品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.9W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:140nC@10V
连续漏极电流:11A
类型:1个P沟道
导通电阻:9.2mΩ@10V,18.6A
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.9W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:140nC@10V
连续漏极电流:11A
类型:1个P沟道
导通电阻:9.2mΩ@10V,18.6A
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.9W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:140nC@10V
连续漏极电流:11A
类型:1个P沟道
导通电阻:9.2mΩ@10V,18.6A
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.9W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:140nC@10V
连续漏极电流:11A
类型:1个P沟道
导通电阻:9.2mΩ@10V,18.6A
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.9W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:140nC@10V
连续漏极电流:11A
类型:1个P沟道
导通电阻:9.2mΩ@10V,18.6A
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
漏源电压:40V
功率:1.9W
连续漏极电流:11A
导通电阻:9.2mΩ@10V,18.6A
栅极电荷:140nC@10V
类型:1个P沟道
阈值电压:3V@250μA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
导通电阻:20mΩ@7A,10V
工作温度:-55℃~+150℃
漏源电压:40V
功率:1.9W
输入电容:720pF@20V
栅极电荷:11nC@10V
阈值电压:3V@250μA
连续漏极电流:7A
类型:2个N沟道
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
漏源电压:40V
功率:1.9W
连续漏极电流:11A
导通电阻:9.2mΩ@10V,18.6A
栅极电荷:140nC@10V
类型:1个P沟道
阈值电压:3V@250μA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
导通电阻:20mΩ@7A,10V
工作温度:-55℃~+150℃
漏源电压:40V
功率:1.9W
输入电容:720pF@20V
栅极电荷:11nC@10V
阈值电压:3V@250μA
连续漏极电流:7A
类型:2个N沟道
包装清单:商品主体 * 1
库存: