采购热线 400-661-9010
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN3R7-100BSEJ
工作温度：175℃
功率：405W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：246nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：16370pF@50V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：3.95mΩ@25A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"15+"：4765，"MI+"：4000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDBA100N10BT4H
工作温度：175℃
功率：110W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2950pF@50V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：6.9mΩ@50A，15V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN3R7-100BSEJ
工作温度：175℃
功率：405W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：246nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：16370pF@50V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：3.95mΩ@25A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN3R7-100BSEJ
工作温度：175℃
功率：405W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：246nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：16370pF@50V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：3.95mΩ@25A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"15+"：4765，"MI+"：4000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDBA100N10BT4H
工作温度：175℃
功率：110W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2950pF@50V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：6.9mΩ@50A，15V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK160F10N1，LXGQ
工作温度：175℃
功率：375W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：121nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8510pF@10V
连续漏极电流：160A
类型：N沟道
导通电阻：2.4mΩ@80A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN3R7-100BSEJ
工作温度：175℃
功率：405W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：246nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：16370pF@50V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：3.95mΩ@25A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK160F10N1，LXGQ
工作温度：175℃
功率：375W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：121nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8510pF@10V
连续漏极电流：160A
类型：N沟道
导通电阻：2.4mΩ@80A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"15+"：4765，"MI+"：4000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDBA100N10BT4H
工作温度：175℃
功率：110W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2950pF@50V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：6.9mΩ@50A，15V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDPL070N10BG
工作温度：175℃
功率：2.1W€72W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2010pF@50V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
导通电阻：10.8mΩ@35A，15V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDBA100N10BT4H
工作温度：175℃
功率：110W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2950pF@50V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：6.9mΩ@50A，15V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDBA100N10BT4H
工作温度：175℃
功率：110W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2950pF@50V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：6.9mΩ@50A，15V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN3R7-100BSEJ
工作温度：175℃
功率：405W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：246nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：16370pF@50V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：3.95mΩ@25A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"15+"：81，"17+"：1071，"MI+"：1682}
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDPL070N10BG
工作温度：175℃
功率：2.1W€72W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2010pF@50V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
导通电阻：10.8mΩ@35A，15V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN3R7-100BSEJ
工作温度：175℃
功率：405W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：246nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：16370pF@50V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：3.95mΩ@25A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN3R7-100BSEJ
工作温度：175℃
功率：405W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：246nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：16370pF@50V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：3.95mΩ@25A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK160F10N1，LXGQ
工作温度：175℃
功率：375W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：121nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8510pF@10V
连续漏极电流：160A
类型：N沟道
导通电阻：2.4mΩ@80A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK160F10N1，LXGQ
工作温度：175℃
功率：375W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：121nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8510pF@10V
连续漏极电流：160A
类型：N沟道
导通电阻：2.4mΩ@80A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"15+"：81，"17+"：1071，"MI+"：1682}
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDPL070N10BG
工作温度：175℃
功率：2.1W€72W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2010pF@50V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
导通电阻：10.8mΩ@35A，15V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK160F10N1，LXGQ
工作温度：175℃
功率：375W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：121nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8510pF@10V
连续漏极电流：160A
类型：N沟道
导通电阻：2.4mΩ@80A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"15+"：4765，"MI+"：4000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDBA100N10BT4H
工作温度：175℃
功率：110W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2950pF@50V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：6.9mΩ@50A，15V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK160F10N1，LXGQ
工作温度：175℃
功率：375W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：121nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8510pF@10V
连续漏极电流：160A
类型：N沟道
导通电阻：2.4mΩ@80A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDPL070N10BG
工作温度：175℃
功率：2.1W€72W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2010pF@50V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
导通电阻：10.8mΩ@35A，15V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"MI+"：125}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDPL180N10BG
工作温度：175℃
功率：2.1W€200W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：95nC@10V
包装方式：管件
输入电容：6950pF@50V
连续漏极电流：180A
类型：N沟道
导通电阻：3mΩ@15V，50A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"MI+"：125}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDPL180N10BG
导通电阻：3mΩ@15V，50A
类型：N沟道
功率：2.1W€200W
连续漏极电流：180A
工作温度：175℃
包装方式：管件
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：95nC@10V
ECCN：EAR99
漏源电压：100V
输入电容：6950pF@50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK160F10N1，LXGQ
工作温度：175℃
功率：375W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：121nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8510pF@10V
连续漏极电流：160A
类型：N沟道
导通电阻：2.4mΩ@80A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDBA100N10BT4H
工作温度：175℃
功率：110W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2950pF@50V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：6.9mΩ@50A，15V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDBA100N10BT4H
工作温度：175℃
功率：110W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2950pF@50V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：6.9mΩ@50A，15V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN3R7-100BSEJ
工作温度：175℃
功率：405W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：246nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：16370pF@50V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：3.95mΩ@25A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN3R7-100BSEJ
工作温度：175℃
功率：405W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：246nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：16370pF@50V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：3.95mΩ@25A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
