品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+175℃
功率:5W
阈值电压:1.4V@250μA
栅极电荷:41nC@4.5V
输入电容:3.95nF@20V
连续漏极电流:8A
类型:1个P沟道
导通电阻:21mΩ@5A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ANBON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AS3401
功率:1.2W
阈值电压:1.4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:680pF@15V
连续漏极电流:4.4A
类型:1个P沟道
导通电阻:55mΩ@4.4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:蓝箭电子(BLUE ROCKET ELECTRONICS)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BRCS3407MC
功率:1.4W
阈值电压:1.4V@250μA
连续漏极电流:3.5A
类型:1个P沟道
导通电阻:77mΩ@4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ANBON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AS3401
功率:1.2W
阈值电压:1.4V@250μA
栅极电荷:7.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:680pF@15V
连续漏极电流:4.4A
类型:1个P沟道
导通电阻:55mΩ@4.4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:SUPERDIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AP30P30Q-ES
功率:30W
阈值电压:1.4V@250μA
栅极电荷:46nC
输入电容:1.78nF
连续漏极电流:39A
类型:1个P沟道
反向传输电容:200pF
导通电阻:8mΩ@10V,12A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ANBON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AS3401
功率:1.2W
阈值电压:1.4V@250μA
栅极电荷:7.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:680pF@15V
连续漏极电流:4.4A
类型:1个P沟道
导通电阻:55mΩ@4.4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+175℃
功率:5W
阈值电压:1.4V@250μA
栅极电荷:41nC@4.5V
输入电容:3.95nF@20V
连续漏极电流:8A
类型:1个P沟道
导通电阻:21mΩ@5A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+175℃
功率:5W
阈值电压:1.4V@250μA
栅极电荷:41nC@4.5V
输入电容:3.95nF@20V
连续漏极电流:8A
类型:1个P沟道
导通电阻:21mΩ@5A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+175℃
功率:5W
阈值电压:1.4V@250μA
栅极电荷:41nC@4.5V
输入电容:3.95nF@20V
连续漏极电流:8A
类型:1个P沟道
导通电阻:21mΩ@5A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ANBON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AS3401
功率:1.2W
阈值电压:1.4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:680pF@15V
连续漏极电流:4.4A
类型:1个P沟道
导通电阻:55mΩ@4.4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ANBON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AS3401
功率:1.2W
阈值电压:1.4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:680pF@15V
连续漏极电流:4.4A
类型:1个P沟道
导通电阻:55mΩ@4.4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:蓝箭电子(BLUE ROCKET ELECTRONICS)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BRCS3407MC
功率:1.4W
阈值电压:1.4V@250μA
连续漏极电流:3.5A
类型:1个P沟道
导通电阻:77mΩ@4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ANBON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AS3401
功率:1.2W
阈值电压:1.4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:680pF@15V
连续漏极电流:4.4A
类型:1个P沟道
导通电阻:55mΩ@4.4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ANBON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AS3401
功率:1.2W
阈值电压:1.4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:680pF@15V
连续漏极电流:4.4A
类型:1个P沟道
导通电阻:55mΩ@4.4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ANBON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AS3401
功率:1.2W
阈值电压:1.4V@250μA
栅极电荷:7.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:680pF@15V
连续漏极电流:4.4A
类型:1个P沟道
导通电阻:55mΩ@4.4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:蓝箭电子(BLUE ROCKET ELECTRONICS)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BRCS3407MC
功率:1.4W
阈值电压:1.4V@250μA
连续漏极电流:3.5A
类型:1个P沟道
导通电阻:77mΩ@4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ANBON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AS3401
功率:1.2W
阈值电压:1.4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:680pF@15V
连续漏极电流:4.4A
类型:1个P沟道
导通电阻:55mΩ@4.4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:SUPERDIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ESN7409
功率:30W
阈值电压:1.4V@250μA
栅极电荷:46nC
输入电容:1.78nF
连续漏极电流:39A
类型:1个P沟道
反向传输电容:200pF
导通电阻:8mΩ@10V,12A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:SUPERDIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ESN7409
功率:30W
阈值电压:1.4V@250μA
栅极电荷:46nC
输入电容:1.78nF
连续漏极电流:39A
类型:1个P沟道
反向传输电容:200pF
导通电阻:8mΩ@10V,12A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:蓝箭电子(BLUE ROCKET ELECTRONICS)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BRCS3407MC
阈值电压:1.4V@250μA
导通电阻:77mΩ@4.5V
功率:1.4W
漏源电压:30V
连续漏极电流:3.5A
类型:1个P沟道
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ANBON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AS3401
阈值电压:1.4V@250μA
栅极电荷:7.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
输入电容:680pF@15V
功率:1.2W
导通电阻:55mΩ@4.4A,10V
连续漏极电流:4.4A
ECCN:EAR99
类型:1个P沟道
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ANBON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AS3401
阈值电压:1.4V@250μA
栅极电荷:7.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
输入电容:680pF@15V
功率:1.2W
导通电阻:55mΩ@4.4A,10V
连续漏极电流:4.4A
ECCN:EAR99
类型:1个P沟道
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:宏迦橙
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):HL3401A
工作温度:-55℃~+150℃
功率:350mW
阈值电压:1.4V@250μA
栅极电荷:22nC@10V
输入电容:1.04nF@15V
连续漏极电流:4.2A
类型:1个P沟道
反向传输电容:68pF@15V
导通电阻:55mΩ@10V,4.2A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:宏迦橙
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):HL3401A
工作温度:-55℃~+150℃
功率:350mW
阈值电压:1.4V@250μA
栅极电荷:22nC@10V
输入电容:1.04nF@15V
连续漏极电流:4.2A
类型:1个P沟道
反向传输电容:68pF@15V
导通电阻:55mΩ@10V,4.2A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ANBON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AS3401
功率:1.2W
阈值电压:1.4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:680pF@15V
连续漏极电流:4.4A
类型:1个P沟道
导通电阻:55mΩ@4.4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:宏迦橙
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):HL3401A
工作温度:-55℃~+150℃
功率:350mW
阈值电压:1.4V@250μA
栅极电荷:22nC@10V
输入电容:1.04nF@15V
连续漏极电流:4.2A
类型:1个P沟道
反向传输电容:68pF@15V
导通电阻:55mΩ@10V,4.2A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:SUPERDIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AP30P30Q-ES
功率:30W
阈值电压:1.4V@250μA
栅极电荷:46nC
输入电容:1.78nF
连续漏极电流:39A
类型:1个P沟道
反向传输电容:200pF
导通电阻:8mΩ@10V,12A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:SUPERDIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AP30P30Q-ES
功率:30W
阈值电压:1.4V@250μA
栅极电荷:46nC
输入电容:1.78nF
连续漏极电流:39A
类型:1个P沟道
反向传输电容:200pF
导通电阻:8mΩ@10V,12A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:SUPERDIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ESN7409
功率:30W
阈值电压:1.4V@250μA
栅极电荷:46nC
输入电容:1.78nF
连续漏极电流:39A
类型:1个P沟道
反向传输电容:200pF
导通电阻:8mΩ@10V,12A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:宏迦橙
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):HL3401A
工作温度:-55℃~+150℃
功率:350mW
阈值电压:1.4V@250μA
栅极电荷:22nC@10V
输入电容:1.04nF@15V
连续漏极电流:4.2A
类型:1个P沟道
反向传输电容:68pF@15V
导通电阻:55mΩ@10V,4.2A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: