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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.3W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：22.4nC@10V
输入电容：1.287nF@25V
连续漏极电流：5A
类型：2个N沟道
导通电阻：40mΩ@10V，4.5A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.8W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：12.9nC@10V
输入电容：608pF@15V
连续漏极电流：5.7A
类型：2个N沟道
导通电阻：24mΩ
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.8W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：12.9nC@10V
输入电容：608pF@15V
连续漏极电流：5.7A
类型：2个N沟道
导通电阻：24mΩ
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：700mW
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：7nC@10V
输入电容：393pF@15V
连续漏极电流：7.7A
类型：2个N沟道
导通电阻：20mΩ@10V，9A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.8W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：10.3nC@10V
输入电容：502pF@30V
连续漏极电流：3.3A
类型：2个N沟道
导通电阻：66mΩ@10V，4.5A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.9W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：13.9nC@10V
输入电容：869pF@30V
连续漏极电流：8.8A
类型：2个N沟道
导通电阻：17mΩ@8.2A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
漏源电压：30V
栅极电荷：7nC@10V
工作温度：-55℃~+150℃
连续漏极电流：7.7A
输入电容：393pF@15V
导通电阻：20mΩ@10V，9A
功率：700mW
阈值电压：3V@250μA
类型：2个N沟道
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT3020LFDB-7
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
阈值电压：3V@250μA
类型：2个N沟道
栅极电荷：7nC@10V
工作温度：-55℃~+150℃
连续漏极电流：7.7A
输入电容：393pF@15V
导通电阻：20mΩ@10V，9A
功率：700mW
包装清单：商品主体 * 1
库存：
