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品牌：GIGADEVICE
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3J35CT，L3F
工作温度：150℃
功率：100mW
阈值电压：1V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：12.2pF@3V
连续漏极电流：100mA
类型：P沟道
导通电阻：8Ω@50mA，4V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：GIGADEVICE
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6J801R，LF
工作温度：150℃
功率：1.5W
阈值电压：1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：840pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：P沟道
导通电阻：32.5mΩ@3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：GIGADEVICE
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6J801R，LF
工作温度：150℃
功率：1.5W
阈值电压：1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：840pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：P沟道
导通电阻：32.5mΩ@3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：GIGADEVICE
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6J801R，LF
工作温度：150℃
功率：1.5W
阈值电压：1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：840pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：P沟道
导通电阻：32.5mΩ@3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：GIGADEVICE
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6J801R，LF
工作温度：150℃
功率：1.5W
阈值电压：1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：840pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：P沟道
导通电阻：32.5mΩ@3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：GIGADEVICE
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6J801R，LF
工作温度：150℃
功率：1.5W
阈值电压：1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：840pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：P沟道
导通电阻：32.5mΩ@3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：GIGADEVICE
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6J801R，LF
工作温度：150℃
功率：1.5W
阈值电压：1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：840pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：P沟道
导通电阻：32.5mΩ@3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：GIGADEVICE
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3J35CT，L3F
工作温度：150℃
功率：100mW
阈值电压：1V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：12.2pF@3V
连续漏极电流：100mA
类型：P沟道
导通电阻：8Ω@50mA，4V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：GIGADEVICE
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3J355R，LF
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1030pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：P沟道
导通电阻：30.1mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：GIGADEVICE
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6J801R，LF
工作温度：150℃
功率：1.5W
阈值电压：1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：840pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：P沟道
导通电阻：32.5mΩ@3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：GIGADEVICE
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6J801R，LF
工作温度：150℃
功率：1.5W
阈值电压：1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：840pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：P沟道
导通电阻：32.5mΩ@3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：GIGADEVICE
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6J801R，LF
工作温度：150℃
功率：1.5W
阈值电压：1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：840pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：P沟道
导通电阻：32.5mΩ@3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：GIGADEVICE
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6J801R，LF
工作温度：150℃
功率：1.5W
阈值电压：1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：840pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：P沟道
导通电阻：32.5mΩ@3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：GIGADEVICE
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3J35CT，L3F
工作温度：150℃
功率：100mW
阈值电压：1V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：12.2pF@3V
连续漏极电流：100mA
类型：P沟道
导通电阻：8Ω@50mA，4V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：GIGADEVICE
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3J35CT，L3F
工作温度：150℃
功率：100mW
阈值电压：1V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：12.2pF@3V
连续漏极电流：100mA
类型：P沟道
导通电阻：8Ω@50mA，4V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：GIGADEVICE
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3J355R，LF
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1030pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：P沟道
导通电阻：30.1mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：GIGADEVICE
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3J355R，LF
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1030pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：P沟道
导通电阻：30.1mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：GIGADEVICE
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3J355R，LF
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1030pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：P沟道
导通电阻：30.1mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：GIGADEVICE
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6J801R，LF
包装方式：卷带（TR）
工作温度：150℃
功率：1.5W
类型：P沟道
阈值电压：1V@1mA
栅极电荷：12.8nC@4.5V
漏源电压：20V
输入电容：840pF@10V
导通电阻：32.5mΩ@3A，4.5V
连续漏极电流：6A
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：GIGADEVICE
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6J801R，LF
包装方式：卷带（TR）
工作温度：150℃
功率：1.5W
类型：P沟道
阈值电压：1V@1mA
栅极电荷：12.8nC@4.5V
漏源电压：20V
输入电容：840pF@10V
导通电阻：32.5mΩ@3A，4.5V
连续漏极电流：6A
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RW1C026ZPT2CR
工作温度：150℃
功率：700mW
阈值电压：1V@1mA
栅极电荷：10nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1250pF@10V
连续漏极电流：2.5A
类型：P沟道
导通电阻：70mΩ@2.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6J213FE(TE85L，F
工作温度：150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@1mA
栅极电荷：4.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：290pF@10V
连续漏极电流：2.6A
类型：P沟道
导通电阻：103mΩ@1.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3J135TU，LF
工作温度：150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：270pF@10V
连续漏极电流：3A
类型：P沟道
导通电阻：103mΩ@1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3J328R，LF
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：1V@1mA
栅极电荷：12.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：840pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：P沟道
导通电阻：29.8mΩ@3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3J145TU，LF
工作温度：150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@1mA
栅极电荷：4.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：270pF@10V
连续漏极电流：3A
类型：P沟道
导通电阻：103mΩ@1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3J145TU，LF
工作温度：150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@1mA
栅极电荷：4.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：270pF@10V
连续漏极电流：3A
类型：P沟道
导通电阻：103mΩ@1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6J501NU，LF
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：29.9nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2600pF@10V
连续漏极电流：10A
类型：P沟道
导通电阻：15.3mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6J501NU，LF
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：29.9nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2600pF@10V
连续漏极电流：10A
类型：P沟道
导通电阻：15.3mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6J501NU，LF
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：1V@1mA
栅极电荷：29.9nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2600pF@10V
连续漏极电流：10A
类型：P沟道
导通电阻：15.3mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3J133TU，LF
工作温度：150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：840pF@10V
连续漏极电流：5.5A
类型：P沟道
导通电阻：29.8mΩ@3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
