品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN2R8-40PS,127
工作温度:-55℃~175℃
功率:211W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:71nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4491pF@20V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:2.8mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":4000,"19+":16000}
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK7509-55A,127
工作温度:-55℃~175℃
功率:211W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:62nC@0V
包装方式:管件
输入电容:3271pF@25V
连续漏极电流:75A
类型:N沟道
导通电阻:9mΩ@25A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN2R8-40PS,127
工作温度:-55℃~175℃
功率:211W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:71nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4491pF@20V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:2.8mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN4R6-60BS,118
工作温度:-55℃~175℃
功率:211W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:70.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4426pF@30V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:4.4mΩ@25A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN4R6-60BS,118
工作温度:-55℃~175℃
功率:211W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:70.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4426pF@30V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:4.4mΩ@25A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":3000,"23+":3000,"9999":236,"MI+":1000}
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN9R5-100PS,127
工作温度:-55℃~175℃
功率:211W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:82nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4454pF@50V
连续漏极电流:89A
类型:N沟道
导通电阻:9.6mΩ@15A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":3000,"23+":3000,"9999":236,"MI+":1000}
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN9R5-100PS,127
工作温度:-55℃~175℃
功率:211W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:82nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4454pF@50V
连续漏极电流:89A
类型:N沟道
导通电阻:9.6mΩ@15A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN4R6-60BS,118
工作温度:-55℃~175℃
功率:211W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:70.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4426pF@30V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:4.4mΩ@25A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN2R8-40PS,127
工作温度:-55℃~175℃
功率:211W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:71nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4491pF@20V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:2.8mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN4R6-60BS,118
工作温度:-55℃~175℃
功率:211W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:70.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4426pF@30V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:4.4mΩ@25A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN2R8-40PS,127
工作温度:-55℃~175℃
功率:211W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:71nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4491pF@20V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:2.8mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"23+":3950}
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN2R8-40PS,127
工作温度:-55℃~175℃
功率:211W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:71nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4491pF@20V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:2.8mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":3000,"23+":3000,"9999":236,"MI+":1000}
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN9R5-100PS,127
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功率:211W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
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包装方式:管件
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连续漏极电流:89A
类型:N沟道
导通电阻:9.6mΩ@15A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN4R6-60BS,118
工作温度:-55℃~175℃
功率:211W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
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连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:4.4mΩ@25A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN4R6-60BS,118
工作温度:-55℃~175℃
功率:211W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:70.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4426pF@30V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:4.4mΩ@25A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"17+":2125}
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN2R8-40BS,118
工作温度:-55℃~175℃
功率:211W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:71nC@10V
包装方式:卷带(TR)
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连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:2.9mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN9R5-100BS,118
工作温度:-55℃~175℃
功率:211W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:82nC@10V
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连续漏极电流:89A
类型:N沟道
导通电阻:9.6mΩ@15A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN9R5-100BS,118
工作温度:-55℃~175℃
功率:211W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:82nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4454pF@50V
连续漏极电流:89A
类型:N沟道
导通电阻:9.6mΩ@15A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN4R6-60BS,118
工作温度:-55℃~175℃
功率:211W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:70.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4426pF@30V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:4.4mΩ@25A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"17+":2125}
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN2R8-40BS,118
工作温度:-55℃~175℃
功率:211W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:71nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4491pF@20V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:2.9mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN2R8-40PS,127
工作温度:-55℃~175℃
功率:211W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:71nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4491pF@20V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:2.8mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN4R6-60BS,118
工作温度:-55℃~175℃
功率:211W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:70.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4426pF@30V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:4.4mΩ@25A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"23+":3950}
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN2R8-40PS,127
工作温度:-55℃~175℃
功率:211W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:71nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4491pF@20V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:2.8mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN4R6-60BS,118
工作温度:-55℃~175℃
功率:211W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:70.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4426pF@30V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:4.4mΩ@25A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN4R6-60BS,118
工作温度:-55℃~175℃
功率:211W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:70.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4426pF@30V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:4.4mΩ@25A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN4R6-60BS,118
工作温度:-55℃~175℃
功率:211W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:70.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4426pF@30V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:4.4mΩ@25A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN2R8-40PS,127
工作温度:-55℃~175℃
功率:211W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:71nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4491pF@20V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:2.8mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN4R6-60BS,118
工作温度:-55℃~175℃
功率:211W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:70.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4426pF@30V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:4.4mΩ@25A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"17+":2125}
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN2R8-40BS,118
工作温度:-55℃~175℃
功率:211W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:71nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4491pF@20V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:2.9mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":4000,"19+":16000}
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK7509-55A,127
工作温度:-55℃~175℃
功率:211W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:62nC@0V
包装方式:管件
输入电容:3271pF@25V
连续漏极电流:75A
类型:N沟道
导通电阻:9mΩ@25A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存: