采购热线 400-661-9010
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN102-200Y，115
工作温度：-55℃~150℃
功率：113W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：30.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1568pF@30V
连续漏极电流：21.5A
类型：N沟道
导通电阻：102mΩ@12A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：PHB33NQ20T，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：230W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：32.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1870pF@25V
连续漏极电流：32.7A
类型：N沟道
导通电阻：77mΩ@15A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN102-200Y，115
工作温度：-55℃~150℃
功率：113W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：30.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1568pF@30V
连续漏极电流：21.5A
类型：N沟道
导通电阻：102mΩ@12A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN102-200Y，115
工作温度：-55℃~150℃
功率：113W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：30.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1568pF@30V
连续漏极电流：21.5A
类型：N沟道
导通电阻：102mΩ@12A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH2900ENH，L1Q
工作温度：150℃
功率：78W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2200pF@100V
连续漏极电流：33A
类型：N沟道
导通电阻：29mΩ@16.5A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN057-200B，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：250W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：96nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3750pF@25V
连续漏极电流：39A
类型：N沟道
导通电阻：57mΩ@17A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN057-200B，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：250W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：96nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3750pF@25V
连续漏极电流：39A
类型：N沟道
导通电阻：57mΩ@17A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH2900ENH，L1Q
工作温度：150℃
功率：78W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2200pF@100V
连续漏极电流：33A
类型：N沟道
导通电阻：29mΩ@16.5A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH2900ENH，L1Q
工作温度：150℃
功率：78W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2200pF@100V
连续漏极电流：33A
类型：N沟道
导通电阻：29mΩ@16.5A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN102-200Y，115
工作温度：-55℃~150℃
功率：113W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1568pF@30V
连续漏极电流：21.5A
类型：N沟道
导通电阻：102mΩ@12A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN102-200Y，115
工作温度：-55℃~150℃
功率：113W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：30.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1568pF@30V
连续漏极电流：21.5A
类型：N沟道
导通电阻：102mΩ@12A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RDD050N20TL
功率：20W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：9.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：292pF@10V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：720mΩ@2.5A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RDD050N20TL
功率：20W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：9.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：292pF@10V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：720mΩ@2.5A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN102-200Y，115
工作温度：-55℃~150℃
功率：113W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1568pF@30V
连续漏极电流：21.5A
类型：N沟道
导通电阻：102mΩ@12A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH2900ENH，L1Q
工作温度：150℃
功率：78W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2200pF@100V
连续漏极电流：33A
类型：N沟道
导通电阻：29mΩ@16.5A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：PHB33NQ20T，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：230W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：32.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1870pF@25V
连续漏极电流：32.7A
类型：N沟道
导通电阻：77mΩ@15A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN057-200B，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：250W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：96nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3750pF@25V
连续漏极电流：39A
类型：N沟道
导通电阻：57mΩ@17A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：9000，"22+"：21000，"23+"：4500，"MI+"：6000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN102-200Y，115
工作温度：-55℃~150℃
功率：113W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1568pF@30V
连续漏极电流：21.5A
类型：N沟道
导通电阻：102mΩ@12A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN057-200B，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：250W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：96nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3750pF@25V
连续漏极电流：39A
类型：N沟道
导通电阻：57mΩ@17A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH2900ENH，L1Q
工作温度：150℃
功率：78W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2200pF@100V
连续漏极电流：33A
类型：N沟道
导通电阻：29mΩ@16.5A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH2900ENH，L1Q
工作温度：150℃
功率：78W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2200pF@100V
连续漏极电流：33A
类型：N沟道
导通电阻：29mΩ@16.5A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN102-200Y，115
工作温度：-55℃~150℃
功率：113W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1568pF@30V
连续漏极电流：21.5A
类型：N沟道
导通电阻：102mΩ@12A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN102-200Y，115
工作温度：-55℃~150℃
功率：113W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1568pF@30V
连续漏极电流：21.5A
类型：N沟道
导通电阻：102mΩ@12A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：PHB33NQ20T，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：230W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：32.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1870pF@25V
连续漏极电流：32.7A
类型：N沟道
导通电阻：77mΩ@15A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH2900ENH，L1Q
工作温度：150℃
功率：78W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2200pF@100V
连续漏极电流：33A
类型：N沟道
导通电阻：29mΩ@16.5A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：PHB33NQ20T，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：230W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：32.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1870pF@25V
连续漏极电流：32.7A
类型：N沟道
导通电阻：77mΩ@15A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"12+"：1658，"16+"：802，"17+"：919，"18+"：1800}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUZ30AH3045AATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1900pF@25V
连续漏极电流：21A
类型：N沟道
导通电阻：130mΩ@13.5A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH2900ENH，L1Q
工作温度：150℃
功率：78W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2200pF@100V
连续漏极电流：33A
类型：N沟道
导通电阻：29mΩ@16.5A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH2900ENH，L1Q
工作温度：150℃
功率：78W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2200pF@100V
连续漏极电流：33A
类型：N沟道
导通电阻：29mΩ@16.5A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN102-200Y，115
工作温度：-55℃~150℃
功率：113W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：30.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1568pF@30V
连续漏极电流：21.5A
类型：N沟道
导通电阻：102mΩ@12A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
