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    连续漏极电流
    品牌: VISHAY
    阈值电压: 1.4V@250μA
    当前匹配商品:10+
    商品信息
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    价格
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    VISHAY Mosfet场效应管 SIA456DJ-T1-GE3 起订数9000个
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA456DJ-T1-GE3 起订数9000个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIA456DJ-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.5W€19W

    阈值电压:1.4V@250µA

    栅极电荷:14.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:350pF@100V

    连续漏极电流:2.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.38Ω@750mA,4.5V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ3495EV-T1_GE3 起订数100个
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ3495EV-T1_GE3 起订数100个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:5W

    阈值电压:1.4V@250μA

    栅极电荷:41nC@4.5V

    输入电容:3.95nF@20V

    连续漏极电流:8A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:21mΩ@5A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA456DJ-T1-GE3 起订数9000个
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA456DJ-T1-GE3 起订数9000个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    功率:3.5W

    阈值电压:1.4V@250μA

    连续漏极电流:2.6A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:1.38Ω@4.5V,750mA

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA456DJ-T1-GE3 起订数6000个
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA456DJ-T1-GE3 起订数6000个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIA456DJ-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.5W€19W

    阈值电压:1.4V@250µA

    栅极电荷:14.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:350pF@100V

    连续漏极电流:2.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.38Ω@750mA,4.5V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ3495EV-T1_GE3 起订数50个
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ3495EV-T1_GE3 起订数50个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:5W

    阈值电压:1.4V@250μA

    栅极电荷:41nC@4.5V

    输入电容:3.95nF@20V

    连续漏极电流:8A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:21mΩ@5A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ3495EV-T1_GE3 起订数25个
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ3495EV-T1_GE3 起订数25个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:5W

    阈值电压:1.4V@250μA

    栅极电荷:41nC@4.5V

    输入电容:3.95nF@20V

    连续漏极电流:8A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:21mΩ@5A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ3495EV-T1_GE3 起订数10个
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ3495EV-T1_GE3 起订数10个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:5W

    阈值电压:1.4V@250μA

    栅极电荷:41nC@4.5V

    输入电容:3.95nF@20V

    连续漏极电流:8A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:21mΩ@5A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4463BDY-T1-E3 起订数100个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4463BDY-T1-E3 起订数100个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:1.4V@250μA

    栅极电荷:56nC@4.5V

    连续漏极电流:9.8A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:11mΩ@10V,13.7A

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4463BDY-T1-E3 起订数1000个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4463BDY-T1-E3 起订数1000个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:1.4V@250μA

    栅极电荷:56nC@4.5V

    连续漏极电流:9.8A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:11mΩ@10V,13.7A

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1416EDH-T1-GE3 起订数1000个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1416EDH-T1-GE3 起订数1000个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.8W

    阈值电压:1.4V@250μA

    栅极电荷:12nC@10V

    连续漏极电流:3.9A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:58mΩ@10V,3.1A

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4463BDY-T1-E3 起订数10个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4463BDY-T1-E3 起订数10个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:1.4V@250μA

    栅极电荷:56nC@4.5V

    连续漏极电流:9.8A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:11mΩ@10V,13.7A

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7137DP-T1-GE3 起订数100个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7137DP-T1-GE3 起订数100个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:6.25W€104W

    阈值电压:1.4V@250μA

    栅极电荷:585nC@10V

    输入电容:20nF@10V

    连续漏极电流:60A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:1.95mΩ@25A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA456DJ-T1-GE3 起订数12000个
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA456DJ-T1-GE3 起订数12000个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    功率:3.5W

    阈值电压:1.4V@250μA

    连续漏极电流:2.6A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:1.38Ω@4.5V,750mA

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4427BDY-T1-E3 起订数1000个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4427BDY-T1-E3 起订数1000个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:1.4V@250μA

    栅极电荷:70nC@4.5V

    连续漏极电流:9.7A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:10.5mΩ@10V,12.6A

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4463BDY-T1-E3 起订数500个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4463BDY-T1-E3 起订数500个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:1.4V@250μA

    栅极电荷:56nC@4.5V

    连续漏极电流:9.8A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:11mΩ@10V,13.7A

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA456DJ-T1-GE3 起订数12000个
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA456DJ-T1-GE3 起订数12000个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    阈值电压:1.4V@250μA

    功率:3.5W

    类型:1个N沟道

    连续漏极电流:2.6A

    导通电阻:1.38Ω@4.5V,750mA

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1416EDH-T1-GE3 起订数1000个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1416EDH-T1-GE3 起订数1000个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    阈值电压:1.4V@250μA

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~+150℃

    类型:1个N沟道

    功率:2.8W

    连续漏极电流:3.9A

    栅极电荷:12nC@10V

    导通电阻:58mΩ@10V,3.1A

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7137DP-T1-GE3 起订数100个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7137DP-T1-GE3 起订数100个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    阈值电压:1.4V@250μA

    功率:6.25W€104W

    连续漏极电流:60A

    导通电阻:1.95mΩ@25A,10V

    工作温度:-55℃~+150℃

    漏源电压:20V

    栅极电荷:585nC@10V

    类型:1个P沟道

    输入电容:20nF@10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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