品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB90R340C3ATMA2
工作温度:-55℃~150℃
功率:208W
阈值电压:3.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:94nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2400pF@100V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:340mΩ@9.2A,10V
漏源电压:900V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):600psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SCT1000N170
工作温度:-55℃~200℃
功率:96W
阈值电压:3.5V@1mA
栅极电荷:13.3nC@20V
包装方式:管件
输入电容:133pF@1000V
连续漏极电流:7A
类型:N沟道
导通电阻:1.3Ω@3A,20V
漏源电压:1700V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):XK1R9F10QB,LXGQ
工作温度:175℃
功率:375W
阈值电压:3.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:184nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:11500pF@10V
连续漏极电流:160A
类型:N沟道
导通电阻:1.92mΩ@80A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK160F10N1L,LQ
工作温度:175℃
功率:375W
阈值电压:3.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:122nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:10100pF@10V
连续漏极电流:160A
类型:N沟道
导通电阻:2.4mΩ@80A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):XK1R9F10QB,LXGQ
工作温度:175℃
功率:375W
阈值电压:3.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:184nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:11500pF@10V
连续漏极电流:160A
类型:N沟道
导通电阻:1.92mΩ@80A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB90R340C3ATMA2
工作温度:-55℃~150℃
功率:208W
阈值电压:3.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:94nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2400pF@100V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:340mΩ@9.2A,10V
漏源电压:900V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SCT20N120
工作温度:-55℃~200℃
功率:175W
阈值电压:3.5V@1mA
栅极电荷:45nC@20V
包装方式:管件
输入电容:650pF@400V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:290mΩ@10A,20V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK160F10N1L,LXGQ
工作温度:175℃
功率:375W
阈值电压:3.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:122nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:10100pF@10V
连续漏极电流:160A
类型:N沟道
导通电阻:2.4mΩ@80A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):XK1R9F10QB,LXGQ
工作温度:175℃
功率:375W
阈值电压:3.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:184nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:11500pF@10V
连续漏极电流:160A
类型:N沟道
导通电阻:1.92mΩ@80A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB90R340C3ATMA2
工作温度:-55℃~150℃
功率:208W
阈值电压:3.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:94nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2400pF@100V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:340mΩ@9.2A,10V
漏源电压:900V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK160F10N1L,LXGQ
工作温度:175℃
功率:375W
阈值电压:3.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:122nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:10100pF@10V
连续漏极电流:160A
类型:N沟道
导通电阻:2.4mΩ@80A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB90R340C3ATMA2
工作温度:-55℃~150℃
功率:208W
阈值电压:3.5V@1mA
栅极电荷:94nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2400pF@100V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:340mΩ@9.2A,10V
漏源电压:900V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):240psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPW90R340C3XKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:208W
阈值电压:3.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:94nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2400pF@100V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:340mΩ@9.2A,10V
漏源电压:900V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):XK1R9F10QB,LXGQ
工作温度:175℃
功率:375W
阈值电压:3.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:184nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:11500pF@10V
连续漏极电流:160A
类型:N沟道
导通电阻:1.92mΩ@80A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK160F10N1L,LXGQ
工作温度:175℃
功率:375W
阈值电压:3.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:122nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:10100pF@10V
连续漏极电流:160A
类型:N沟道
导通电阻:2.4mΩ@80A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":75,"22+":653}
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPP90R340C3XKSA2
工作温度:-55℃~150℃
功率:208W
阈值电压:3.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:94nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2400pF@100V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:340mΩ@9.2A,10V
漏源电压:900V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPH2R408QM,L1Q
工作温度:175℃
功率:3W€210W
阈值电压:3.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:87nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8300pF@40V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:2.43mΩ@50A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPA90R340C3XKSA2
工作温度:-55℃~150℃
功率:35W
阈值电压:3.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:94nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2400pF@100V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:340mΩ@9.2A,10V
漏源电压:900V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPP90R340C3XKSA2
工作温度:-55℃~150℃
功率:208W
阈值电压:3.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:94nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2400pF@100V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:340mΩ@9.2A,10V
漏源电压:900V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPH2R408QM,L1Q
工作温度:175℃
功率:3W€210W
阈值电压:3.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:87nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8300pF@40V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:2.43mΩ@50A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):XK1R9F10QB,LXGQ
工作温度:175℃
功率:375W
阈值电压:3.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:184nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:11500pF@10V
连续漏极电流:160A
类型:N沟道
导通电阻:1.92mΩ@80A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):XK1R9F10QB,LXGQ
工作温度:175℃
功率:375W
阈值电压:3.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:184nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:11500pF@10V
连续漏极电流:160A
类型:N沟道
导通电阻:1.92mΩ@80A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK160F10N1L,LQ
工作温度:175℃
功率:375W
阈值电压:3.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:122nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:10100pF@10V
连续漏极电流:160A
类型:N沟道
导通电阻:2.4mΩ@80A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"19+":810}
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPA90R340C3XKSA2
工作温度:-55℃~150℃
功率:35W
阈值电压:3.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:94nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2400pF@100V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:340mΩ@9.2A,10V
漏源电压:900V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPA90R340C3XKSA2
工作温度:-55℃~150℃
功率:35W
阈值电压:3.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:94nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2400pF@100V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:340mΩ@9.2A,10V
漏源电压:900V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SCT20N120
工作温度:-55℃~200℃
功率:175W
阈值电压:3.5V@1mA
栅极电荷:45nC@20V
包装方式:管件
输入电容:650pF@400V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:290mΩ@10A,20V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB90R340C3ATMA2
工作温度:-55℃~150℃
功率:208W
阈值电压:3.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:94nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2400pF@100V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:340mΩ@9.2A,10V
漏源电压:900V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SCT20N120
工作温度:-55℃~200℃
功率:175W
阈值电压:3.5V@1mA
栅极电荷:45nC@20V
包装方式:管件
输入电容:650pF@400V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:290mΩ@10A,20V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPH2R408QM,L1Q
工作温度:175℃
功率:3W€210W
阈值电压:3.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:87nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8300pF@40V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:2.43mΩ@50A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPH2R408QM,L1Q
工作温度:175℃
功率:3W€210W
阈值电压:3.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:87nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8300pF@40V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:2.43mΩ@50A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存: