品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):R6015ENXC7G
功率:60W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:40nC@10V
包装方式:管件
输入电容:910pF@25V
连续漏极电流:15A
类型:1个N沟道
导通电阻:290mΩ@6.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):R6015ENXC7G
功率:60W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:40nC@10V
包装方式:管件
输入电容:910pF@25V
连续漏极电流:15A
类型:1个N沟道
导通电阻:290mΩ@6.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):R6024ENXC7G
功率:74W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:70nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1.65nF@25V
连续漏极电流:24A
类型:1个N沟道
导通电阻:165mΩ@11.3A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):R6015ENXC7G
功率:60W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:40nC@10V
包装方式:管件
输入电容:910pF@25V
连续漏极电流:15A
类型:1个N沟道
导通电阻:290mΩ@6.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):R6024ENXC7G
功率:74W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:70nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1.65nF@25V
连续漏极电流:24A
类型:1个N沟道
导通电阻:165mΩ@11.3A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):R6015ENXC7G
功率:60W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:40nC@10V
包装方式:管件
输入电容:910pF@25V
连续漏极电流:15A
类型:1个N沟道
导通电阻:290mΩ@6.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):APT10M19SVRG
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:300nC@10V
包装方式:管件
输入电容:6.12nF@25V
连续漏极电流:75A
类型:1个N沟道
导通电阻:19mΩ@500mA,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):R6015ENXC7G
功率:60W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:40nC@10V
包装方式:管件
输入电容:910pF@25V
连续漏极电流:15A
类型:1个N沟道
导通电阻:290mΩ@6.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):R6015ENXC7G
功率:60W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:40nC@10V
包装方式:管件
输入电容:910pF@25V
连续漏极电流:15A
类型:1个N沟道
导通电阻:290mΩ@6.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):R6024ENXC7G
功率:74W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:70nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1.65nF@25V
连续漏极电流:24A
类型:1个N沟道
导通电阻:165mΩ@11.3A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):R6015ENXC7G
功率:60W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:40nC@10V
包装方式:管件
输入电容:910pF@25V
连续漏极电流:15A
类型:1个N沟道
导通电阻:290mΩ@6.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):R6015ENXC7G
功率:60W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:40nC@10V
包装方式:管件
输入电容:910pF@25V
连续漏极电流:15A
类型:1个N沟道
导通电阻:290mΩ@6.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):R6015ENXC7G
功率:60W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:40nC@10V
包装方式:管件
输入电容:910pF@25V
连续漏极电流:15A
类型:1个N沟道
导通电阻:290mΩ@6.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):R6015ENXC7G
功率:60W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:40nC@10V
包装方式:管件
输入电容:910pF@25V
连续漏极电流:15A
类型:1个N沟道
导通电阻:290mΩ@6.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):R6015ENXC7G
功率:60W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:40nC@10V
包装方式:管件
输入电容:910pF@25V
连续漏极电流:15A
类型:1个N沟道
导通电阻:290mΩ@6.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):R6015ENXC7G
功率:60W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:40nC@10V
包装方式:管件
输入电容:910pF@25V
连续漏极电流:15A
类型:1个N沟道
导通电阻:290mΩ@6.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):R6015ENXC7G
功率:60W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:40nC@10V
包装方式:管件
输入电容:910pF@25V
连续漏极电流:15A
类型:1个N沟道
导通电阻:290mΩ@6.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):R6015ENXC7G
功率:60W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:40nC@10V
包装方式:管件
输入电容:910pF@25V
连续漏极电流:15A
类型:1个N沟道
导通电阻:290mΩ@6.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):R6015ENXC7G
功率:60W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:40nC@10V
包装方式:管件
输入电容:910pF@25V
连续漏极电流:15A
类型:1个N沟道
导通电阻:290mΩ@6.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2SK3566(STA4,Q,M)
功率:40W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:管件
输入电容:470pF@25V
连续漏极电流:2.5A
类型:1个N沟道
导通电阻:6.4Ω@1.5A,10V
漏源电压:900V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2SK3566(STA4,Q,M)
功率:40W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:管件
输入电容:470pF@25V
连续漏极电流:2.5A
类型:1个N沟道
导通电阻:6.4Ω@1.5A,10V
漏源电压:900V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2SK3566(STA4,Q,M)
功率:40W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:管件
输入电容:470pF@25V
连续漏极电流:2.5A
类型:1个N沟道
导通电阻:6.4Ω@1.5A,10V
漏源电压:900V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2SK3566(STA4,Q,M)
功率:40W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:管件
输入电容:470pF@25V
连续漏极电流:2.5A
类型:1个N沟道
导通电阻:6.4Ω@1.5A,10V
漏源电压:900V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2SK3566(STA4,Q,M)
功率:40W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:管件
输入电容:470pF@25V
连续漏极电流:2.5A
类型:1个N沟道
导通电阻:6.4Ω@1.5A,10V
漏源电压:900V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2SK3566(STA4,Q,M)
漏源电压:900V
类型:1个N沟道
功率:40W
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:管件
阈值电压:4V@1mA
输入电容:470pF@25V
连续漏极电流:2.5A
ECCN:EAR99
导通电阻:6.4Ω@1.5A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存: