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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TT8K1TR
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：1V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：260pF@10V
连续漏极电流：2.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：72mΩ@2.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6N57NU，LF
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：1V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：310pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：46mΩ@2A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6N57NU，LF
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：1V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：310pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：46mΩ@2A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6N57NU，LF
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：1V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：310pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：46mΩ@2A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6N57NU，LF
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：1V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：310pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：46mΩ@2A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：US6K4TR
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：1V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：110pF@10V
连续漏极电流：1.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：180mΩ@1.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6N58NU，LF
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：1V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：129pF@15V
连续漏极电流：4A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：84mΩ@2A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6N57NU，LF
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：1V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：310pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：46mΩ@2A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6N58NU，LF
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：1V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：129pF@15V
连续漏极电流：4A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：84mΩ@2A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TT8K1TR
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：1V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：260pF@10V
连续漏极电流：2.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：72mΩ@2.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6N57NU，LF
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：1V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：310pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：46mΩ@2A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TT8K1TR
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：1V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：260pF@10V
连续漏极电流：2.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：72mΩ@2.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TT8K1TR
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：1V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：260pF@10V
连续漏极电流：2.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：72mΩ@2.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：US6K4TR
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：1V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：110pF@10V
连续漏极电流：1.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：180mΩ@1.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6N57NU，LF
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：1V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：310pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：46mΩ@2A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：US6K4TR
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：1V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：110pF@10V
连续漏极电流：1.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：180mΩ@1.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6N58NU，LF
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：1V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：129pF@15V
连续漏极电流：4A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：84mΩ@2A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：US6K4TR
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：1V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：110pF@10V
连续漏极电流：1.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：180mΩ@1.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：US6K4TR
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：1V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：110pF@10V
连续漏极电流：1.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：180mΩ@1.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：TT8K1TR
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：1V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：260pF@10V
连续漏极电流：2.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：72mΩ@2.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6N57NU，LF
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：1V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：310pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：46mΩ@2A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6N57NU，LF
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：1V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：310pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：46mΩ@2A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6N57NU，LF
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：1V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：310pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：46mΩ@2A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TT8K1TR
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：1V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：260pF@10V
连续漏极电流：2.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：72mΩ@2.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：US6K4TR
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：1V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：110pF@10V
连续漏极电流：1.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：180mΩ@1.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：TT8K1TR
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：1V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：260pF@10V
连续漏极电流：2.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：72mΩ@2.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：US6K4TR
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：1V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：110pF@10V
连续漏极电流：1.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：180mΩ@1.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：US6K4TR
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：1V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：110pF@10V
连续漏极电流：1.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：180mΩ@1.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TT8K1TR
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：1V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：260pF@10V
连续漏极电流：2.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：72mΩ@2.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：US6K4TR
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：1V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：110pF@10V
连续漏极电流：1.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：180mΩ@1.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
