采购热线 400-661-9010
品牌：NXP
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"12+"：20746，"13+"：46006，"15+"：50000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMZB420UN，315
工作温度：-55℃~+150℃
功率：360mW€2.7W
阈值电压：950mV@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：980pC@4.5V
输入电容：65pF@25V
连续漏极电流：900mA
类型：1个N沟道
导通电阻：490mΩ@200mA，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：350mW€6.25W
阈值电压：950mV@250μA
栅极电荷：1.4nC@4.5V
输入电容：122pF@15V
连续漏极电流：1A
类型：1个P沟道
导通电阻：510mΩ@1A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：350mW€6.25W
阈值电压：950mV@250μA
栅极电荷：1.4nC@4.5V
输入电容：122pF@15V
连续漏极电流：1A
类型：1个P沟道
导通电阻：510mΩ@1A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3731U-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：400mW
阈值电压：950mV@250µA
栅极电荷：5.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：73pF@25V
连续漏极电流：900mA
类型：N沟道
导通电阻：460mΩ@200mA，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NXP
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMZB420UN，315
工作温度：-55℃~+150℃
功率：360mW€2.7W
阈值电压：950mV@250μA
栅极电荷：980pC@4.5V
输入电容：65pF@25V
连续漏极电流：900mA
类型：1个N沟道
导通电阻：490mΩ@200mA，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NXP
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"12+"：20746，"13+"：46006，"15+"：50000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMZB420UN，315
工作温度：-55℃~+150℃
功率：360mW€2.7W
阈值电压：950mV@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：980pC@4.5V
输入电容：65pF@25V
连续漏极电流：900mA
类型：1个N沟道
导通电阻：490mΩ@200mA，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NXP
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMZB420UN，315
工作温度：-55℃~+150℃
功率：360mW€2.7W
阈值电压：950mV@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：980pC@4.5V
输入电容：65pF@25V
连续漏极电流：900mA
类型：1个N沟道
导通电阻：490mΩ@200mA，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
输入电容：122pF@15V
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~+150℃
导通电阻：510mΩ@1A，4.5V
连续漏极电流：1A
功率：350mW€6.25W
类型：1个P沟道
阈值电压：950mV@250μA
栅极电荷：1.4nC@4.5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3731U-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：400mW
阈值电压：950mV@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：73pF@25V
连续漏极电流：900mA
类型：1个N沟道
导通电阻：460mΩ@200mA，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：350mW€5.43W
阈值电压：950mV@250μA
栅极电荷：1.3nC@4.5V
输入电容：41pF@15V
连续漏极电流：900mA
类型：1个N沟道
导通电阻：470mΩ@900mA，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：310mW€1.67W
阈值电压：950mV@250μA
栅极电荷：1.2nC@4.5V
输入电容：43.2pF@15V
连续漏极电流：410mA
类型：1个P沟道
导通电阻：1.4Ω@410mA，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：470mW
阈值电压：950mV@250μA
栅极电荷：1.6nC@4.5V
输入电容：64.3pF@25V
连续漏极电流：750mA
类型：1个N沟道
导通电阻：460mΩ@4.5V，200mA
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：310mW€1.67W
阈值电压：950mV@250μA
栅极电荷：1.2nC@4.5V
输入电容：43.2pF@15V
连续漏极电流：410mA
类型：1个P沟道
导通电阻：1.4Ω@410mA，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：470mW
阈值电压：950mV@250μA
栅极电荷：1.6nC@4.5V
输入电容：64.3pF@25V
连续漏极电流：750mA
类型：1个N沟道
导通电阻：460mΩ@4.5V，200mA
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：470mW
阈值电压：950mV@250μA
栅极电荷：1.6nC@4.5V
输入电容：64.3pF@25V
连续漏极电流：750mA
类型：1个N沟道
导通电阻：460mΩ@4.5V，200mA
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：450mW
阈值电压：950mV@250μA
栅极电荷：1.6nC@4.5V
输入电容：64.3pF@25V
连续漏极电流：750mA
类型：1个N沟道
导通电阻：460mΩ@4.5V，200mA
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：450mW
阈值电压：950mV@250μA
栅极电荷：1.6nC@4.5V
输入电容：64.3pF@25V
连续漏极电流：750mA
类型：1个N沟道
导通电阻：460mΩ@4.5V，200mA
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：450mW
阈值电压：950mV@250μA
栅极电荷：1.6nC@4.5V
输入电容：64.3pF@25V
连续漏极电流：750mA
类型：1个N沟道
导通电阻：460mΩ@4.5V，200mA
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：310mW€1.67W
阈值电压：950mV@250μA
栅极电荷：1.2nC@4.5V
输入电容：43.2pF@15V
连续漏极电流：410mA
类型：1个P沟道
导通电阻：1.4Ω@410mA，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：450mW
阈值电压：950mV@250μA
栅极电荷：1.6nC@4.5V
输入电容：64.3pF@25V
连续漏极电流：750mA
类型：1个N沟道
导通电阻：460mΩ@4.5V，200mA
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3731U-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：400mW
阈值电压：950mV@250µA
栅极电荷：5.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：73pF@25V
连续漏极电流：900mA
类型：N沟道
导通电阻：460mΩ@200mA，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
功率：470mW
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~+150℃
栅极电荷：1.6nC@4.5V
类型：1个N沟道
连续漏极电流：750mA
输入电容：64.3pF@25V
导通电阻：460mΩ@4.5V，200mA
阈值电压：950mV@250μA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~+150℃
栅极电荷：1.6nC@4.5V
类型：1个N沟道
连续漏极电流：750mA
输入电容：64.3pF@25V
功率：450mW
导通电阻：460mΩ@4.5V，200mA
阈值电压：950mV@250μA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
栅极电荷：1.2nC@4.5V
导通电阻：1.4Ω@410mA，4.5V
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~+150℃
连续漏极电流：410mA
输入电容：43.2pF@15V
类型：1个P沟道
功率：310mW€1.67W
阈值电压：950mV@250μA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~+150℃
栅极电荷：1.6nC@4.5V
类型：1个N沟道
连续漏极电流：750mA
输入电容：64.3pF@25V
功率：450mW
导通电阻：460mΩ@4.5V，200mA
阈值电压：950mV@250μA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
