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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：5W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：50nC@10V
输入电容：1.35nF@15V
连续漏极电流：8A
类型：2个P沟道
导通电阻：29mΩ@10V，7.3A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：5W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：50nC@10V
输入电容：1.35nF@15V
连续漏极电流：8A
类型：2个P沟道
导通电阻：29mΩ@10V，7.3A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：5W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：50nC@10V
输入电容：1.35nF@15V
连续漏极电流：8A
类型：2个P沟道
导通电阻：29mΩ@10V，7.3A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.1W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：50nC@10V
连续漏极电流：5.3A
类型：2个P沟道
导通电阻：25mΩ@10V，7.1A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
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工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.1W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：50nC@10V
连续漏极电流：5.3A
类型：2个P沟道
导通电阻：25mΩ@10V，7.1A
漏源电压：30V
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功率：1.1W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：50nC@10V
连续漏极电流：5.3A
类型：2个P沟道
导通电阻：25mΩ@10V，7.1A
漏源电压：30V
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功率：1.1W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：50nC@10V
连续漏极电流：5.3A
类型：2个P沟道
导通电阻：25mΩ@10V，7.1A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
导通电阻：25mΩ@10V，7.1A
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~+150℃
连续漏极电流：5.3A
类型：2个P沟道
功率：1.1W
栅极电荷：50nC@10V
阈值电压：3V@250μA
包装清单：商品主体 * 1
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