销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.5W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:27nC@5V
输入电容:1.872nF@20V
连续漏极电流:8.2A
类型:1个P沟道
导通电阻:27mΩ@10V,8.2A
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.5W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:260nC@10V
输入电容:7.54nF@15V
连续漏极电流:20A
类型:1个P沟道
导通电阻:4.6mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.5W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:27nC@5V
输入电容:1.872nF@20V
连续漏极电流:8.2A
类型:1个P沟道
导通电阻:27mΩ@10V,8.2A
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.5W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:260nC@10V
输入电容:7.54nF@15V
连续漏极电流:20A
类型:1个P沟道
导通电阻:4.6mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.5W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:27nC@5V
输入电容:1.872nF@20V
连续漏极电流:8.2A
类型:1个P沟道
导通电阻:27mΩ@10V,8.2A
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.5W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:260nC@10V
输入电容:7.54nF@15V
连续漏极电流:20A
类型:1个P沟道
导通电阻:4.6mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.5W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:260nC@10V
输入电容:7.54nF@15V
连续漏极电流:20A
类型:1个P沟道
导通电阻:4.6mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS6673BZ
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.5W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:124nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4.7nF@15V
连续漏极电流:14.5A
类型:1个P沟道
导通电阻:7.8mΩ@4.5V,14.5A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.5W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:96nC@10V
输入电容:3.845nF@15V
连续漏极电流:13A
类型:1个P沟道
导通电阻:9.3mΩ@10V,13A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: