采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"15+"：4765，"MI+"：4000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDBA100N10BT4H
工作温度：175℃
功率：110W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2950pF@50V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：6.9mΩ@50A，15V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN7R0-100BS，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：269W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：125nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6686pF@50V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：6.8mΩ@15A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：1600，"21+"：2911，"23+"：12000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK768R1-100E，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：263W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：108nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7380pF@25V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：8.1mΩ@25A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN5R6-100BS，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：306W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：141nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8061pF@50V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：5.6mΩ@25A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"15+"：4765，"MI+"：4000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDBA100N10BT4H
工作温度：175℃
功率：110W
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ECCN：EAR99
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2950pF@50V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：6.9mΩ@50A，15V
漏源电压：100V
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库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"15+"：4765，"MI+"：4000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDBA100N10BT4H
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类型：N沟道
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漏源电压：100V
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库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDBA100N10BT4H
工作温度：175℃
功率：110W
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类型：N沟道
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漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDBA100N10BT4H
工作温度：175℃
功率：110W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2950pF@50V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：6.9mΩ@50A，15V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN5R6-100BS，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：306W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：141nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8061pF@50V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：5.6mΩ@25A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK768R1-100E，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：263W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：108nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7380pF@25V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：8.1mΩ@25A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK768R1-100E，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：263W
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ECCN：EAR99
栅极电荷：108nC@10V
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输入电容：7380pF@25V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：8.1mΩ@25A，10V
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包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：1600，"21+"：2911，"23+"：12000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK768R1-100E，118
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功率：263W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：108nC@10V
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输入电容：7380pF@25V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：8.1mΩ@25A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN5R6-100BS，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：306W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：141nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8061pF@50V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：5.6mΩ@25A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：1600，"21+"：2911，"23+"：12000}
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规格型号(MPN)：BUK768R1-100E，118
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功率：263W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：108nC@10V
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连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：8.1mΩ@25A，10V
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包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN7R0-100BS，118
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功率：269W
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连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：6.8mΩ@15A，10V
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包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN7R0-100BS，118
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功率：269W
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ECCN：EAR99
栅极电荷：125nC@10V
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类型：N沟道
导通电阻：6.8mΩ@15A，10V
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包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK768R1-100E，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：263W
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ECCN：EAR99
栅极电荷：108nC@10V
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输入电容：7380pF@25V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：8.1mΩ@25A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN7R0-100BS，118
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功率：269W
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ECCN：EAR99
栅极电荷：125nC@10V
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输入电容：6686pF@50V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：6.8mΩ@15A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN7R0-100BS，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：269W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：125nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6686pF@50V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：6.8mΩ@15A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN5R6-100BS，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：306W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：141nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8061pF@50V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：5.6mΩ@25A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"15+"：4765，"MI+"：4000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDBA100N10BT4H
工作温度：175℃
功率：110W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2950pF@50V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：6.9mΩ@50A，15V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK768R1-100E，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：263W
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ECCN：EAR99
栅极电荷：108nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7380pF@25V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：8.1mΩ@25A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN7R0-100BS，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：269W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：125nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6686pF@50V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：6.8mΩ@15A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN5R6-100BS，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：306W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：141nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8061pF@50V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：5.6mΩ@25A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK768R1-100E，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：263W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：108nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7380pF@25V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：8.1mΩ@25A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK768R1-100E，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：263W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：108nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7380pF@25V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：8.1mΩ@25A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK768R1-100E，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：263W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：108nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7380pF@25V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：8.1mΩ@25A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK768R1-100E，118
包装方式：卷带（TR）
功率：263W
输入电容：7380pF@25V
类型：N沟道
工作温度：-55℃~175℃
导通电阻：8.1mΩ@25A，10V
连续漏极电流：100A
栅极电荷：108nC@10V
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK768R1-100E，118
包装方式：卷带（TR）
功率：263W
输入电容：7380pF@25V
类型：N沟道
工作温度：-55℃~175℃
导通电阻：8.1mΩ@25A，10V
连续漏极电流：100A
栅极电荷：108nC@10V
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDBA100N10BT4H
工作温度：175℃
功率：110W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2950pF@50V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：6.9mΩ@50A，15V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
