采购热线 400-661-9010
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6011ENX
输入电容：670pF@25V
工作温度：150℃
功率：40W
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：390mΩ@3.8A，10V
栅极电荷：32nC@10V
阈值电压：4V@1mA
漏源电压：600V
包装方式：散装
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6007END3TL1
输入电容：390pF@25V
包装方式：卷带（TR）
工作温度：150℃
类型：N沟道
功率：78W
栅极电荷：20nC@10V
阈值电压：4V@1mA
漏源电压：600V
导通电阻：620mΩ@2.4A，10V
连续漏极电流：7A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6020ENX
连续漏极电流：20A
栅极电荷：60nC@10V
工作温度：150℃
输入电容：1400pF@25V
类型：N沟道
功率：50W
导通电阻：196mΩ@10A，10V
阈值电压：4V@1mA
漏源电压：600V
包装方式：散装
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6020ENX
连续漏极电流：20A
栅极电荷：60nC@10V
工作温度：150℃
输入电容：1400pF@25V
类型：N沟道
功率：50W
导通电阻：196mΩ@10A，10V
阈值电压：4V@1mA
漏源电压：600V
包装方式：散装
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6024ENJTL
导通电阻：165mΩ@11.3A，10V
栅极电荷：70nC@10V
包装方式：卷带（TR）
工作温度：150℃
功率：40W
类型：N沟道
输入电容：1650pF@25V
连续漏极电流：24A
阈值电压：4V@1mA
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6020ENJTL
连续漏极电流：20A
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：卷带（TR）
工作温度：150℃
输入电容：1400pF@25V
功率：40W
类型：N沟道
导通电阻：196mΩ@9.5A，10V
阈值电压：4V@1mA
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6002END3TL1
栅极电荷：6.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
功率：26W
连续漏极电流：1.7A
类型：N沟道
导通电阻：3.4Ω@500mA，10V
输入电容：65pF@25V
阈值电压：4V@1mA
漏源电压：600V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6020ENX
连续漏极电流：20A
栅极电荷：60nC@10V
工作温度：150℃
输入电容：1400pF@25V
类型：N沟道
功率：50W
导通电阻：196mΩ@10A，10V
阈值电压：4V@1mA
漏源电压：600V
包装方式：散装
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：50psc
规格型号(MPN)：R6011ENXC7G
输入电容：670pF@25V
工作温度：150℃
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：390mΩ@3.8A，10V
功率：53W
包装方式：管件
栅极电荷：32nC@10V
阈值电压：4V@1mA
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6020ENZ4C13
连续漏极电流：20A
栅极电荷：60nC@10V
工作温度：150℃
功率：231W
输入电容：1400pF@25V
类型：N沟道
导通电阻：196mΩ@9.5A，10V
包装方式：管件
阈值电压：4V@1mA
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：50psc
规格型号(MPN)：TK750A60F，S4X
连续漏极电流：10A
工作温度：150℃
功率：40W
类型：N沟道
输入电容：1130pF@300V
包装方式：管件
阈值电压：4V@1mA
漏源电压：600V
栅极电荷：30nC@10V
导通电阻：750mΩ@5A，10V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6007END3TL1
输入电容：390pF@25V
包装方式：卷带（TR）
工作温度：150℃
类型：N沟道
功率：78W
栅极电荷：20nC@10V
阈值电压：4V@1mA
漏源电压：600V
导通电阻：620mΩ@2.4A，10V
连续漏极电流：7A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6047ENZ4C13
导通电阻：72mΩ@25.8A，10V
工作温度：150℃
功率：481W
栅极电荷：145nC@10V
类型：N沟道
连续漏极电流：47A
包装方式：管件
输入电容：3850pF@25V
阈值电压：4V@1mA
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6020ENJTL
连续漏极电流：20A
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：卷带（TR）
工作温度：150℃
输入电容：1400pF@25V
功率：40W
类型：N沟道
导通电阻：196mΩ@9.5A，10V
阈值电压：4V@1mA
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6002END3TL1
栅极电荷：6.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
功率：26W
连续漏极电流：1.7A
类型：N沟道
导通电阻：3.4Ω@500mA，10V
输入电容：65pF@25V
阈值电压：4V@1mA
漏源电压：600V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6007END3TL1
输入电容：390pF@25V
包装方式：卷带（TR）
工作温度：150℃
类型：N沟道
功率：78W
栅极电荷：20nC@10V
阈值电压：4V@1mA
漏源电压：600V
导通电阻：620mΩ@2.4A，10V
连续漏极电流：7A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6076ENZ1C9
工作温度：150℃
功率：120W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：260nC@10V
包装方式：管件
输入电容：6500pF@25V
连续漏极电流：76A
类型：N沟道
导通电阻：42mΩ@44.4A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6020ENJTL
工作温度：150℃
功率：40W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1400pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：196mΩ@9.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6004END3TL1
工作温度：150℃
功率：59W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：250pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：980mΩ@1.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6024ENJTL
工作温度：150℃
功率：40W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：70nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1650pF@25V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：165mΩ@11.3A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6030ENZ4C13
工作温度：150℃
功率：305W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：85nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2100pF@25V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：130mΩ@14.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：APT6025BVRG
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：275nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5160pF@25V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：250mΩ@500mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6011ENX
工作温度：150℃
功率：40W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：散装
输入电容：670pF@25V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：390mΩ@3.8A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK10A60D(STA4，Q，M)
工作温度：150℃
功率：45W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1350pF@25V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：750mΩ@5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK12A60D(STA4，Q，M)
工作温度：150℃
功率：45W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1800pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：550mΩ@6A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6004ENDTL
工作温度：150℃
功率：20W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：250pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：980mΩ@1.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6020ENJTL
工作温度：150℃
功率：40W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1400pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：196mΩ@9.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6004END3TL1
工作温度：150℃
功率：59W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：250pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：980mΩ@1.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6009ENJTL
工作温度：150℃
功率：40W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：430pF@25V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：535mΩ@2.8A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6024ENJTL
工作温度：150℃
功率：40W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：70nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1650pF@25V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：165mΩ@11.3A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
