品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):1000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHP15N80AE-GE3
工作温度:-55℃~+155℃
功率:156W
阈值电压:4V
栅极电荷:35nC
包装方式:Tube
连续漏极电流:13A
类型:MOSFET
导通电阻:304mΩ
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):1000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHP15N80AE-GE3
工作温度:-55℃~+155℃
功率:156W
阈值电压:4V
栅极电荷:35nC
包装方式:Tube
连续漏极电流:13A
类型:MOSFET
导通电阻:304mΩ
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):1000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHP15N80AE-GE3
工作温度:-55℃~+155℃
功率:156W
阈值电压:4V
栅极电荷:35nC
包装方式:Tube
连续漏极电流:13A
类型:MOSFET
导通电阻:304mΩ
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):1000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHA21N80AE-GE3
工作温度:-55℃~+155℃
功率:33W
阈值电压:4V
栅极电荷:48nC
包装方式:Tube
连续漏极电流:7.5A
类型:MOSFET
导通电阻:205mΩ
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):1000psc
规格型号(MPN):SIHP15N80AE-GE3
工作温度:-55℃~+155℃
阈值电压:4V
功率:156W
包装方式:Tube
连续漏极电流:13A
栅极电荷:35nC
导通电阻:304mΩ
漏源电压:800V
类型:MOSFET
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):1000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHA17N80AE-GE3
工作温度:-55℃~+155℃
功率:34W
阈值电压:4V
栅极电荷:41nC
包装方式:Tube
连续漏极电流:7A
类型:MOSFET
导通电阻:250mΩ
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):1000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHA17N80AE-GE3
工作温度:-55℃~+155℃
功率:34W
阈值电压:4V
栅极电荷:41nC
包装方式:Tube
连续漏极电流:7A
类型:MOSFET
导通电阻:250mΩ
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):1000psc
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规格型号(MPN):SIHA17N80AE-GE3
工作温度:-55℃~+155℃
功率:34W
阈值电压:4V
栅极电荷:41nC
包装方式:Tube
连续漏极电流:7A
类型:MOSFET
导通电阻:250mΩ
漏源电压:800V
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库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):SIHP15N80AE-GE3
工作温度:-55℃~+155℃
功率:156W
阈值电压:4V
栅极电荷:35nC
包装方式:Tube
连续漏极电流:13A
类型:MOSFET
导通电阻:304mΩ
漏源电压:800V
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行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):1000psc
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规格型号(MPN):SIHA21N80AE-GE3
工作温度:-55℃~+155℃
功率:33W
阈值电压:4V
栅极电荷:48nC
包装方式:Tube
连续漏极电流:7.5A
类型:MOSFET
导通电阻:205mΩ
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
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行业应用:工业,汽车
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包装规格(MPQ):1000psc
规格型号(MPN):SIHP15N80AE-GE3
工作温度:-55℃~+155℃
阈值电压:4V
功率:156W
包装方式:Tube
连续漏极电流:13A
栅极电荷:35nC
导通电阻:304mΩ
漏源电压:800V
类型:MOSFET
包装清单:商品主体 * 1
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行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):1000psc
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规格型号(MPN):SIHA17N80AE-GE3
工作温度:-55℃~+155℃
功率:34W
阈值电压:4V
栅极电荷:41nC
包装方式:Tube
连续漏极电流:7A
类型:MOSFET
导通电阻:250mΩ
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
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