品牌:GIGADEVICE
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3J355R,LF
工作温度:150℃
功率:1W
阈值电压:1V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1030pF@10V
连续漏极电流:6A
类型:P沟道
导通电阻:30.1mΩ@4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:GIGADEVICE
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3J355R,LF
工作温度:150℃
功率:1W
阈值电压:1V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1030pF@10V
连续漏极电流:6A
类型:P沟道
导通电阻:30.1mΩ@4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:GIGADEVICE
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3J355R,LF
工作温度:150℃
功率:1W
阈值电压:1V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1030pF@10V
连续漏极电流:6A
类型:P沟道
导通电阻:30.1mΩ@4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:GIGADEVICE
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3J355R,LF
工作温度:150℃
功率:1W
阈值电压:1V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1030pF@10V
连续漏极电流:6A
类型:P沟道
导通电阻:30.1mΩ@4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3J338R,LF
包装方式:卷带(TR)
工作温度:150℃
输入电容:1400pF@6V
类型:P沟道
阈值电压:1V@1mA
漏源电压:12V
导通电阻:17.6mΩ@6A,8V
功率:1W
连续漏极电流:6A
栅极电荷:19.5nC@4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3J328R,LF
包装方式:卷带(TR)
工作温度:150℃
类型:P沟道
阈值电压:1V@1mA
栅极电荷:12.8nC@4.5V
导通电阻:29.8mΩ@3A,4.5V
漏源电压:20V
输入电容:840pF@10V
功率:1W
连续漏极电流:6A
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM6J501NU,LF
输入电容:2600pF@10V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:10A
工作温度:150℃
类型:P沟道
阈值电压:1V@1mA
导通电阻:15.3mΩ@4A,4.5V
漏源电压:20V
功率:1W
ECCN:EAR99
栅极电荷:29.9nC@4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM6J422TU,LF
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:4A
工作温度:150℃
类型:P沟道
阈值电压:1V@1mA
栅极电荷:12.8nC@4.5V
导通电阻:42.7mΩ@3A,4.5V
漏源电压:20V
输入电容:840pF@10V
功率:1W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3J358R,LF
栅极电荷:38.5nC@8V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:150℃
类型:P沟道
阈值电压:1V@1mA
漏源电压:20V
功率:1W
连续漏极电流:6A
导通电阻:22.1mΩ@6A,8V
输入电容:1331pF@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RZR040P01TL
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2350pF@6V
连续漏极电流:4A
工作温度:150℃
栅极电荷:30nC@4.5V
类型:P沟道
阈值电压:1V@1mA
漏源电压:12V
功率:1W
导通电阻:30mΩ@4A,4.5V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM6G18NU,LF
包装方式:卷带(TR)
工作温度:150℃
连续漏极电流:2A
栅极电荷:4.6nC@4.5V
类型:P沟道
阈值电压:1V@1mA
漏源电压:20V
功率:1W
输入电容:270pF@10V
导通电阻:112mΩ@1A,4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3J331R,LF
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:4A
栅极电荷:10.4nC@4.5V
工作温度:150℃
输入电容:630pF@10V
导通电阻:55mΩ@3A,4.5V
类型:P沟道
阈值电压:1V@1mA
漏源电压:20V
功率:1W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RZR025P01TL
包装方式:卷带(TR)
工作温度:150℃
导通电阻:61mΩ@2.5A,4.5V
输入电容:1350pF@6V
栅极电荷:13nC@4.5V
类型:P沟道
阈值电压:1V@1mA
漏源电压:12V
功率:1W
连续漏极电流:2.5A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:汽车,工业
销售单位:个
规格型号(MPN):RZR040P01TL
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2350pF@6V
连续漏极电流:4A
工作温度:150℃
栅极电荷:30nC@4.5V
类型:P沟道
阈值电压:1V@1mA
漏源电压:12V
功率:1W
导通电阻:30mΩ@4A,4.5V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3J358R,LF
栅极电荷:38.5nC@8V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:150℃
类型:P沟道
阈值电压:1V@1mA
漏源电压:20V
功率:1W
连续漏极电流:6A
ECCN:EAR99
导通电阻:22.1mΩ@6A,8V
输入电容:1331pF@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM6J502NU,LF(T
类型:P沟道
阈值电压:1V@1mA
工作温度:150℃
导通电阻:23.1mΩ@4A,4.5V
输入电容:1800pF@10V
漏源电压:20V
功率:1W
连续漏极电流:6A
栅极电荷:24.8nC@4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3J377R,LF
输入电容:290pF@10V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:150℃
连续漏极电流:3.9A
导通电阻:93mΩ@1.5A,4.5V
栅极电荷:4.6nC@4.5V
类型:P沟道
阈值电压:1V@1mA
漏源电压:20V
功率:1W
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM6J412TU,LF
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:4A
工作温度:150℃
类型:P沟道
阈值电压:1V@1mA
栅极电荷:12.8nC@4.5V
导通电阻:42.7mΩ@3A,4.5V
漏源电压:20V
输入电容:840pF@10V
功率:1W
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RZR025P01TL
包装方式:卷带(TR)
工作温度:150℃
导通电阻:61mΩ@2.5A,4.5V
输入电容:1350pF@6V
栅极电荷:13nC@4.5V
类型:P沟道
阈值电压:1V@1mA
漏源电压:12V
功率:1W
连续漏极电流:2.5A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM6J412TU,LF
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:4A
工作温度:150℃
类型:P沟道
阈值电压:1V@1mA
栅极电荷:12.8nC@4.5V
导通电阻:42.7mΩ@3A,4.5V
漏源电压:20V
输入电容:840pF@10V
功率:1W
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RZR025P01TL
包装方式:卷带(TR)
工作温度:150℃
导通电阻:61mΩ@2.5A,4.5V
输入电容:1350pF@6V
栅极电荷:13nC@4.5V
类型:P沟道
阈值电压:1V@1mA
漏源电压:12V
功率:1W
连续漏极电流:2.5A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ5A030APTL
包装方式:卷带(TR)
工作温度:150℃
连续漏极电流:3A
类型:P沟道
阈值电压:1V@1mA
输入电容:2000pF@6V
导通电阻:62mΩ@3A,4.5V
漏源电压:12V
功率:1W
栅极电荷:16nC@4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM6J422TU,LF
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:4A
工作温度:150℃
类型:P沟道
阈值电压:1V@1mA
栅极电荷:12.8nC@4.5V
导通电阻:42.7mΩ@3A,4.5V
漏源电压:20V
输入电容:840pF@10V
功率:1W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3J328R,LF
包装方式:卷带(TR)
工作温度:150℃
类型:P沟道
阈值电压:1V@1mA
栅极电荷:12.8nC@4.5V
导通电阻:29.8mΩ@3A,4.5V
漏源电压:20V
输入电容:840pF@10V
功率:1W
连续漏极电流:6A
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RZL025P01TR
包装方式:卷带(TR)
工作温度:150℃
导通电阻:61mΩ@2.5A,4.5V
输入电容:1350pF@6V
栅极电荷:13nC@4.5V
类型:P沟道
阈值电压:1V@1mA
漏源电压:12V
功率:1W
连续漏极电流:2.5A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RZR025P01TL
包装方式:卷带(TR)
工作温度:150℃
导通电阻:61mΩ@2.5A,4.5V
输入电容:1350pF@6V
栅极电荷:13nC@4.5V
类型:P沟道
阈值电压:1V@1mA
漏源电压:12V
功率:1W
连续漏极电流:2.5A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3J328R,LF
包装方式:卷带(TR)
工作温度:150℃
类型:P沟道
阈值电压:1V@1mA
栅极电荷:12.8nC@4.5V
导通电阻:29.8mΩ@3A,4.5V
漏源电压:20V
输入电容:840pF@10V
功率:1W
连续漏极电流:6A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM6J424TU,LF
包装方式:卷带(TR)
工作温度:150℃
输入电容:1650pF@10V
栅极电荷:23.1nC@4.5V
导通电阻:22.5mΩ@6A,4.5V
类型:P沟道
阈值电压:1V@1mA
漏源电压:20V
功率:1W
连续漏极电流:6A
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RZR020P01TL
工作温度:150℃
功率:1W
阈值电压:1V@1mA
栅极电荷:6.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:770pF@6V
连续漏极电流:2A
类型:P沟道
导通电阻:105mΩ@2A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3J328R,LF
工作温度:150℃
功率:1W
阈值电压:1V@1mA
栅极电荷:12.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:840pF@10V
连续漏极电流:6A
类型:P沟道
导通电阻:29.8mΩ@3A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存: