品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):800psc
规格型号(MPN):PSMN4R8-100BSEJ
包装方式:卷带(TR)
类型:N沟道
功率:405W
工作温度:-55℃~175℃
输入电容:14400pF@50V
栅极电荷:278nC@10V
阈值电压:4V@1mA
连续漏极电流:120A
ECCN:EAR99
漏源电压:100V
导通电阻:4.8mΩ@25A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):800psc
规格型号(MPN):PSMN4R8-100BSEJ
包装方式:卷带(TR)
类型:N沟道
功率:405W
工作温度:-55℃~175℃
输入电容:14400pF@50V
栅极电荷:278nC@10V
阈值电压:4V@1mA
连续漏极电流:120A
漏源电压:100V
导通电阻:4.8mΩ@25A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NXP
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"12+":277}
规格型号(MPN):BUK751R6-30E,127
漏源电压:30V
类型:N沟道
功率:349W
工作温度:-55℃~175℃
导通电阻:1.6mΩ@25A,10V
输入电容:11960pF@25V
包装方式:管件
栅极电荷:154nC@10V
阈值电压:4V@1mA
连续漏极电流:120A
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN3R9-100YSFX
包装方式:卷带(TR)
栅极电荷:111nC@10V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
导通电阻:4.3mΩ@25A,10V
功率:245W
阈值电压:4V@1mA
连续漏极电流:120A
ECCN:EAR99
输入电容:7360pF@50V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"14+":188,"18+":9038,"19+":2000,"20+":19000}
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):BUK7E1R8-40E,127
漏源电压:40V
栅极电荷:145nC@10V
类型:N沟道
功率:349W
工作温度:-55℃~175℃
包装方式:管件
导通电阻:1.8mΩ@25A,10V
阈值电压:4V@1mA
输入电容:11340pF@25V
连续漏极电流:120A
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):800psc
规格型号(MPN):PSMN1R7-60BS,118
输入电容:9997pF@30V
包装方式:卷带(TR)
栅极电荷:137nC@10V
类型:N沟道
漏源电压:60V
工作温度:-55℃~175℃
功率:306W
导通电阻:2mΩ@25A,10V
阈值电压:4V@1mA
连续漏极电流:120A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"22+":2000}
规格型号(MPN):PSMN3R3-80PS,127
功率:338W
类型:N沟道
漏源电压:80V
输入电容:9961pF@40V
工作温度:-55℃~175℃
栅极电荷:139nC@10V
包装方式:管件
阈值电压:4V@1mA
连续漏极电流:120A
ECCN:EAR99
导通电阻:3.3mΩ@25A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):800psc
规格型号(MPN):PSMN1R1-40BS,118
栅极电荷:136nC@10V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:40V
类型:N沟道
工作温度:-55℃~175℃
功率:306W
阈值电压:4V@1mA
导通电阻:1.3mΩ@25A,10V
输入电容:9710pF@20V
连续漏极电流:120A
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN3R9-100YSFX
包装方式:卷带(TR)
栅极电荷:111nC@10V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
导通电阻:4.3mΩ@25A,10V
功率:245W
阈值电压:4V@1mA
连续漏极电流:120A
ECCN:EAR99
输入电容:7360pF@50V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):800psc
规格型号(MPN):PSMN4R8-100BSEJ
包装方式:卷带(TR)
类型:N沟道
功率:405W
工作温度:-55℃~175℃
输入电容:14400pF@50V
栅极电荷:278nC@10V
阈值电压:4V@1mA
连续漏极电流:120A
ECCN:EAR99
漏源电压:100V
导通电阻:4.8mΩ@25A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):800psc
规格型号(MPN):BUK765R0-100E,118
包装方式:卷带(TR)
功率:357W
类型:N沟道
工作温度:-55℃~175℃
输入电容:11810pF@25V
导通电阻:5mΩ@25A,10V
阈值电压:4V@1mA
连续漏极电流:120A
栅极电荷:180nC@10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"18+":5000,"19+":7987,"20+":4390,"MI+":1000}
规格型号(MPN):BUK7E3R5-60E,127
类型:N沟道
导通电阻:3.5mΩ@25A,10V
漏源电压:60V
工作温度:-55℃~175℃
功率:293W
输入电容:8920pF@25V
包装方式:管件
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:114nC@10V
连续漏极电流:120A
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):800psc
规格型号(MPN):BUK763R1-60E,118
包装方式:卷带(TR)
类型:N沟道
漏源电压:60V
工作温度:-55℃~175℃
功率:293W
导通电阻:3.1mΩ@25A,10V
输入电容:8920pF@25V
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:114nC@10V
连续漏极电流:120A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NXP
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"12+":295}
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK7E1R6-30E,127
漏源电压:30V
类型:N沟道
功率:349W
工作温度:-55℃~175℃
导通电阻:1.6mΩ@25A,10V
输入电容:11960pF@25V
包装方式:管件
栅极电荷:154nC@10V
阈值电压:4V@1mA
连续漏极电流:120A
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NXP
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"12+":295}
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK7E1R6-30E,127
漏源电压:30V
类型:N沟道
功率:349W
工作温度:-55℃~175℃
导通电阻:1.6mΩ@25A,10V
输入电容:11960pF@25V
包装方式:管件
栅极电荷:154nC@10V
阈值电压:4V@1mA
连续漏极电流:120A
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):800psc
规格型号(MPN):BUK763R1-60E,118
包装方式:卷带(TR)
类型:N沟道
漏源电压:60V
工作温度:-55℃~175℃
功率:293W
导通电阻:3.1mΩ@25A,10V
输入电容:8920pF@25V
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:114nC@10V
连续漏极电流:120A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"18+":5000,"19+":7987,"20+":4390,"MI+":1000}
规格型号(MPN):BUK7E3R5-60E,127
类型:N沟道
导通电阻:3.5mΩ@25A,10V
漏源电压:60V
工作温度:-55℃~175℃
功率:293W
输入电容:8920pF@25V
包装方式:管件
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:114nC@10V
连续漏极电流:120A
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN3R5-80PS,127
功率:338W
类型:N沟道
漏源电压:80V
导通电阻:3.5mΩ@25A,10V
输入电容:9961pF@40V
工作温度:-55℃~175℃
栅极电荷:139nC@10V
包装方式:管件
阈值电压:4V@1mA
连续漏极电流:120A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):800psc
规格型号(MPN):PSMN1R7-60BS,118
输入电容:9997pF@30V
包装方式:卷带(TR)
栅极电荷:137nC@10V
类型:N沟道
漏源电压:60V
工作温度:-55℃~175℃
功率:306W
导通电阻:2mΩ@25A,10V
阈值电压:4V@1mA
连续漏极电流:120A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN1R5-40PS,127
栅极电荷:136nC@10V
漏源电压:40V
功率:338W
类型:N沟道
工作温度:-55℃~175℃
导通电阻:1.6mΩ@25A,10V
包装方式:管件
阈值电压:4V@1mA
输入电容:9710pF@20V
连续漏极电流:120A
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"23+":970,"9999":1000,"MI+":1000}
规格型号(MPN):PSMN4R8-100PSEQ
类型:N沟道
功率:405W
工作温度:-55℃~175℃
包装方式:管件
输入电容:14400pF@50V
栅极电荷:278nC@10V
导通电阻:5mΩ@25A,10V
阈值电压:4V@1mA
连续漏极电流:120A
ECCN:EAR99
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):800psc
规格型号(MPN):PSMN1R1-40BS,118
栅极电荷:136nC@10V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:40V
类型:N沟道
工作温度:-55℃~175℃
功率:306W
阈值电压:4V@1mA
导通电阻:1.3mΩ@25A,10V
输入电容:9710pF@20V
连续漏极电流:120A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"20+":4000}
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK755R4-100E,127
工作温度:-55℃~175℃
功率:349W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:180nC@10V
包装方式:管件
输入电容:11810pF@25V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:5.2mΩ@25A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN1R1-40BS,118
工作温度:-55℃~175℃
功率:306W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:136nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9710pF@20V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:1.3mΩ@25A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN3R5-80PS,127
工作温度:-55℃~175℃
功率:338W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:139nC@10V
包装方式:管件
输入电容:9961pF@40V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:3.5mΩ@25A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK761R7-40E,118
工作温度:-55℃~175℃
功率:324W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:118nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9700pF@25V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:1.6mΩ@25A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"14+":188,"18+":9038,"19+":2000,"20+":19000}
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK7E1R8-40E,127
工作温度:-55℃~175℃
功率:349W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:145nC@10V
包装方式:管件
输入电容:11340pF@25V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:1.8mΩ@25A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN3R7-100BSEJ
工作温度:175℃
功率:405W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:246nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:16370pF@50V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:3.95mΩ@25A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"13+":500,"18+":3300,"9999":301}
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK7E5R2-100E,127
工作温度:-55℃~175℃
功率:349W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:180nC@10V
包装方式:管件
输入电容:11810pF@25V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:5.2mΩ@25A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN1R1-40BS,118
工作温度:-55℃~175℃
功率:306W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:136nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9710pF@20V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:1.3mΩ@25A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存: