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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS6P100BHTB1
功率：104W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：45nC@10V
输入电容：2.88nF@50V
连续漏极电流：100A
类型：1个N沟道
导通电阻：5.9mΩ@90A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS6P100BHTB1
功率：104W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：45nC@10V
输入电容：2.88nF@50V
连续漏极电流：100A
类型：1个N沟道
导通电阻：5.9mΩ@90A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS6P100BHTB1
功率：104W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：45nC@10V
输入电容：2.88nF@50V
连续漏极电流：100A
类型：1个N沟道
导通电阻：5.9mΩ@90A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS6P100BHTB1
功率：104W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：45nC@10V
输入电容：2.88nF@50V
连续漏极电流：100A
类型：1个N沟道
导通电阻：5.9mΩ@90A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS6P100BHTB1
功率：104W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：45nC@10V
输入电容：2.88nF@50V
连续漏极电流：100A
类型：1个N沟道
导通电阻：5.9mΩ@90A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK100E08N1，S1X(S
功率：255W
阈值电压：4V@1mA
连续漏极电流：100A
类型：1个N沟道
导通电阻：3.2mΩ@10V，50A
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK100E08N1，S1X(S
功率：255W
阈值电压：4V@1mA
连续漏极电流：100A
类型：1个N沟道
导通电阻：3.2mΩ@10V，50A
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK100E08N1，S1X(S
功率：255W
阈值电压：4V@1mA
连续漏极电流：100A
类型：1个N沟道
导通电阻：3.2mΩ@10V，50A
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS6P100BHTB1
功率：104W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：45nC@10V
输入电容：2.88nF@50V
连续漏极电流：100A
类型：1个N沟道
导通电阻：5.9mΩ@90A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK100E10N1，S1X(S
功率：255W
阈值电压：4V@1mA
连续漏极电流：100A
类型：1个N沟道
导通电阻：3.4mΩ@10V，50A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS6P100BHTB1
功率：104W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：45nC@10V
输入电容：2.88nF@50V
连续漏极电流：100A
类型：1个N沟道
导通电阻：5.9mΩ@90A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：RS6P100BHTB1
功率：104W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：45nC@10V
输入电容：2.88nF@50V
连续漏极电流：100A
类型：1个N沟道
导通电阻：5.9mΩ@90A，10V
漏源电压：100V
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK100E10N1，S1X(S
功率：255W
阈值电压：4V@1mA
连续漏极电流：100A
类型：1个N沟道
导通电阻：3.4mΩ@10V，50A
漏源电压：100V
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS6P100BHTB1
功率：104W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：45nC@10V
输入电容：2.88nF@50V
连续漏极电流：100A
类型：1个N沟道
导通电阻：5.9mΩ@90A，10V
漏源电压：100V
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品牌：ROHM
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：RS6P100BHTB1
功率：104W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：45nC@10V
输入电容：2.88nF@50V
连续漏极电流：100A
类型：1个N沟道
导通电阻：5.9mΩ@90A，10V
漏源电压：100V
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS6P100BHTB1
功率：104W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：45nC@10V
输入电容：2.88nF@50V
连续漏极电流：100A
类型：1个N沟道
导通电阻：5.9mΩ@90A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK100E10N1，S1X(S
功率：255W
阈值电压：4V@1mA
连续漏极电流：100A
类型：1个N沟道
导通电阻：3.4mΩ@10V，50A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK100E10N1，S1X(S
功率：255W
阈值电压：4V@1mA
连续漏极电流：100A
类型：1个N沟道
导通电阻：3.4mΩ@10V，50A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK100E10N1，S1X(S
功率：255W
阈值电压：4V@1mA
连续漏极电流：100A
类型：1个N沟道
导通电阻：3.4mΩ@10V，50A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK100E10N1，S1X(S
功率：255W
阈值电压：4V@1mA
连续漏极电流：100A
类型：1个N沟道
导通电阻：3.4mΩ@10V，50A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS6P100BHTB1
功率：104W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：45nC@10V
输入电容：2.88nF@50V
连续漏极电流：100A
类型：1个N沟道
导通电阻：5.9mΩ@90A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：2237
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS6P100BHTB1
功率：104W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：45nC@10V
输入电容：2.88nF@50V
连续漏极电流：100A
类型：1个N沟道
导通电阻：5.9mΩ@90A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK100E08N1，S1X(S
功率：255W
阈值电压：4V@1mA
连续漏极电流：100A
类型：1个N沟道
导通电阻：3.2mΩ@10V，50A
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK100E08N1，S1X(S
功率：255W
阈值电压：4V@1mA
连续漏极电流：100A
类型：1个N沟道
导通电阻：3.2mΩ@10V，50A
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK100E10N1，S1X(S
功率：255W
阈值电压：4V@1mA
连续漏极电流：100A
类型：1个N沟道
导通电阻：3.4mΩ@10V，50A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK100E08N1，S1X(S
功率：255W
阈值电压：4V@1mA
连续漏极电流：100A
类型：1个N沟道
导通电阻：3.2mΩ@10V，50A
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：2237
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS6P100BHTB1
功率：104W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：45nC@10V
输入电容：2.88nF@50V
连续漏极电流：100A
类型：1个N沟道
导通电阻：5.9mΩ@90A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS6P100BHTB1
功率：104W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：45nC@10V
输入电容：2.88nF@50V
连续漏极电流：100A
类型：1个N沟道
导通电阻：5.9mΩ@90A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：2401
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK7Y3R5-40E，115
工作温度：-55℃~+175℃
功率：167W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：49.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3.583nF@25V
连续漏极电流：100A
类型：1个N沟道
导通电阻：3.5mΩ@10V，25A
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：2401
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK7Y3R5-40E，115
工作温度：-55℃~+175℃
功率：167W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：49.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3.583nF@25V
连续漏极电流：100A
类型：1个N沟道
导通电阻：3.5mΩ@10V，25A
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
