品牌:GIGADEVICE
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3J35CT,L3F
工作温度:150℃
功率:100mW
阈值电压:1V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:12.2pF@3V
连续漏极电流:100mA
类型:P沟道
导通电阻:8Ω@50mA,4V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:GIGADEVICE
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM6J801R,LF
工作温度:150℃
功率:1.5W
阈值电压:1V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:840pF@10V
连续漏极电流:6A
类型:P沟道
导通电阻:32.5mΩ@3A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:GIGADEVICE
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM6J801R,LF
工作温度:150℃
功率:1.5W
阈值电压:1V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:840pF@10V
连续漏极电流:6A
类型:P沟道
导通电阻:32.5mΩ@3A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:GIGADEVICE
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM6J801R,LF
工作温度:150℃
功率:1.5W
阈值电压:1V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:840pF@10V
连续漏极电流:6A
类型:P沟道
导通电阻:32.5mΩ@3A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:GIGADEVICE
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM6J801R,LF
工作温度:150℃
功率:1.5W
阈值电压:1V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:840pF@10V
连续漏极电流:6A
类型:P沟道
导通电阻:32.5mΩ@3A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:GIGADEVICE
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM6J801R,LF
工作温度:150℃
功率:1.5W
阈值电压:1V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:840pF@10V
连续漏极电流:6A
类型:P沟道
导通电阻:32.5mΩ@3A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:GIGADEVICE
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM6J801R,LF
工作温度:150℃
功率:1.5W
阈值电压:1V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:840pF@10V
连续漏极电流:6A
类型:P沟道
导通电阻:32.5mΩ@3A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:GIGADEVICE
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3J35CT,L3F
工作温度:150℃
功率:100mW
阈值电压:1V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:12.2pF@3V
连续漏极电流:100mA
类型:P沟道
导通电阻:8Ω@50mA,4V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:GIGADEVICE
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3J355R,LF
工作温度:150℃
功率:1W
阈值电压:1V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1030pF@10V
连续漏极电流:6A
类型:P沟道
导通电阻:30.1mΩ@4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:GIGADEVICE
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM6J801R,LF
工作温度:150℃
功率:1.5W
阈值电压:1V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:840pF@10V
连续漏极电流:6A
类型:P沟道
导通电阻:32.5mΩ@3A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:GIGADEVICE
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM6J801R,LF
工作温度:150℃
功率:1.5W
阈值电压:1V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:840pF@10V
连续漏极电流:6A
类型:P沟道
导通电阻:32.5mΩ@3A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:GIGADEVICE
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM6J801R,LF
工作温度:150℃
功率:1.5W
阈值电压:1V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:840pF@10V
连续漏极电流:6A
类型:P沟道
导通电阻:32.5mΩ@3A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:GIGADEVICE
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM6J801R,LF
工作温度:150℃
功率:1.5W
阈值电压:1V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:840pF@10V
连续漏极电流:6A
类型:P沟道
导通电阻:32.5mΩ@3A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:GIGADEVICE
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3J35CT,L3F
工作温度:150℃
功率:100mW
阈值电压:1V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:12.2pF@3V
连续漏极电流:100mA
类型:P沟道
导通电阻:8Ω@50mA,4V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:GIGADEVICE
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3J35CT,L3F
工作温度:150℃
功率:100mW
阈值电压:1V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:12.2pF@3V
连续漏极电流:100mA
类型:P沟道
导通电阻:8Ω@50mA,4V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:GIGADEVICE
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3J355R,LF
工作温度:150℃
功率:1W
阈值电压:1V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1030pF@10V
连续漏极电流:6A
类型:P沟道
导通电阻:30.1mΩ@4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:GIGADEVICE
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3J355R,LF
工作温度:150℃
功率:1W
阈值电压:1V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1030pF@10V
连续漏极电流:6A
类型:P沟道
导通电阻:30.1mΩ@4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:GIGADEVICE
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3J355R,LF
工作温度:150℃
功率:1W
阈值电压:1V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1030pF@10V
连续漏极电流:6A
类型:P沟道
导通电阻:30.1mΩ@4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:GIGADEVICE
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM6J801R,LF
包装方式:卷带(TR)
工作温度:150℃
功率:1.5W
类型:P沟道
阈值电压:1V@1mA
栅极电荷:12.8nC@4.5V
漏源电压:20V
输入电容:840pF@10V
导通电阻:32.5mΩ@3A,4.5V
连续漏极电流:6A
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:GIGADEVICE
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM6J801R,LF
包装方式:卷带(TR)
工作温度:150℃
功率:1.5W
类型:P沟道
阈值电压:1V@1mA
栅极电荷:12.8nC@4.5V
漏源电压:20V
输入电容:840pF@10V
导通电阻:32.5mΩ@3A,4.5V
连续漏极电流:6A
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RW1C026ZPT2CR
工作温度:150℃
功率:700mW
阈值电压:1V@1mA
栅极电荷:10nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1250pF@10V
连续漏极电流:2.5A
类型:P沟道
导通电阻:70mΩ@2.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RUS100N02TB
工作温度:150℃
功率:2W
阈值电压:1V@1mA
栅极电荷:24nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2250pF@10V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:12mΩ@10A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM6J213FE(TE85L,F
工作温度:150℃
功率:500mW
阈值电压:1V@1mA
栅极电荷:4.7nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:290pF@10V
连续漏极电流:2.6A
类型:P沟道
导通电阻:103mΩ@1.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3J135TU,LF
工作温度:150℃
功率:500mW
阈值电压:1V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:270pF@10V
连续漏极电流:3A
类型:P沟道
导通电阻:103mΩ@1A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM6N56FE,LM
工作温度:150℃
功率:150mW
阈值电压:1V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:55pF@10V
连续漏极电流:800mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:235mΩ@800mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM6L14FE(TE85L,F)
工作温度:150℃
功率:150mW
阈值电压:1V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:90pF@10V€110pF@10V
连续漏极电流:800mA€720mA
类型:N和P沟道
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3K36FS,LF
工作温度:150℃
功率:150mW
阈值电压:1V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.23nC@4V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:46pF@10V
连续漏极电流:500mA
类型:N沟道
导通电阻:630mΩ@200mA,5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TT8K1TR
工作温度:150℃
功率:1W
阈值电压:1V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:260pF@10V
连续漏极电流:2.5A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:72mΩ@2.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM6L36FE,LM
工作温度:150℃
功率:150mW
阈值电压:1V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:46pF@10V
连续漏极电流:500mA€330mA
类型:N和P沟道
导通电阻:630mΩ@200mA,5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ6C050UNTR
工作温度:150℃
功率:1.25W
阈值电压:1V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:900pF@10V
连续漏极电流:5A
类型:N沟道
导通电阻:30mΩ@5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存: