品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.3W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:24nC@10V
连续漏极电流:4.1A
类型:1个P沟道
导通电阻:42mΩ@10V,5.7A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.3W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:21nC@10V
连续漏极电流:4.3A
类型:2个P沟道
导通电阻:47mΩ@6.4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.3W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:21nC@10V
连续漏极电流:4.3A
类型:2个P沟道
导通电阻:47mΩ@6.4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.3W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:24nC@10V
连续漏极电流:4.1A
类型:1个P沟道
导通电阻:42mΩ@10V,5.7A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.3W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:24nC@10V
连续漏极电流:4.1A
类型:1个P沟道
导通电阻:42mΩ@10V,5.7A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.3W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:22.4nC@10V
输入电容:1.287nF@25V
连续漏极电流:5A
类型:2个N沟道
导通电阻:40mΩ@10V,4.5A
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.3W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:24nC@10V
连续漏极电流:4.1A
类型:1个P沟道
导通电阻:42mΩ@10V,5.7A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.3W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:21nC@10V
连续漏极电流:4.3A
类型:2个P沟道
导通电阻:47mΩ@6.4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.3W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:24nC@10V
连续漏极电流:4.1A
类型:1个P沟道
导通电阻:42mΩ@10V,5.7A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.3W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:21nC@10V
连续漏极电流:4.3A
类型:2个P沟道
导通电阻:47mΩ@6.4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: