150℃
功率：5W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：27nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.31nF@30V
连续漏极电流：6.1A
类型：1个N沟道
导通电阻：35mΩ@10V，6.1A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS5351
工作温度：-55℃~+150℃
功率：5W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：27nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.31nF@30V
连续漏极电流：6.1A
类型：1个N沟道
导通电阻：35mΩ@10V，6.1A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIS4608LDN-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.3W€27.1W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：23nC@10V
输入电容：905pF@30V
连续漏极电流：12.6A€36.2A
类型：1个N沟道
导通电阻：11.5mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIS4608LDN-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.3W€27.1W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：23nC@10V
输入电容：905pF@30V
连续漏极电流：12.6A€36.2A
类型：1个N沟道
导通电阻：11.5mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS5351
工作温度：-55℃~+150℃
功率：5W
阈值电压：3V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：27nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.31nF@30V
连续漏极电流：6.1A
类型：1个N沟道
导通电阻：35mΩ@10V，6.1A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS5351
工作温度：-55℃~+150℃
功率：5W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：27nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.31nF@30V
连续漏极电流：6.1A
类型：1个N沟道
导通电阻：35mΩ@10V，6.1A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS5351
导通电阻：35mΩ@10V，6.1A
包装方式：卷带（TR）
类型：1个N沟道
功率：5W
栅极电荷：27nC@10V
漏源电压：60V
连续漏极电流：6.1A
阈值电压：3V@250μA
输入电容：1.31nF@30V
工作温度：-55℃~+150℃
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
