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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RUS100N02TB
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：1V@1mA
栅极电荷：24nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2250pF@10V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：12mΩ@10A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K36FS，LF
工作温度：150℃
功率：150mW
阈值电压：1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.23nC@4V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：46pF@10V
连续漏极电流：500mA
类型：N沟道
导通电阻：630mΩ@200mA，5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ6C050UNTR
工作温度：150℃
功率：1.25W
阈值电压：1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：900pF@10V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：30mΩ@5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K37CT，L3F
工作温度：150℃
功率：100mW
阈值电压：1V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：12pF@10V
连续漏极电流：200mA
类型：N沟道
导通电阻：2.2Ω@100mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RUM002N02T2L
工作温度：150℃
功率：150mW
阈值电压：1V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：25pF@10V
连续漏极电流：200mA
类型：N沟道
导通电阻：1.2Ω@200mA，2.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K37CT，L3F
工作温度：150℃
功率：100mW
阈值电压：1V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：12pF@10V
连续漏极电流：200mA
类型：N沟道
导通电阻：2.2Ω@100mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RUF020N02TL
工作温度：150℃
功率：320mW
阈值电压：1V@1mA
栅极电荷：2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：180pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：105mΩ@2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TOREX
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：XP151A13A0MR-G
工作温度：150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：220pF@10V
连续漏极电流：1A
类型：N沟道
导通电阻：100mΩ@500mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：RUM003N02T2L
工作温度：150℃
功率：150mW
阈值电压：1V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：25pF@10V
连续漏极电流：300mA
类型：N沟道
导通电阻：1Ω@300mA，4V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K56CT，L3F
工作温度：150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@1mA
栅极电荷：1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：55pF@10V
连续漏极电流：800mA
类型：N沟道
导通电阻：235mΩ@800mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TOREX
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：XP151A13A0MR-G
工作温度：150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：220pF@10V
连续漏极电流：1A
类型：N沟道
导通电阻：100mΩ@500mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TOREX
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：XP151A13A0MR-G
工作温度：150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：220pF@10V
连续漏极电流：1A
类型：N沟道
导通电阻：100mΩ@500mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K123TU，LF
工作温度：150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@1mA
栅极电荷：13.6nC@4V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1010pF@10V
连续漏极电流：4.2A
类型：N沟道
导通电阻：28mΩ@3A，4V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K56CT，L3F
工作温度：150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：55pF@10V
连续漏极电流：800mA
类型：N沟道
导通电阻：235mΩ@800mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RUM003N02T2L
工作温度：150℃
功率：150mW
阈值电压：1V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：25pF@10V
连续漏极电流：300mA
类型：N沟道
导通电阻：1Ω@300mA，4V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K122TU，LF
工作温度：150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.4nC@4V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：195pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：123mΩ@1A，4V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RUS100N02TB
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：1V@1mA
栅极电荷：24nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2250pF@10V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：12mΩ@10A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K56CT，L3F
工作温度：150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：55pF@10V
连续漏极电流：800mA
类型：N沟道
导通电阻：235mΩ@800mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K37FS，LF
工作温度：150℃
功率：100mW
阈值电压：1V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：12pF@10V
连续漏极电流：200mA
类型：N沟道
导通电阻：2.2Ω@100mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K37FS，LF
工作温度：150℃
功率：100mW
阈值电压：1V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：12pF@10V
连续漏极电流：200mA
类型：N沟道
导通电阻：2.2Ω@100mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：RUE002N02TL
工作温度：150℃
功率：150mW
阈值电压：1V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：25pF@10V
连续漏极电流：200mA
类型：N沟道
导通电阻：1.2Ω@200mA，2.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RUF015N02TL
工作温度：150℃
功率：800mW
阈值电压：1V@1mA
栅极电荷：2.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：110pF@10V
连续漏极电流：1.5A
类型：N沟道
导通电阻：180mΩ@1.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K56ACT，L3F
工作温度：150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：55pF@10V
连续漏极电流：1.4A
类型：N沟道
导通电阻：235mΩ@800mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K35CT，L3F
工作温度：150℃
功率：100mW
阈值电压：1V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：9.5pF@3V
连续漏极电流：180mA
类型：N沟道
导通电阻：3Ω@50mA，4V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RUF015N02TL
工作温度：150℃
功率：800mW
阈值电压：1V@1mA
栅极电荷：2.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：110pF@10V
连续漏极电流：1.5A
类型：N沟道
导通电阻：180mΩ@1.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RE1C002UNTCL
工作温度：150℃
功率：150mW
阈值电压：1V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：25pF@10V
连续漏极电流：200mA
类型：N沟道
导通电阻：1.2Ω@100mA，2.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RUS100N02TB
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：1V@1mA
栅极电荷：24nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2250pF@10V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：12mΩ@10A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K37MFV，L3F
工作温度：150℃
功率：150mW
阈值电压：1V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：12pF@10V
连续漏极电流：250mA
类型：N沟道
导通电阻：2.2Ω@100mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RE1C002UNTCL
工作温度：150℃
功率：150mW
阈值电压：1V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：25pF@10V
连续漏极电流：200mA
类型：N沟道
导通电阻：1.2Ω@100mA，2.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RUF015N02TL
工作温度：150℃
功率：800mW
阈值电压：1V@1mA
栅极电荷：2.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：110pF@10V
连续漏极电流：1.5A
类型：N沟道
导通电阻：180mΩ@1.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
