采购热线 400-661-9010
品牌：WILLSEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：WPM3407-3/TR
功率：1W
阈值电压：3V@250μA
连续漏极电流：3.7A
类型：1个P沟道
导通电阻：46mΩ@10V，4.4A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：WILLSEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：WPM3407-3/TR
功率：1W
阈值电压：3V@250μA
连续漏极电流：3.7A
类型：1个P沟道
导通电阻：46mΩ@10V，4.4A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS6673BZ-G
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1W
阈值电压：3V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：65nC@5V
输入电容：4.7nF@15V
连续漏极电流：14.5A
类型：1个P沟道
导通电阻：7.8mΩ@14.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+155℃
功率：1W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：53.1nC@10V
输入电容：2.569nF@30V
连续漏极电流：7.7A
类型：1个P沟道
导通电阻：25mΩ@5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+155℃
功率：1W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：53.1nC@10V
输入电容：2.569nF@30V
连续漏极电流：7.7A
类型：1个P沟道
导通电阻：25mΩ@5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：WILLSEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：WPM3407-3/TR
功率：1W
阈值电压：3V@250μA
连续漏极电流：3.7A
类型：1个P沟道
导通电阻：46mΩ@10V，4.4A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：WILLSEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：WPM3407-3/TR
功率：1W
阈值电压：3V@250μA
连续漏极电流：3.7A
类型：1个P沟道
导通电阻：46mΩ@10V，4.4A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：WILLSEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：WPM3407-3/TR
功率：1W
阈值电压：3V@250μA
连续漏极电流：3.7A
类型：1个P沟道
导通电阻：46mΩ@10V，4.4A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ANBON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AS4375
功率：1W
阈值电压：3V@250μA
连续漏极电流：3A
类型：1个P沟道
导通电阻：80mΩ@10V，5A
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：WILLSEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：WPM3407-3/TR
导通电阻：46mΩ@10V，4.4A
漏源电压：30V
连续漏极电流：3.7A
功率：1W
类型：1个P沟道
阈值电压：3V@250μA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ANBON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AS4375
功率：1W
阈值电压：3V@250μA
连续漏极电流：3A
类型：1个P沟道
导通电阻：80mΩ@10V，5A
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ANBON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AS4375
功率：1W
阈值电压：3V@250μA
连续漏极电流：3A
类型：1个P沟道
导通电阻：80mΩ@10V，5A
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3018SFV-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：51nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.147nF@15V
连续漏极电流：11A€35A
类型：1个P沟道
导通电阻：12mΩ@11.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ANBON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AS4375
功率：1W
阈值电压：3V@250μA
连续漏极电流：3A
类型：1个P沟道
导通电阻：80mΩ@10V，5A
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ANBON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AS4375
功率：1W
阈值电压：3V@250μA
连续漏极电流：3A
类型：1个P沟道
导通电阻：80mΩ@10V，5A
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3018SFV-7
导通电阻：12mΩ@11.5A，10V
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
阈值电压：3V@250μA
工作温度：-55℃~+150℃
输入电容：2.147nF@15V
栅极电荷：51nC@10V
连续漏极电流：11A€35A
功率：1W
类型：1个P沟道
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
生产批次：2339
规格型号(MPN)：DMP6023LFG-13
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：60V
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：53.1nC@10V
导通电阻：25mΩ@5A，10V
工作温度：-55℃~+150℃
连续漏极电流：7.7A
功率：1W
ECCN：EAR99
类型：1个P沟道
输入电容：2.569nF@30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
