品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):10psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTN32P60P
工作温度:-55℃~150℃
功率:890W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:196nC@10V
包装方式:管件
输入电容:11100pF@25V
连续漏极电流:32A
类型:P沟道
导通电阻:350mΩ@500mA,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSP613PH6327XTSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.8W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:33nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:875pF@25V
连续漏极电流:2.9A
类型:P沟道
导通电阻:130mΩ@2.9A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):10psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTN90P20P
工作温度:-55℃~150℃
功率:890W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:205nC@10V
包装方式:管件
输入电容:12000pF@25V
连续漏极电流:90A
类型:P沟道
导通电阻:44mΩ@500mA,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTX90P20P
工作温度:-55℃~150℃
功率:890W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:205nC@10V
包装方式:管件
输入电容:12000pF@25V
连续漏极电流:90A
类型:P沟道
导通电阻:44mΩ@22A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SPD18P06PGBTMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:80W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:33nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:860pF@25V
连续漏极电流:18.6A
类型:P沟道
导通电阻:130mΩ@13.2A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTK90P20P
工作温度:-55℃~150℃
功率:890W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:205nC@10V
包装方式:管件
输入电容:12000pF@25V
连续漏极电流:90A
类型:P沟道
导通电阻:44mΩ@500mA,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTX40P50P
工作温度:-55℃~150℃
功率:890W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:205nC@10V
包装方式:管件
输入电容:11500pF@25V
连续漏极电流:40A
类型:P沟道
导通电阻:230mΩ@20A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SPB18P06PGATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:81.1W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:28nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:860pF@25V
连续漏极电流:18.7A
类型:P沟道
导通电阻:130mΩ@13.2A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SPD18P06PGBTMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:80W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:33nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:860pF@25V
连续漏极电流:18.6A
类型:P沟道
导通电阻:130mΩ@13.2A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSO613SPVGXUMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:875pF@25V
连续漏极电流:3.44A
类型:P沟道
导通电阻:130mΩ@3.44A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTX90P20P
工作温度:-55℃~150℃
功率:890W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:205nC@10V
包装方式:管件
输入电容:12000pF@25V
连续漏极电流:90A
类型:P沟道
导通电阻:44mΩ@22A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SPD18P06PGBTMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:80W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:33nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:860pF@25V
连续漏极电流:18.6A
类型:P沟道
导通电阻:130mΩ@13.2A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTR40P50P
工作温度:-55℃~150℃
功率:312W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:205nC@10V
包装方式:管件
输入电容:11500pF@25V
连续漏极电流:22A
类型:P沟道
导通电阻:260mΩ@20A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTF2955T1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:1W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:14.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:492pF@25V
连续漏极电流:1.7A
类型:P沟道
导通电阻:185mΩ@2.4A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSP613PH6327XTSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.8W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:33nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:875pF@25V
连续漏极电流:2.9A
类型:P沟道
导通电阻:130mΩ@2.9A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSP613PH6327XTSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.8W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:33nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:875pF@25V
连续漏极电流:2.9A
类型:P沟道
导通电阻:130mΩ@2.9A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTF2955T1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:1W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:14.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:492pF@25V
连续漏极电流:1.7A
类型:P沟道
导通电阻:185mΩ@2.4A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SPD18P06PGBTMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:80W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:33nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:860pF@25V
连续漏极电流:18.6A
类型:P沟道
导通电阻:130mΩ@13.2A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SPP18P06PHXKSA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:81.1W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:28nC@10V
包装方式:管件
输入电容:860pF@25V
连续漏极电流:18.7A
类型:P沟道
导通电阻:130mΩ@13.2A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTX40P50P
工作温度:-55℃~150℃
功率:890W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:205nC@10V
包装方式:管件
输入电容:11500pF@25V
连续漏极电流:40A
类型:P沟道
导通电阻:230mΩ@20A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SPP18P06PHXKSA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:81.1W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:28nC@10V
包装方式:管件
输入电容:860pF@25V
连续漏极电流:18.7A
类型:P沟道
导通电阻:130mΩ@13.2A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTX32P60P
工作温度:-55℃~150℃
功率:890W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:196nC@10V
输入电容:11100pF@25V
连续漏极电流:32A
类型:P沟道
导通电阻:350mΩ@16A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSO613SPVGXUMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:875pF@25V
连续漏极电流:3.44A
类型:P沟道
导通电阻:130mΩ@3.44A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSO613SPVGXUMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:875pF@25V
连续漏极电流:3.44A
类型:P沟道
导通电阻:130mΩ@3.44A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTF2955T1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:1W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:14.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:492pF@25V
连续漏极电流:1.7A
类型:P沟道
导通电阻:185mΩ@2.4A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTK90P20P
工作温度:-55℃~150℃
功率:890W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:205nC@10V
包装方式:管件
输入电容:12000pF@25V
连续漏极电流:90A
类型:P沟道
导通电阻:44mΩ@500mA,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTF2955T1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:1W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:14.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:492pF@25V
连续漏极电流:1.7A
类型:P沟道
导通电阻:185mΩ@2.4A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVF2955T1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:1W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:14.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:492pF@25V
连续漏极电流:2.6A
类型:P沟道
导通电阻:170mΩ@750mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTF2955T1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:1W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:14.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:492pF@25V
连续漏极电流:1.7A
类型:P沟道
导通电阻:185mΩ@2.4A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SPP18P06PHXKSA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:81.1W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:28nC@10V
包装方式:管件
输入电容:860pF@25V
连续漏极电流:18.7A
类型:P沟道
导通电阻:130mΩ@13.2A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存: