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品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2307-TP
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.1W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：6.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：340pF@15V
连续漏极电流：2.7A
类型：1个P沟道
导通电阻：135mΩ@2.6A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：海德
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：HD2307
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.1W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：4.1nC@4.5V
输入电容：340pF@15V
连续漏极电流：2.7A
类型：1个P沟道
反向传输电容：51pF@15V
导通电阻：73mΩ@10V，3.5A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：海德
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：HD2307
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.1W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：4.1nC@4.5V
输入电容：340pF@15V
连续漏极电流：2.7A
类型：1个P沟道
反向传输电容：51pF@15V
导通电阻：73mΩ@10V，3.5A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：海德
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：HD2307
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.1W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：4.1nC@4.5V
输入电容：340pF@15V
连续漏极电流：2.7A
类型：1个P沟道
反向传输电容：51pF@15V
导通电阻：73mΩ@10V，3.5A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：海德
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：HD2307
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.1W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：4.1nC@4.5V
输入电容：340pF@15V
连续漏极电流：2.7A
类型：1个P沟道
反向传输电容：51pF@15V
导通电阻：73mΩ@10V，3.5A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：海德
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：HD2307
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.1W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：4.1nC@4.5V
输入电容：340pF@15V
连续漏极电流：2.7A
类型：1个P沟道
反向传输电容：51pF@15V
导通电阻：73mΩ@10V，3.5A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：2236
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN359BN
工作温度：-55℃~+150℃
功率：500mW
阈值电压：3V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：650pF@15V
连续漏极电流：2.7A
类型：1个N沟道
导通电阻：46mΩ@10V，2.7A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1W€2.3W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：8nC@10V
输入电容：155pF@15V
连续漏极电流：2.7A
类型：1个P沟道
导通电阻：190mΩ@10V，1.9A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：2236
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN359BN
工作温度：-55℃~+150℃
功率：500mW
阈值电压：3V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：650pF@15V
连续漏极电流：2.7A
类型：1个N沟道
导通电阻：46mΩ@10V，2.7A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：2236
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN359BN
工作温度：-55℃~+150℃
功率：500mW
阈值电压：3V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：650pF@15V
连续漏极电流：2.7A
类型：1个N沟道
导通电阻：46mΩ@10V，2.7A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：2236
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN359BN
工作温度：-55℃~+150℃
功率：500mW
阈值电压：3V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：650pF@15V
连续漏极电流：2.7A
类型：1个N沟道
导通电阻：46mΩ@10V，2.7A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
导通电阻：190mΩ@10V，1.9A
功率：1W€2.3W
连续漏极电流：2.7A
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~+150℃
栅极电荷：8nC@10V
输入电容：155pF@15V
类型：1个P沟道
阈值电压：3V@250μA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
