品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPH2R306NH,L1Q
工作温度:150℃
功率:1.6W€78W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:72nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6100pF@30V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:2.3mΩ@30A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPH2R306NH,L1Q
工作温度:150℃
功率:1.6W€78W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:72nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6100pF@30V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:2.3mΩ@30A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK7M9R9-60EX
工作温度:-55℃~175℃
功率:79W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2007pF@25V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:9.9mΩ@15A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPH4R50ANH,L1Q
工作温度:150℃
功率:1.6W€78W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:58nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5200pF@50V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:4.5mΩ@30A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK7M9R9-60EX
工作温度:-55℃~175℃
功率:79W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2007pF@25V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:9.9mΩ@15A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPH4R008NH,L1Q
工作温度:150℃
功率:1.6W€78W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:59nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5300pF@40V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:4mΩ@30A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN012-100YS,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:130W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:64nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3500pF@50V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:12mΩ@15A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN013-80YS,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:106W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:37nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2420pF@40V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:12.9mΩ@15A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK7M9R9-60EX
工作温度:-55℃~175℃
功率:79W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2007pF@25V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:9.9mΩ@15A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK7M9R9-60EX
工作温度:-55℃~175℃
功率:79W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2007pF@25V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:9.9mΩ@15A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPH4R50ANH,L1Q
工作温度:150℃
功率:1.6W€78W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:58nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5200pF@50V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:4.5mΩ@30A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPH4R50ANH,L1Q
工作温度:150℃
功率:1.6W€78W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:58nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5200pF@50V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:4.5mΩ@30A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPH4R008NH,L1Q
工作温度:150℃
功率:1.6W€78W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:59nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5300pF@40V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:4mΩ@30A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN012-100YS,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:130W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:64nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3500pF@50V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:12mΩ@15A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPH4R008NH,L1Q
工作温度:150℃
功率:1.6W€78W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:59nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5300pF@40V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:4mΩ@30A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPH4R50ANH,L1Q
工作温度:150℃
功率:1.6W€78W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:58nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5200pF@50V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:4.5mΩ@30A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPH4R50ANH,L1Q
工作温度:150℃
功率:1.6W€78W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:58nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5200pF@50V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:4.5mΩ@30A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPH4R008NH,L1Q(M
功率:78W
阈值电压:4V@1mA
连续漏极电流:60A
类型:1个N沟道
导通电阻:4mΩ@10V,30A
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPH4R50ANH,L1Q
工作温度:150℃
功率:1.6W€78W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:58nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5200pF@50V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:4.5mΩ@30A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPH4R008NH,L1Q
工作温度:150℃
功率:1.6W€78W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:59nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5300pF@40V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:4mΩ@30A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN012-100YS,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:130W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:64nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3500pF@50V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:12mΩ@15A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPH4R008NH,L1Q(M
功率:78W
阈值电压:4V@1mA
连续漏极电流:60A
类型:1个N沟道
导通电阻:4mΩ@10V,30A
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK7M9R9-60EX
工作温度:-55℃~175℃
功率:79W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2007pF@25V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:9.9mΩ@15A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN013-80YS,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:106W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:37nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2420pF@40V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:12.9mΩ@15A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN013-80YS,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:106W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:37nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2420pF@40V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:12.9mΩ@15A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPH4R008NH,L1Q(M
功率:78W
阈值电压:4V@1mA
连续漏极电流:60A
类型:1个N沟道
导通电阻:4mΩ@10V,30A
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN013-80YS,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:106W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:37nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2420pF@40V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:12.9mΩ@15A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK7M9R9-60EX
工作温度:-55℃~175℃
功率:79W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2007pF@25V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:9.9mΩ@15A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN012-100YS,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:130W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:64nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3500pF@50V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:12mΩ@15A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN012-100YS,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:130W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:64nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3500pF@50V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:12mΩ@15A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存: