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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6P36TU，LF
工作温度：150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：43pF@10V
连续漏极电流：330mA
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：1.31Ω@100mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6P39TU，LF
工作温度：150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：250pF@10V
连续漏极电流：1.5A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：213mΩ@1A，4V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6P36TU，LF
工作温度：150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：43pF@10V
连续漏极电流：330mA
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：1.31Ω@100mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6P36TU，LF
工作温度：150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：43pF@10V
连续漏极电流：330mA
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：1.31Ω@100mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6P39TU，LF
工作温度：150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：250pF@10V
连续漏极电流：1.5A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：213mΩ@1A，4V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6P54TU，LF
工作温度：150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：331pF@10V
连续漏极电流：1.2A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：228mΩ@600mA，2.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：US6J11TR
工作温度：150℃
功率：320mW
阈值电压：1V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：290pF@6V
连续漏极电流：1.3A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：260mΩ@1.3A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6P54TU，LF
工作温度：150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：331pF@10V
连续漏极电流：1.2A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：228mΩ@600mA，2.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6P54TU，LF
工作温度：150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：331pF@10V
连续漏极电流：1.2A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：228mΩ@600mA，2.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6P54TU，LF
工作温度：150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：331pF@10V
连续漏极电流：1.2A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：228mΩ@600mA，2.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6P36TU，LF
工作温度：150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：43pF@10V
连续漏极电流：330mA
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：1.31Ω@100mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6P54TU，LF
工作温度：150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：331pF@10V
连续漏极电流：1.2A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：228mΩ@600mA，2.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6P39TU，LF
工作温度：150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：250pF@10V
连续漏极电流：1.5A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：213mΩ@1A，4V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6P36TU，LF
工作温度：150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：43pF@10V
连续漏极电流：330mA
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：1.31Ω@100mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：QS8J1TR
工作温度：150℃
功率：1.5W
阈值电压：1V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2450pF@6V
连续漏极电流：4.5A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：29mΩ@4.5A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6P39TU，LF
工作温度：150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：250pF@10V
连续漏极电流：1.5A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：213mΩ@1A，4V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6P39TU，LF
工作温度：150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：250pF@10V
连续漏极电流：1.5A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：213mΩ@1A，4V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TT8J21TR
工作温度：150℃
功率：650mW
阈值电压：1V@1mA
栅极电荷：12nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1270pF@10V
连续漏极电流：2.5A
类型：P-Channel
导通电阻：68mΩ@2.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TT8J21TR
工作温度：150℃
功率：650mW
阈值电压：1V@1mA
栅极电荷：12nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1270pF@10V
连续漏极电流：2.5A
类型：P-Channel
导通电阻：68mΩ@2.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：QS6J11TR
工作温度：-55℃~150℃
功率：600mW
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：2A
类型：P-Channel
导通电阻：105mΩ@-2A，-4.5V
漏源电压：-12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：QS8J1TR
工作温度：150℃
功率：1.5W
阈值电压：1V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2450pF@6V
连续漏极电流：4.5A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：29mΩ@4.5A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：QS6J11TR
工作温度：-55℃~150℃
功率：600mW
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：2A
类型：P-Channel
导通电阻：105mΩ@-2A，-4.5V
漏源电压：-12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6P54TU，LF
工作温度：150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：331pF@10V
连续漏极电流：1.2A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：228mΩ@600mA，2.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6P36TU，LF
工作温度：150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：43pF@10V
连续漏极电流：330mA
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：1.31Ω@100mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6P39TU，LF
工作温度：150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：250pF@10V
连续漏极电流：1.5A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：213mΩ@1A，4V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6P36TU，LF
工作温度：150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：43pF@10V
连续漏极电流：330mA
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：1.31Ω@100mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6P36TU，LF
工作温度：150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：43pF@10V
连续漏极电流：330mA
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：1.31Ω@100mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6P54TU，LF
工作温度：150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：331pF@10V
连续漏极电流：1.2A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：228mΩ@600mA，2.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6P36TU，LF
工作温度：150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：43pF@10V
连续漏极电流：330mA
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：1.31Ω@100mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6P39TU，LF
工作温度：150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：250pF@10V
连续漏极电流：1.5A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：213mΩ@1A，4V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
