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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP6110SVTQ-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.8W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：17.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：969pF@30V
连续漏极电流：7.3A
类型：1个P沟道
导通电阻：105mΩ@4.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP6110SVTQ-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.8W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：17.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：969pF@30V
连续漏极电流：7.3A
类型：1个P沟道
导通电阻：105mΩ@4.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：720mW
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：4.1nC@10V
输入电容：206pF@30V
连续漏极电流：1.5A
类型：1个P沟道
导通电阻：350mΩ@10V，900mA
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：760mW
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：8.2nC@10V
输入电容：371.3pF@15V
连续漏极电流：2.5A
类型：1个P沟道
导通电阻：90mΩ@10V，2.5A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP6110SVTQ-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.8W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：17.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：969pF@30V
连续漏极电流：7.3A
类型：1个P沟道
导通电阻：105mΩ@4.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3011SFVWQ-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：980mW
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：46nC@10V
输入电容：2.38nF@15V
连续漏极电流：19.8A€50A
类型：1个P沟道
导通电阻：10mΩ@11.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP6110SVTQ-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.8W
阈值电压：3V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：969pF@30V
连续漏极电流：7.3A
类型：1个P沟道
导通电阻：105mΩ@4.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP6110SVTQ-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.8W
阈值电压：3V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：969pF@30V
连续漏极电流：7.3A
类型：1个P沟道
导通电阻：105mΩ@4.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3011SFVWQ-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：980mW
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：46nC@10V
输入电容：2.38nF@15V
连续漏极电流：19.8A€50A
类型：1个P沟道
导通电阻：10mΩ@11.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP6110SVTQ-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.8W
阈值电压：3V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：969pF@30V
连续漏极电流：7.3A
类型：1个P沟道
导通电阻：105mΩ@4.5A，10V
漏源电压：60V
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工作温度：-55℃~+150℃
功率：720mW
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：4.1nC@10V
输入电容：206pF@30V
连续漏极电流：1.5A
类型：1个P沟道
导通电阻：350mΩ@10V，900mA
漏源电压：60V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMP3011SFVWQ-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：980mW
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：46nC@10V
输入电容：2.38nF@15V
连续漏极电流：19.8A€50A
类型：1个P沟道
导通电阻：10mΩ@11.5A，10V
漏源电压：30V
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规格型号(MPN)：DMP3011SFVWQ-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：980mW
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栅极电荷：46nC@10V
输入电容：2.38nF@15V
连续漏极电流：19.8A€50A
类型：1个P沟道
导通电阻：10mΩ@11.5A，10V
漏源电压：30V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMP6110SVTQ-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.8W
阈值电压：3V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：969pF@30V
连续漏极电流：7.3A
类型：1个P沟道
导通电阻：105mΩ@4.5A，10V
漏源电压：60V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMP6110SVTQ-7
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功率：1.8W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：17.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：969pF@30V
连续漏极电流：7.3A
类型：1个P沟道
导通电阻：105mΩ@4.5A，10V
漏源电压：60V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMP3011SFVWQ-7
工作温度：-55℃~+150℃
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阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：46nC@10V
输入电容：2.38nF@15V
连续漏极电流：19.8A€50A
类型：1个P沟道
导通电阻：10mΩ@11.5A，10V
漏源电压：30V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMP6110SVTQ-7
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栅极电荷：17.2nC@10V
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输入电容：969pF@30V
连续漏极电流：7.3A
类型：1个P沟道
导通电阻：105mΩ@4.5A，10V
漏源电压：60V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMP3011SFVWQ-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：980mW
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：46nC@10V
输入电容：2.38nF@15V
连续漏极电流：19.8A€50A
类型：1个P沟道
导通电阻：10mΩ@11.5A，10V
漏源电压：30V
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行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3011SFVWQ-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：980mW
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：46nC@10V
输入电容：2.38nF@15V
连续漏极电流：19.8A€50A
类型：1个P沟道
导通电阻：10mΩ@11.5A，10V
漏源电压：30V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP6110SVTQ-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.8W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：17.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：969pF@30V
连续漏极电流：7.3A
类型：1个P沟道
导通电阻：105mΩ@4.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3011SFVWQ-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：980mW
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：46nC@10V
输入电容：2.38nF@15V
连续漏极电流：19.8A€50A
类型：1个P沟道
导通电阻：10mΩ@11.5A，10V
漏源电压：30V
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分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：720mW
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：4.1nC@10V
输入电容：206pF@30V
连续漏极电流：1.5A
类型：1个P沟道
导通电阻：350mΩ@10V，900mA
漏源电压：60V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMP6110SVTQ-7
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功率：1.8W
阈值电压：3V@250μA
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连续漏极电流：7.3A
类型：1个P沟道
导通电阻：105mΩ@4.5A，10V
漏源电压：60V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3011SFVWQ-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：980mW
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：46nC@10V
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连续漏极电流：19.8A€50A
类型：1个P沟道
导通电阻：10mΩ@11.5A，10V
漏源电压：30V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP6110SVTQ-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.8W
阈值电压：3V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：969pF@30V
连续漏极电流：7.3A
类型：1个P沟道
导通电阻：105mΩ@4.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：720mW
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：4.1nC@10V
输入电容：206pF@30V
连续漏极电流：1.5A
类型：1个P沟道
导通电阻：350mΩ@10V，900mA
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP6110SVTQ-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.8W
阈值电压：3V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：969pF@30V
连续漏极电流：7.3A
类型：1个P沟道
导通电阻：105mΩ@4.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3011SFVWQ-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：980mW
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：46nC@10V
输入电容：2.38nF@15V
连续漏极电流：19.8A€50A
类型：1个P沟道
导通电阻：10mΩ@11.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP6110SVTQ-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.8W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：17.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：969pF@30V
连续漏极电流：7.3A
类型：1个P沟道
导通电阻：105mΩ@4.5A，10V
漏源电压：60V
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行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP6110SVTQ-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.8W
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ECCN：EAR99
栅极电荷：17.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：969pF@30V
连续漏极电流：7.3A
类型：1个P沟道
导通电阻：105mΩ@4.5A，10V
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