品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN8R5-100ESQ
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功率:263W
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包装方式:散装
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连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:8.5mΩ@25A,10V
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库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"17+":30282,"MI+":6000}
包装规格(MPQ):486psc
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN8R5-100ESQ
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功率:263W
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包装方式:散装
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连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:8.5mΩ@25A,10V
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库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN7R0-100BS,118
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类型:N沟道
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库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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类型:N沟道
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库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN5R6-100BS,118
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类型:N沟道
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品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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类型:N沟道
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库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN5R6-100BS,118
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功率:306W
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类型:N沟道
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库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK768R1-100E,118
工作温度:-55℃~175℃
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类型:N沟道
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漏源电压:100V
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库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"17+":30282,"MI+":6000}
包装规格(MPQ):486psc
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN8R5-100ESQ
工作温度:-55℃~175℃
功率:263W
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类型:N沟道
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库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK768R1-100E,118
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功率:263W
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ECCN:EAR99
栅极电荷:108nC@10V
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连续漏极电流:100A
类型:N沟道
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库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":1600,"21+":2911,"23+":12000}
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK768R1-100E,118
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功率:263W
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栅极电荷:108nC@10V
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类型:N沟道
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库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN5R6-100BS,118
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功率:306W
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连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:5.6mΩ@25A,10V
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品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":1600,"21+":2911,"23+":12000}
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK768R1-100E,118
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功率:263W
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栅极电荷:108nC@10V
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类型:N沟道
导通电阻:8.1mΩ@25A,10V
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包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN7R0-100BS,118
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功率:269W
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导通电阻:6.8mΩ@15A,10V
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库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN7R0-100BS,118
工作温度:-55℃~175℃
功率:269W
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类型:N沟道
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品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK768R1-100E,118
工作温度:-55℃~175℃
功率:263W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:108nC@10V
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连续漏极电流:100A
类型:N沟道
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库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN7R0-100BS,118
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栅极电荷:125nC@10V
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导通电阻:6.8mΩ@15A,10V
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包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN7R0-100BS,118
工作温度:-55℃~175℃
功率:269W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:125nC@10V
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连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:6.8mΩ@15A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN5R6-100BS,118
工作温度:-55℃~175℃
功率:306W
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连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:5.6mΩ@25A,10V
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包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK768R1-100E,118
工作温度:-55℃~175℃
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类型:N沟道
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包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN7R0-100BS,118
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连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:6.8mΩ@15A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN5R6-100BS,118
工作温度:-55℃~175℃
功率:306W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:141nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8061pF@50V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:5.6mΩ@25A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN7R8-100PSEQ
工作温度:-55℃~175℃
功率:294W
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栅极电荷:128nC@10V
包装方式:管件
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连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:7.8mΩ@25A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK768R1-100E,118
工作温度:-55℃~175℃
功率:263W
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ECCN:EAR99
栅极电荷:108nC@10V
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连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:8.1mΩ@25A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK768R1-100E,118
工作温度:-55℃~175℃
功率:263W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:108nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7380pF@25V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:8.1mΩ@25A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"17+":30282,"MI+":6000}
销售单位:个
包装规格(MPQ):486psc
规格型号(MPN):PSMN8R5-100ESQ
栅极电荷:111nC@10V
功率:263W
类型:N沟道
工作温度:-55℃~175℃
连续漏极电流:100A
输入电容:5512pF@50V
阈值电压:4V@1mA
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ECCN:EAR99
包装方式:散装
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK768R1-100E,118
工作温度:-55℃~175℃
功率:263W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:108nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7380pF@25V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:8.1mΩ@25A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK768R1-100E,118
包装方式:卷带(TR)
功率:263W
输入电容:7380pF@25V
类型:N沟道
工作温度:-55℃~175℃
导通电阻:8.1mΩ@25A,10V
连续漏极电流:100A
栅极电荷:108nC@10V
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK768R1-100E,118
包装方式:卷带(TR)
功率:263W
输入电容:7380pF@25V
类型:N沟道
工作温度:-55℃~175℃
导通电阻:8.1mΩ@25A,10V
连续漏极电流:100A
栅极电荷:108nC@10V
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN7R0-100BS,118
工作温度:-55℃~175℃
功率:269W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:125nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6686pF@50V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:6.8mΩ@15A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存: