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    GIGADEVICE Mosfet场效应管 SSM3J35CT,L3F
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 SSM3J35CT,L3F

    品牌:GIGADEVICE

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM3J35CT,L3F

    工作温度:150℃

    功率:100mW

    阈值电压:1V@1mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:12.2pF@3V

    连续漏极电流:100mA

    类型:P沟道

    导通电阻:8Ω@50mA,4V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:13
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 SSM6J801R,LF
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 SSM6J801R,LF

    品牌:GIGADEVICE

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM6J801R,LF

    工作温度:150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:1V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12.8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:840pF@10V

    连续漏极电流:6A

    类型:P沟道

    导通电阻:32.5mΩ@3A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:9
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 SSM6J801R,LF
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 SSM6J801R,LF

    品牌:GIGADEVICE

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM6J801R,LF

    工作温度:150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:1V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12.8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:840pF@10V

    连续漏极电流:6A

    类型:P沟道

    导通电阻:32.5mΩ@3A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:9
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 SSM6J801R,LF
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 SSM6J801R,LF

    品牌:GIGADEVICE

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM6J801R,LF

    工作温度:150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:1V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12.8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:840pF@10V

    连续漏极电流:6A

    类型:P沟道

    导通电阻:32.5mΩ@3A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 SSM6J801R,LF
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 SSM6J801R,LF

    品牌:GIGADEVICE

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM6J801R,LF

    工作温度:150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:1V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12.8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:840pF@10V

    连续漏极电流:6A

    类型:P沟道

    导通电阻:32.5mΩ@3A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:13
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 SSM6J801R,LF
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 SSM6J801R,LF

    品牌:GIGADEVICE

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM6J801R,LF

    工作温度:150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:1V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12.8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:840pF@10V

    连续漏极电流:6A

    类型:P沟道

    导通电阻:32.5mΩ@3A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 SSM6J801R,LF
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 SSM6J801R,LF

    品牌:GIGADEVICE

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM6J801R,LF

    工作温度:150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:1V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12.8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:840pF@10V

    连续漏极电流:6A

    类型:P沟道

    导通电阻:32.5mΩ@3A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:13
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 SSM3J35CT,L3F
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 SSM3J35CT,L3F

    品牌:GIGADEVICE

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM3J35CT,L3F

    工作温度:150℃

    功率:100mW

    阈值电压:1V@1mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:12.2pF@3V

    连续漏极电流:100mA

    类型:P沟道

    导通电阻:8Ω@50mA,4V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5000
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 SSM3J355R,LF 起订6个装
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 SSM3J355R,LF 起订6个装

    品牌:GIGADEVICE

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM3J355R,LF

    工作温度:150℃

    功率:1W

    阈值电压:1V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:16.6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1030pF@10V

    连续漏极电流:6A

    类型:P沟道

    导通电阻:30.1mΩ@4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:6
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 SSM6J801R,LF
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 SSM6J801R,LF

    品牌:GIGADEVICE

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM6J801R,LF

    工作温度:150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:1V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12.8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:840pF@10V

    连续漏极电流:6A

    类型:P沟道

    导通电阻:32.5mΩ@3A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 SSM6J801R,LF
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 SSM6J801R,LF

    品牌:GIGADEVICE

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM6J801R,LF

    工作温度:150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:1V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12.8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:840pF@10V

    连续漏极电流:6A

    类型:P沟道

    导通电阻:32.5mΩ@3A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 SSM6J801R,LF
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 SSM6J801R,LF

    品牌:GIGADEVICE

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM6J801R,LF

    工作温度:150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:1V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12.8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:840pF@10V

    连续漏极电流:6A

    类型:P沟道

    导通电阻:32.5mΩ@3A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 SSM6J801R,LF
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 SSM6J801R,LF

    品牌:GIGADEVICE

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM6J801R,LF

    工作温度:150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:1V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12.8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:840pF@10V

    连续漏极电流:6A

    类型:P沟道

    导通电阻:32.5mΩ@3A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 SSM3J35CT,L3F
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 SSM3J35CT,L3F

    品牌:GIGADEVICE

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM3J35CT,L3F

    工作温度:150℃

    功率:100mW

    阈值电压:1V@1mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:12.2pF@3V

    连续漏极电流:100mA

    类型:P沟道

    导通电阻:8Ω@50mA,4V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 SSM3J35CT,L3F
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 SSM3J35CT,L3F

    品牌:GIGADEVICE

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM3J35CT,L3F

    工作温度:150℃

    功率:100mW

    阈值电压:1V@1mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:12.2pF@3V

    连续漏极电流:100mA

    类型:P沟道

    导通电阻:8Ω@50mA,4V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:20
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 SSM3J355R,LF
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 SSM3J355R,LF

    品牌:GIGADEVICE

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM3J355R,LF

    工作温度:150℃

    功率:1W

    阈值电压:1V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:16.6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1030pF@10V

    连续漏极电流:6A

    类型:P沟道

    导通电阻:30.1mΩ@4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 SSM3J355R,LF
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 SSM3J355R,LF

    品牌:GIGADEVICE

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM3J355R,LF

    工作温度:150℃

    功率:1W

    阈值电压:1V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:16.6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1030pF@10V

    连续漏极电流:6A

    类型:P沟道

    导通电阻:30.1mΩ@4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 SSM3J355R,LF
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 SSM3J355R,LF

    品牌:GIGADEVICE

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM3J355R,LF

    工作温度:150℃

    功率:1W

    阈值电压:1V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:16.6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1030pF@10V

    连续漏极电流:6A

    类型:P沟道

    导通电阻:30.1mΩ@4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 SSM6J801R,LF
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 SSM6J801R,LF

    品牌:GIGADEVICE

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM6J801R,LF

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:150℃

    功率:1.5W

    类型:P沟道

    阈值电压:1V@1mA

    栅极电荷:12.8nC@4.5V

    漏源电压:20V

    输入电容:840pF@10V

    导通电阻:32.5mΩ@3A,4.5V

    连续漏极电流:6A

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 SSM6J801R,LF
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 SSM6J801R,LF

    品牌:GIGADEVICE

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM6J801R,LF

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:150℃

    功率:1.5W

    类型:P沟道

    阈值电压:1V@1mA

    栅极电荷:12.8nC@4.5V

    漏源电压:20V

    输入电容:840pF@10V

    导通电阻:32.5mΩ@3A,4.5V

    连续漏极电流:6A

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RW1C026ZPT2CR
    ROHM Mosfet场效应管 RW1C026ZPT2CR

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RW1C026ZPT2CR

    工作温度:150℃

    功率:700mW

    阈值电压:1V@1mA

    栅极电荷:10nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1250pF@10V

    连续漏极电流:2.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:70mΩ@2.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:4
    ROHM Mosfet场效应管 RUS100N02TB
    ROHM Mosfet场效应管 RUS100N02TB

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RUS100N02TB

    工作温度:150℃

    功率:2W

    阈值电压:1V@1mA

    栅极电荷:24nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2250pF@10V

    连续漏极电流:10A

    类型:N沟道

    导通电阻:12mΩ@10A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:7
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM6J213FE(TE85L,F
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM6J213FE(TE85L,F

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM6J213FE(TE85L,F

    工作温度:150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1V@1mA

    栅极电荷:4.7nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:290pF@10V

    连续漏极电流:2.6A

    类型:P沟道

    导通电阻:103mΩ@1.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:8
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM3J135TU,LF
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM3J135TU,LF

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM3J135TU,LF

    工作温度:150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:4.6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:270pF@10V

    连续漏极电流:3A

    类型:P沟道

    导通电阻:103mΩ@1A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:6
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM6N56FE,LM
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM6N56FE,LM

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM6N56FE,LM

    工作温度:150℃

    功率:150mW

    阈值电压:1V@1mA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:55pF@10V

    连续漏极电流:800mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:235mΩ@800mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:22
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM6L14FE(TE85L,F)
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM6L14FE(TE85L,F)

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM6L14FE(TE85L,F)

    工作温度:150℃

    功率:150mW

    阈值电压:1V@1mA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:90pF@10V€110pF@10V

    连续漏极电流:800mA€720mA

    类型:N和P沟道

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:6
    加购:5
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM3K36FS,LF
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM3K36FS,LF

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM3K36FS,LF

    工作温度:150℃

    功率:150mW

    阈值电压:1V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.23nC@4V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:46pF@10V

    连续漏极电流:500mA

    类型:N沟道

    导通电阻:630mΩ@200mA,5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:12
    ROHM Mosfet场效应管 TT8K1TR
    ROHM Mosfet场效应管 TT8K1TR

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TT8K1TR

    工作温度:150℃

    功率:1W

    阈值电压:1V@1mA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:260pF@10V

    连续漏极电流:2.5A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:72mΩ@2.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM6L36FE,LM 起订7个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM6L36FE,LM 起订7个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM6L36FE,LM

    工作温度:150℃

    功率:150mW

    阈值电压:1V@1mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:46pF@10V

    连续漏极电流:500mA€330mA

    类型:N和P沟道

    导通电阻:630mΩ@200mA,5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:7
    ROHM Mosfet场效应管 RQ6C050UNTR 起订4个装
    ROHM Mosfet场效应管 RQ6C050UNTR 起订4个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RQ6C050UNTR

    工作温度:150℃

    功率:1.25W

    阈值电压:1V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:900pF@10V

    连续漏极电流:5A

    类型:N沟道

    导通电阻:30mΩ@5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:4
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