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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK3878(STA1，E，S)
工作温度：-55℃~+150℃
功率：150W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：60nC@10V
输入电容：2.2nF@25V
连续漏极电流：9A
类型：1个N沟道
反向传输电容：190pF@25V
导通电阻：1Ω@10V，4A
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK3878(STA1，E，S)
工作温度：-55℃~+150℃
功率：150W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：60nC@10V
输入电容：2.2nF@25V
连续漏极电流：9A
类型：1个N沟道
反向传输电容：190pF@25V
导通电阻：1Ω@10V，4A
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK3565(STA4，Q，M)
功率：45W
阈值电压：4V@1mA
连续漏极电流：5A
类型：1个N沟道
导通电阻：2.5Ω@10V，3A
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK3565(STA4，Q，M)
功率：45W
阈值电压：4V@1mA
连续漏极电流：5A
类型：1个N沟道
导通电阻：2.5Ω@10V，3A
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：2SK3565(STA4，Q，M)
功率：45W
阈值电压：4V@1mA
连续漏极电流：5A
类型：1个N沟道
导通电阻：2.5Ω@10V，3A
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK3878(STA1，E，S)
工作温度：-55℃~+150℃
功率：150W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：60nC@10V
输入电容：2.2nF@25V
连续漏极电流：9A
类型：1个N沟道
反向传输电容：190pF@25V
导通电阻：1Ω@10V，4A
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK3565(STA4，Q，M)
功率：45W
阈值电压：4V@1mA
连续漏极电流：5A
类型：1个N沟道
导通电阻：2.5Ω@10V，3A
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK3565(STA4，Q，M)
功率：45W
阈值电压：4V@1mA
连续漏极电流：5A
类型：1个N沟道
导通电阻：2.5Ω@10V，3A
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK3878(STA1，E，S)
栅极电荷：60nC@10V
反向传输电容：190pF@25V
漏源电压：900V
类型：1个N沟道
功率：150W
工作温度：-55℃~+150℃
输入电容：2.2nF@25V
连续漏极电流：9A
阈值电压：4V@1mA
导通电阻：1Ω@10V，4A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK3878(STA1，E，S)
工作温度：-55℃~+150℃
功率：150W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：60nC@10V
输入电容：2.2nF@25V
连续漏极电流：9A
类型：1个N沟道
反向传输电容：190pF@25V
导通电阻：1Ω@10V，4A
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK3566(STA4，Q，M)
功率：40W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：管件
输入电容：470pF@25V
连续漏极电流：2.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：6.4Ω@1.5A，10V
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK3566(STA4，Q，M)
功率：40W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：管件
输入电容：470pF@25V
连续漏极电流：2.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：6.4Ω@1.5A，10V
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK3566(STA4，Q，M)
功率：40W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：管件
输入电容：470pF@25V
连续漏极电流：2.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：6.4Ω@1.5A，10V
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK3566(STA4，Q，M)
功率：40W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：管件
输入电容：470pF@25V
连续漏极电流：2.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：6.4Ω@1.5A，10V
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK3878(STA1，E，S)
工作温度：-55℃~+150℃
功率：150W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：60nC@10V
输入电容：2.2nF@25V
连续漏极电流：9A
类型：1个N沟道
反向传输电容：190pF@25V
导通电阻：1Ω@10V，4A
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK3566(STA4，Q，M)
功率：40W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：管件
输入电容：470pF@25V
连续漏极电流：2.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：6.4Ω@1.5A，10V
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK3566(STA4，Q，M)
漏源电压：900V
类型：1个N沟道
功率：40W
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：管件
阈值电压：4V@1mA
输入电容：470pF@25V
连续漏极电流：2.5A
ECCN：EAR99
导通电阻：6.4Ω@1.5A，10V
包装清单：商品主体 * 1
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