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    阈值电压: 3V@250μA
    类型: 1个N沟道
    漏源电压: 60V
    行业应用: 工业
    工作温度: -55℃~+175℃
    当前匹配商品:80+
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    MINOS Mosfet场效应管 MDT08N06
    MINOS Mosfet场效应管 MDT08N06

    品牌:MINOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):MDT08N06

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:107W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:72nC@10V

    输入电容:3nF@30V

    连续漏极电流:80A

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:240pF@30V

    导通电阻:7mΩ@10V,20A

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:16
    MINOS Mosfet场效应管 MDT08N06
    MINOS Mosfet场效应管 MDT08N06

    品牌:MINOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):MDT08N06

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:107W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:72nC@10V

    输入电容:3nF@30V

    连续漏极电流:80A

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:240pF@30V

    导通电阻:7mΩ@10V,20A

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:20
    MINOS Mosfet场效应管 MP180N06
    MINOS Mosfet场效应管 MP180N06

    品牌:MINOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):MP180N06

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:270W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:257nC@10V

    输入电容:13.2nF@25V

    连续漏极电流:180A

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:810pF@25V

    导通电阻:3.5mΩ@10V,50A

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    MINOS Mosfet场效应管 MDT08N06
    MINOS Mosfet场效应管 MDT08N06

    品牌:MINOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):MDT08N06

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:107W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:72nC@10V

    输入电容:3nF@30V

    连续漏极电流:80A

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:240pF@30V

    导通电阻:7mΩ@10V,20A

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:30
    MINOS Mosfet场效应管 MDT08N06
    MINOS Mosfet场效应管 MDT08N06

    品牌:MINOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):MDT08N06

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:107W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:72nC@10V

    输入电容:3nF@30V

    连续漏极电流:80A

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:240pF@30V

    导通电阻:7mΩ@10V,20A

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    MINOS Mosfet场效应管 MP180N06
    MINOS Mosfet场效应管 MP180N06

    品牌:MINOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):MP180N06

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:270W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:257nC@10V

    输入电容:13.2nF@25V

    连续漏极电流:180A

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:810pF@25V

    导通电阻:3.5mΩ@10V,50A

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:4
    MINOS Mosfet场效应管 MDT60N06D
    MINOS Mosfet场效应管 MDT60N06D

    品牌:MINOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):MDT60N06D

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:87W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:31nC@10V

    输入电容:910pF@25V

    连续漏极电流:60A

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:30pF@25V

    导通电阻:12mΩ@10V,25A

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:17
    捷捷 微电子 JIEJIE MICROEL ECTRONICS Mosfet场效应管 JMTK80N06A
    捷捷 微电子 JIEJIE MICROEL ECTRONICS Mosfet场效应管 JMTK80N06A

    品牌:捷捷 微电子 JIEJIE MICROEL ECTRONICS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):JMTK80N06A

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:108W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:90nC@10V

    输入电容:4.136nF@30V

    连续漏极电流:80A

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:257pF@30V

    导通电阻:5.3mΩ@10V,30A

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:27
    MINOS Mosfet场效应管 MPG100N06
    MINOS Mosfet场效应管 MPG100N06

    品牌:MINOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):MPG100N06

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:143W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:72nC@10V

    输入电容:3nF@40V

    连续漏极电流:100A

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:240pF@40V

    导通电阻:6.5mΩ@10V,46A

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:30
    MINOS Mosfet场效应管 MDT50N06D
    MINOS Mosfet场效应管 MDT50N06D

    品牌:MINOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):MDT50N06D

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:87W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:31nC@10V

    输入电容:910pF@25V

    连续漏极电流:50A

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:30pF@25V

    导通电阻:11mΩ@10V,25A

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    MINOS Mosfet场效应管 MDT50N06D
    MINOS Mosfet场效应管 MDT50N06D

    品牌:MINOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):MDT50N06D

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:87W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:31nC@10V

    输入电容:910pF@25V

    连续漏极电流:50A

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:30pF@25V

    导通电阻:11mΩ@10V,25A

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:30
    MINOS Mosfet场效应管 MDT08N06
    MINOS Mosfet场效应管 MDT08N06

    品牌:MINOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):MDT08N06

    连续漏极电流:80A

    功率:107W

    类型:1个N沟道

    漏源电压:60V

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:72nC@10V

    输入电容:3nF@30V

    工作温度:-55℃~+175℃

    导通电阻:7mΩ@10V,20A

    反向传输电容:240pF@30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    MINOS Mosfet场效应管 MDT08N06
    MINOS Mosfet场效应管 MDT08N06

    品牌:MINOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):MDT08N06

    连续漏极电流:80A

    功率:107W

    类型:1个N沟道

    漏源电压:60V

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:72nC@10V

    输入电容:3nF@30V

    工作温度:-55℃~+175℃

    导通电阻:7mΩ@10V,20A

    反向传输电容:240pF@30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    MINOS Mosfet场效应管 MP180N06
    MINOS Mosfet场效应管 MP180N06

    品牌:MINOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):MP180N06

    类型:1个N沟道

    导通电阻:3.5mΩ@10V,50A

    漏源电压:60V

    连续漏极电流:180A

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:257nC@10V

    反向传输电容:810pF@25V

    功率:270W

    工作温度:-55℃~+175℃

    输入电容:13.2nF@25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH6016LK3-13
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH6016LK3-13

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH6016LK3-13

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:3.2W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:17nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:864pF@30V

    连续漏极电流:46.9A€10.8A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:17mΩ@10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:15
    onsemi Mosfet场效应管 RFD3055LESM9A
    onsemi Mosfet场效应管 RFD3055LESM9A

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RFD3055LESM9A

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:38W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:11.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:350pF@25V

    连续漏极电流:11A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:107mΩ@8A,5V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:4
    onsemi Mosfet场效应管 RFD3055LESM9A
    onsemi Mosfet场效应管 RFD3055LESM9A

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RFD3055LESM9A

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:38W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:11.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:350pF@25V

    连续漏极电流:11A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:107mΩ@8A,5V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    加购:5
    onsemi Mosfet场效应管 RFD3055LESM9A
    onsemi Mosfet场效应管 RFD3055LESM9A

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RFD3055LESM9A

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:38W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:11.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:350pF@25V

    连续漏极电流:11A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:107mΩ@8A,5V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    加购:5
    onsemi Mosfet场效应管 RFD3055LESM9A
    onsemi Mosfet场效应管 RFD3055LESM9A

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RFD3055LESM9A

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:38W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:11.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:350pF@25V

    连续漏极电流:11A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:107mΩ@8A,5V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5
    onsemi Mosfet场效应管 RFD12N06RLESM9A
    onsemi Mosfet场效应管 RFD12N06RLESM9A

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RFD12N06RLESM9A

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:49W

    阈值电压:3V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:485pF@25V

    连续漏极电流:18A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:63mΩ@10V,18A

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    onsemi Mosfet场效应管 RFD16N06LESM9A 起订5个装
    onsemi Mosfet场效应管 RFD16N06LESM9A 起订5个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RFD16N06LESM9A

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:90W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:62nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.35nF@25V

    连续漏极电流:16A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:47mΩ@16A,5V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5
    onsemi Mosfet场效应管 RFD16N06LESM9A
    onsemi Mosfet场效应管 RFD16N06LESM9A

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RFD16N06LESM9A

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:90W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:62nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.35nF@25V

    连续漏极电流:16A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:47mΩ@16A,5V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    onsemi Mosfet场效应管 RFD3055LESM9A 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 RFD3055LESM9A 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RFD3055LESM9A

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:38W

    阈值电压:3V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:11.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:350pF@25V

    连续漏极电流:11A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:107mΩ@8A,5V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    onsemi Mosfet场效应管 RFD3055LESM9A 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 RFD3055LESM9A 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RFD3055LESM9A

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:38W

    阈值电压:3V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:11.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:350pF@25V

    连续漏极电流:11A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:107mΩ@8A,5V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    onsemi Mosfet场效应管 RFD3055LESM9A 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 RFD3055LESM9A 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RFD3055LESM9A

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:38W

    阈值电压:3V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:11.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:350pF@25V

    连续漏极电流:11A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:107mΩ@8A,5V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    onsemi Mosfet场效应管 RFD16N06LESM9A
    onsemi Mosfet场效应管 RFD16N06LESM9A

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RFD16N06LESM9A

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:90W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:62nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.35nF@25V

    连续漏极电流:16A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:47mΩ@16A,5V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    onsemi Mosfet场效应管 RFD3055LESM9A
    onsemi Mosfet场效应管 RFD3055LESM9A

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RFD3055LESM9A

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:38W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:11.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:350pF@25V

    连续漏极电流:11A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:107mΩ@8A,5V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    加购:5
    onsemi Mosfet场效应管 RFD12N06RLESM9A
    onsemi Mosfet场效应管 RFD12N06RLESM9A

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RFD12N06RLESM9A

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:49W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:485pF@25V

    连续漏极电流:18A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:63mΩ@10V,18A

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    加购:5
    onsemi Mosfet场效应管 RFD16N06LESM9A
    onsemi Mosfet场效应管 RFD16N06LESM9A

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RFD16N06LESM9A

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:90W

    阈值电压:3V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:62nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.35nF@25V

    连续漏极电流:16A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:47mΩ@16A,5V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    onsemi Mosfet场效应管 RFD16N06LESM9A
    onsemi Mosfet场效应管 RFD16N06LESM9A

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RFD16N06LESM9A

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:90W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:62nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.35nF@25V

    连续漏极电流:16A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:47mΩ@16A,5V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
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