品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK7Y4R8-60EX
输入电容:5520pF@25V
功率:238W
包装方式:卷带(TR)
类型:N沟道
漏源电压:60V
工作温度:-55℃~175℃
连续漏极电流:100A
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:73.1nC@10V
导通电阻:4.8mΩ@25A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK7Y4R8-60EX
输入电容:5520pF@25V
功率:238W
包装方式:卷带(TR)
类型:N沟道
漏源电压:60V
工作温度:-55℃~175℃
连续漏极电流:100A
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:73.1nC@10V
ECCN:EAR99
导通电阻:4.8mΩ@25A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):800psc
规格型号(MPN):PSMN6R5-80BS,118
输入电容:4461pF@40V
包装方式:卷带(TR)
类型:N沟道
漏源电压:80V
工作温度:-55℃~175℃
导通电阻:6.9mΩ@15A,10V
功率:210W
连续漏极电流:100A
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:71nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN3R3-40YS,115
包装方式:卷带(TR)
功率:117W
漏源电压:40V
类型:N沟道
栅极电荷:49nC@10V
工作温度:-55℃~175℃
连续漏极电流:100A
阈值电压:4V@1mA
输入电容:2754pF@20V
ECCN:EAR99
导通电阻:3.3mΩ@25A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK7Y4R8-60EX
输入电容:5520pF@25V
功率:238W
包装方式:卷带(TR)
类型:N沟道
漏源电压:60V
工作温度:-55℃~175℃
连续漏极电流:100A
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:73.1nC@10V
ECCN:EAR99
导通电阻:4.8mΩ@25A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):800psc
规格型号(MPN):PSMN4R4-80BS,118
输入电容:8400pF@40V
导通电阻:4.5mΩ@25A,10V
包装方式:卷带(TR)
栅极电荷:125nC@10V
类型:N沟道
漏源电压:80V
工作温度:-55℃~175℃
功率:306W
连续漏极电流:100A
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN3R3-40YS,115
包装方式:卷带(TR)
功率:117W
漏源电压:40V
类型:N沟道
栅极电荷:49nC@10V
工作温度:-55℃~175℃
连续漏极电流:100A
阈值电压:4V@1mA
输入电容:2754pF@20V
导通电阻:3.3mΩ@25A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK7Y3R5-40E,115
包装方式:卷带(TR)
功率:167W
漏源电压:40V
输入电容:3583pF@25V
类型:N沟道
导通电阻:3.5mΩ@25A,10V
栅极电荷:49.4nC@10V
工作温度:-55℃~175℃
连续漏极电流:100A
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN4R0-40YS,115
功率:106W
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:40V
栅极电荷:38nC@10V
类型:N沟道
工作温度:-55℃~175℃
连续漏极电流:100A
导通电阻:4.2mΩ@15A,10V
输入电容:2410pF@20V
阈值电压:4V@1mA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK7Y6R0-60EX
输入电容:4021pF@25V
包装方式:卷带(TR)
栅极电荷:45.4nC@10V
导通电阻:6mΩ@25A,10V
类型:N沟道
漏源电压:60V
工作温度:-55℃~175℃
功率:195W
连续漏极电流:100A
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN2R6-40YS,115
包装方式:卷带(TR)
功率:131W
输入电容:3776pF@12V
漏源电压:40V
类型:N沟道
工作温度:-55℃~175℃
连续漏极电流:100A
栅极电荷:63nC@10V
阈值电压:4V@1mA
导通电阻:2.8mΩ@25A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):800psc
生产批次:{"18+":748}
规格型号(MPN):PSMN5R0-80BS,118
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:5.1mΩ@25A,10V
类型:N沟道
漏源电压:80V
工作温度:-55℃~175℃
连续漏极电流:100A
功率:270W
输入电容:6793pF@40V
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:101nC@10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):800psc
规格型号(MPN):BUK764R4-60E,118
导通电阻:4.5mΩ@25A,10V
包装方式:卷带(TR)
类型:N沟道
漏源电压:60V
工作温度:-55℃~175℃
功率:234W
连续漏极电流:100A
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:82nC@10V
ECCN:EAR99
输入电容:6230pF@25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):800psc
规格型号(MPN):PSMN4R5-40BS,118
导通电阻:4.5mΩ@25A,10V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:40V
栅极电荷:42.3nC@10V
类型:N沟道
功率:148W
工作温度:-55℃~175℃
连续漏极电流:100A
阈值电压:4V@1mA
输入电容:2683pF@20V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):800psc
规格型号(MPN):PSMN4R4-80BS,118
输入电容:8400pF@40V
导通电阻:4.5mΩ@25A,10V
包装方式:卷带(TR)
栅极电荷:125nC@10V
类型:N沟道
漏源电压:80V
工作温度:-55℃~175℃
功率:306W
连续漏极电流:100A
阈值电压:4V@1mA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK7Y4R4-40EX
栅极电荷:39nC@10V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:40V
导通电阻:4.4mΩ@25A,10V
类型:N沟道
工作温度:-55℃~175℃
功率:147W
输入电容:2781pF@25V
连续漏极电流:100A
阈值电压:4V@1mA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK7Y6R0-60EX
输入电容:4021pF@25V
包装方式:卷带(TR)
栅极电荷:45.4nC@10V
导通电阻:6mΩ@25A,10V
类型:N沟道
漏源电压:60V
工作温度:-55℃~175℃
功率:195W
连续漏极电流:100A
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"MI+":1500}
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK7Y4R4-40EX
栅极电荷:39nC@10V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:40V
导通电阻:4.4mΩ@25A,10V
类型:N沟道
工作温度:-55℃~175℃
功率:147W
输入电容:2781pF@25V
连续漏极电流:100A
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN2R6-40YS,115
包装方式:卷带(TR)
功率:131W
输入电容:3776pF@12V
漏源电压:40V
类型:N沟道
工作温度:-55℃~175℃
连续漏极电流:100A
栅极电荷:63nC@10V
阈值电压:4V@1mA
导通电阻:2.8mΩ@25A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN4R0-40YS,115
功率:106W
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:40V
栅极电荷:38nC@10V
类型:N沟道
工作温度:-55℃~175℃
连续漏极电流:100A
导通电阻:4.2mΩ@15A,10V
输入电容:2410pF@20V
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):800psc
规格型号(MPN):BUK764R4-60E,118
导通电阻:4.5mΩ@25A,10V
包装方式:卷带(TR)
类型:N沟道
漏源电压:60V
工作温度:-55℃~175℃
功率:234W
连续漏极电流:100A
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:82nC@10V
输入电容:6230pF@25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"17+":2125}
规格型号(MPN):PSMN2R8-40BS,118
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4491pF@20V
漏源电压:40V
类型:N沟道
工作温度:-55℃~175℃
导通电阻:2.9mΩ@10A,10V
功率:211W
连续漏极电流:100A
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:71nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK768R1-100E,118
包装方式:卷带(TR)
功率:263W
输入电容:7380pF@25V
类型:N沟道
工作温度:-55℃~175℃
导通电阻:8.1mΩ@25A,10V
连续漏极电流:100A
栅极电荷:108nC@10V
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK768R1-100E,118
包装方式:卷带(TR)
功率:263W
输入电容:7380pF@25V
类型:N沟道
工作温度:-55℃~175℃
导通电阻:8.1mΩ@25A,10V
连续漏极电流:100A
栅极电荷:108nC@10V
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):800psc
规格型号(MPN):PSMN4R5-40BS,118
导通电阻:4.5mΩ@25A,10V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:40V
栅极电荷:42.3nC@10V
类型:N沟道
功率:148W
工作温度:-55℃~175℃
连续漏极电流:100A
阈值电压:4V@1mA
输入电容:2683pF@20V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):800psc
规格型号(MPN):PSMN4R4-80BS,118
输入电容:8400pF@40V
导通电阻:4.5mΩ@25A,10V
包装方式:卷带(TR)
栅极电荷:125nC@10V
类型:N沟道
漏源电压:80V
工作温度:-55℃~175℃
功率:306W
连续漏极电流:100A
阈值电压:4V@1mA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK7Y7R8-80EX
工作温度:-55℃~175℃
功率:238W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:63.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5347pF@25V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:7.8mΩ@25A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK7Y4R4-40EX
工作温度:-55℃~175℃
功率:147W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:39nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2781pF@25V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:4.4mΩ@25A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN6R5-80BS,118
工作温度:-55℃~175℃
功率:210W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:71nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4461pF@40V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:6.9mΩ@15A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK7Y3R5-40E,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:167W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:49.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3583pF@25V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:3.5mΩ@25A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存: