品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPW4R008NH,L1Q
导通电阻:4mΩ@50A,10V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:150℃
栅极电荷:59nC@10V
类型:N沟道
漏源电压:80V
输入电容:5300pF@40V
功率:800mW€142W
阈值电压:4V@1mA
连续漏极电流:116A
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):800psc
规格型号(MPN):PSMN6R5-80BS,118
输入电容:4461pF@40V
包装方式:卷带(TR)
类型:N沟道
漏源电压:80V
工作温度:-55℃~175℃
导通电阻:6.9mΩ@15A,10V
功率:210W
连续漏极电流:100A
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:71nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK7M27-80EX
包装方式:卷带(TR)
功率:62W
类型:N沟道
漏源电压:80V
栅极电荷:19.5nC@10V
工作温度:-55℃~175℃
输入电容:1306pF@25V
阈值电压:4V@1mA
连续漏极电流:30A
导通电阻:27mΩ@5A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN8R7-80PS,127
功率:170W
类型:N沟道
漏源电压:80V
输入电容:3346pF@40V
连续漏极电流:90A
工作温度:-55℃~175℃
栅极电荷:52nC@10V
导通电阻:8.7mΩ@10A,10V
包装方式:管件
阈值电压:4V@1mA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK7M27-80EX
包装方式:卷带(TR)
功率:62W
类型:N沟道
漏源电压:80V
栅极电荷:19.5nC@10V
工作温度:-55℃~175℃
输入电容:1306pF@25V
阈值电压:4V@1mA
连续漏极电流:30A
ECCN:EAR99
导通电阻:27mΩ@5A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPH4R008NH,L1Q
包装方式:卷带(TR)
工作温度:150℃
栅极电荷:59nC@10V
类型:N沟道
漏源电压:80V
导通电阻:4mΩ@30A,10V
输入电容:5300pF@40V
连续漏极电流:60A
阈值电压:4V@1mA
功率:1.6W€78W
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):800psc
规格型号(MPN):PSMN4R4-80BS,118
输入电容:8400pF@40V
导通电阻:4.5mΩ@25A,10V
包装方式:卷带(TR)
栅极电荷:125nC@10V
类型:N沟道
漏源电压:80V
工作温度:-55℃~175℃
功率:306W
连续漏极电流:100A
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN026-80YS,115
包装方式:卷带(TR)
类型:N沟道
漏源电压:80V
连续漏极电流:34A
工作温度:-55℃~175℃
导通电阻:27.5mΩ@5A,10V
栅极电荷:20nC@10V
阈值电压:4V@1mA
功率:74W
ECCN:EAR99
输入电容:1200pF@40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"22+":2000}
规格型号(MPN):PSMN3R3-80PS,127
功率:338W
类型:N沟道
漏源电压:80V
输入电容:9961pF@40V
工作温度:-55℃~175℃
栅极电荷:139nC@10V
包装方式:管件
阈值电压:4V@1mA
连续漏极电流:120A
ECCN:EAR99
导通电阻:3.3mΩ@25A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK7Y41-80EX
导通电阻:41mΩ@5A,10V
包装方式:卷带(TR)
类型:N沟道
漏源电压:80V
工作温度:-55℃~175℃
栅极电荷:16.4nC@10V
连续漏极电流:25A
阈值电压:4V@1mA
功率:64W
输入电容:1119pF@25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK7Y72-80EX
包装方式:卷带(TR)
功率:45W
输入电容:633pF@25V
类型:N沟道
漏源电压:80V
栅极电荷:9.8nC@10V
工作温度:-55℃~175℃
导通电阻:72mΩ@5A,10V
阈值电压:4V@1mA
连续漏极电流:16A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK7M27-80EX
包装方式:卷带(TR)
功率:62W
类型:N沟道
漏源电压:80V
栅极电荷:19.5nC@10V
工作温度:-55℃~175℃
输入电容:1306pF@25V
阈值电压:4V@1mA
连续漏极电流:30A
导通电阻:27mΩ@5A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":2980}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTAT6H406NT4G
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:175A
类型:N沟道
漏源电压:80V
功率:90W
输入电容:8040pF@40V
阈值电压:4V@1mA
导通电阻:2.9mΩ@50A,10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):800psc
生产批次:{"18+":748}
规格型号(MPN):PSMN5R0-80BS,118
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:5.1mΩ@25A,10V
类型:N沟道
漏源电压:80V
工作温度:-55℃~175℃
连续漏极电流:100A
功率:270W
输入电容:6793pF@40V
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:101nC@10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN026-80YS,115
包装方式:卷带(TR)
类型:N沟道
漏源电压:80V
连续漏极电流:34A
工作温度:-55℃~175℃
导通电阻:27.5mΩ@5A,10V
栅极电荷:20nC@10V
阈值电压:4V@1mA
功率:74W
ECCN:EAR99
输入电容:1200pF@40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):800psc
规格型号(MPN):PSMN017-80BS,118
包装方式:卷带(TR)
类型:N沟道
漏源电压:80V
输入电容:1573pF@40V
工作温度:-55℃~175℃
栅极电荷:26nC@10V
连续漏极电流:50A
导通电阻:17mΩ@10A,10V
功率:103W
阈值电压:4V@1mA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN011-80YS,115
包装方式:卷带(TR)
栅极电荷:45nC@10V
功率:117W
连续漏极电流:67A
类型:N沟道
漏源电压:80V
工作温度:-55℃~175℃
导通电阻:11mΩ@25A,10V
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
输入电容:2800pF@40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPH4R008NH,L1Q
包装方式:卷带(TR)
工作温度:150℃
栅极电荷:59nC@10V
类型:N沟道
漏源电压:80V
导通电阻:4mΩ@30A,10V
输入电容:5300pF@40V
连续漏极电流:60A
阈值电压:4V@1mA
功率:1.6W€78W
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK7Y72-80EX
包装方式:卷带(TR)
功率:45W
输入电容:633pF@25V
类型:N沟道
漏源电压:80V
栅极电荷:9.8nC@10V
工作温度:-55℃~175℃
导通电阻:72mΩ@5A,10V
阈值电压:4V@1mA
连续漏极电流:16A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK7M22-80EX
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:22mΩ@10A,10V
类型:N沟道
漏源电压:80V
栅极电荷:23.9nC@10V
输入电容:1643pF@25V
工作温度:-55℃~175℃
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
连续漏极电流:37A
功率:75W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):800psc
规格型号(MPN):PSMN4R4-80BS,118
输入电容:8400pF@40V
导通电阻:4.5mΩ@25A,10V
包装方式:卷带(TR)
栅极电荷:125nC@10V
类型:N沟道
漏源电压:80V
工作温度:-55℃~175℃
功率:306W
连续漏极电流:100A
阈值电压:4V@1mA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN045-80YS,115
包装方式:卷带(TR)
功率:56W
输入电容:675pF@40V
导通电阻:45mΩ@5A,10V
类型:N沟道
漏源电压:80V
工作温度:-55℃~175℃
栅极电荷:12.5nC@10V
连续漏极电流:24A
阈值电压:4V@1mA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN026-80YS,115
包装方式:卷带(TR)
类型:N沟道
漏源电压:80V
连续漏极电流:34A
工作温度:-55℃~175℃
导通电阻:27.5mΩ@5A,10V
栅极电荷:20nC@10V
阈值电压:4V@1mA
功率:74W
ECCN:EAR99
输入电容:1200pF@40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK7Y41-80EX
导通电阻:41mΩ@5A,10V
包装方式:卷带(TR)
类型:N沟道
漏源电压:80V
工作温度:-55℃~175℃
栅极电荷:16.4nC@10V
连续漏极电流:25A
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
功率:64W
输入电容:1119pF@25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN3R5-80PS,127
功率:338W
类型:N沟道
漏源电压:80V
导通电阻:3.5mΩ@25A,10V
输入电容:9961pF@40V
工作温度:-55℃~175℃
栅极电荷:139nC@10V
包装方式:管件
阈值电压:4V@1mA
连续漏极电流:120A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN045-80YS,115
包装方式:卷带(TR)
功率:56W
输入电容:675pF@40V
导通电阻:45mΩ@5A,10V
类型:N沟道
漏源电压:80V
工作温度:-55℃~175℃
栅极电荷:12.5nC@10V
连续漏极电流:24A
阈值电压:4V@1mA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK7M27-80EX
包装方式:卷带(TR)
功率:62W
类型:N沟道
漏源电压:80V
栅极电荷:19.5nC@10V
工作温度:-55℃~175℃
输入电容:1306pF@25V
阈值电压:4V@1mA
连续漏极电流:30A
ECCN:EAR99
导通电阻:27mΩ@5A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):800psc
规格型号(MPN):PSMN017-80BS,118
包装方式:卷带(TR)
类型:N沟道
漏源电压:80V
输入电容:1573pF@40V
工作温度:-55℃~175℃
栅极电荷:26nC@10V
连续漏极电流:50A
导通电阻:17mΩ@10A,10V
功率:103W
阈值电压:4V@1mA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):800psc
规格型号(MPN):PSMN8R7-80BS,118
包装方式:卷带(TR)
功率:170W
类型:N沟道
漏源电压:80V
输入电容:3346pF@40V
连续漏极电流:90A
工作温度:-55℃~175℃
栅极电荷:52nC@10V
导通电阻:8.7mΩ@10A,10V
阈值电压:4V@1mA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):800psc
规格型号(MPN):PSMN8R7-80BS,118
包装方式:卷带(TR)
功率:170W
类型:N沟道
漏源电压:80V
输入电容:3346pF@40V
连续漏极电流:90A
工作温度:-55℃~175℃
栅极电荷:52nC@10V
导通电阻:8.7mΩ@10A,10V
阈值电压:4V@1mA
包装清单:商品主体 * 1
库存: