品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK7Y4R8-60EX
输入电容:5520pF@25V
功率:238W
包装方式:卷带(TR)
类型:N沟道
漏源电压:60V
工作温度:-55℃~175℃
连续漏极电流:100A
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:73.1nC@10V
导通电阻:4.8mΩ@25A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):800psc
规格型号(MPN):PSMN015-60BS,118
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1220pF@30V
类型:N沟道
漏源电压:60V
工作温度:-55℃~175℃
连续漏极电流:50A
栅极电荷:20.9nC@10V
导通电阻:14.8mΩ@15A,10V
阈值电压:4V@1mA
功率:86W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK7Y4R8-60EX
输入电容:5520pF@25V
功率:238W
包装方式:卷带(TR)
类型:N沟道
漏源电压:60V
工作温度:-55℃~175℃
连续漏极电流:100A
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:73.1nC@10V
ECCN:EAR99
导通电阻:4.8mΩ@25A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN012-60YS,115
栅极电荷:28.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
功率:89W
类型:N沟道
漏源电压:60V
工作温度:-55℃~175℃
导通电阻:11.1mΩ@15A,10V
输入电容:1685pF@30V
阈值电压:4V@1mA
连续漏极电流:59A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPH2R306NH,L1Q
包装方式:卷带(TR)
工作温度:150℃
类型:N沟道
漏源电压:60V
栅极电荷:72nC@10V
导通电阻:2.3mΩ@30A,10V
连续漏极电流:60A
阈值电压:4V@1mA
功率:1.6W€78W
ECCN:EAR99
输入电容:6100pF@30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN8R5-60YS,115
栅极电荷:39nC@10V
功率:106W
包装方式:卷带(TR)
类型:N沟道
漏源电压:60V
连续漏极电流:76A
工作温度:-55℃~175℃
输入电容:2370pF@30V
导通电阻:8mΩ@15A,10V
阈值电压:4V@1mA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK7M15-60EX
包装方式:卷带(TR)
功率:62W
导通电阻:15mΩ@10A,10V
类型:N沟道
漏源电压:60V
工作温度:-55℃~175℃
阈值电压:4V@1mA
输入电容:1262pF@25V
连续漏极电流:42.9A
栅极电荷:19.4nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK7Y4R8-60EX
输入电容:5520pF@25V
功率:238W
包装方式:卷带(TR)
类型:N沟道
漏源电压:60V
工作温度:-55℃~175℃
连续漏极电流:100A
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:73.1nC@10V
ECCN:EAR99
导通电阻:4.8mΩ@25A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK7M12-60EX
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:53A
导通电阻:12mΩ@15A,10V
类型:N沟道
漏源电压:60V
工作温度:-55℃~175℃
栅极电荷:24.8nC@10V
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
输入电容:1625pF@25V
功率:75W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN4R0-60YS,115
包装方式:卷带(TR)
功率:130W
类型:N沟道
漏源电压:60V
导通电阻:4mΩ@15A,10V
工作温度:-55℃~175℃
连续漏极电流:74A
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:56nC@10V
输入电容:3501pF@30V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):800psc
规格型号(MPN):PSMN1R7-60BS,118
输入电容:9997pF@30V
包装方式:卷带(TR)
栅极电荷:137nC@10V
类型:N沟道
漏源电压:60V
工作温度:-55℃~175℃
功率:306W
导通电阻:2mΩ@25A,10V
阈值电压:4V@1mA
连续漏极电流:120A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"17+":1400,"19+":12879,"9999":484}
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):BUK7E4R6-60E,127
导通电阻:4.6mΩ@25A,10V
类型:N沟道
漏源电压:60V
工作温度:-55℃~175℃
功率:234W
包装方式:管件
连续漏极电流:100A
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:82nC@10V
ECCN:EAR99
输入电容:6230pF@25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN030-60YS,115
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:29A
功率:56W
输入电容:686pF@30V
类型:N沟道
导通电阻:24.7mΩ@15A,10V
漏源电压:60V
工作温度:-55℃~175℃
阈值电压:4V@1mA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK7Y6R0-60EX
输入电容:4021pF@25V
包装方式:卷带(TR)
栅极电荷:45.4nC@10V
导通电阻:6mΩ@25A,10V
类型:N沟道
漏源电压:60V
工作温度:-55℃~175℃
功率:195W
连续漏极电流:100A
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"18+":5000,"19+":7987,"20+":4390,"MI+":1000}
规格型号(MPN):BUK7E3R5-60E,127
类型:N沟道
导通电阻:3.5mΩ@25A,10V
漏源电压:60V
工作温度:-55℃~175℃
功率:293W
输入电容:8920pF@25V
包装方式:管件
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:114nC@10V
连续漏极电流:120A
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN011-60MSX
包装方式:卷带(TR)
类型:N沟道
漏源电压:60V
栅极电荷:23nC@10V
工作温度:-55℃~175℃
连续漏极电流:61A
导通电阻:11.3mΩ@15A,10V
功率:91W
输入电容:1368pF@30V
阈值电压:4V@1mA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):800psc
规格型号(MPN):BUK763R1-60E,118
包装方式:卷带(TR)
类型:N沟道
漏源电压:60V
工作温度:-55℃~175℃
功率:293W
导通电阻:3.1mΩ@25A,10V
输入电容:8920pF@25V
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:114nC@10V
连续漏极电流:120A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK7Y8R7-60EX
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:8.7mΩ@20A,10V
类型:N沟道
漏源电压:60V
连续漏极电流:87A
工作温度:-55℃~175℃
功率:147W
栅极电荷:46nC@10V
阈值电压:4V@1mA
输入电容:3159pF@25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPH2R306NH1,LQ
包装方式:卷带(TR)
工作温度:150℃
连续漏极电流:136A
类型:N沟道
漏源电压:60V
栅极电荷:72nC@10V
阈值电压:4V@1mA
功率:800mW€170W
ECCN:EAR99
输入电容:6100pF@30V
导通电阻:2.3mΩ@50A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN011-60MSX
包装方式:卷带(TR)
类型:N沟道
漏源电压:60V
栅极电荷:23nC@10V
工作温度:-55℃~175℃
连续漏极电流:61A
导通电阻:11.3mΩ@15A,10V
功率:91W
输入电容:1368pF@30V
阈值电压:4V@1mA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN017-60YS,115
包装方式:卷带(TR)
类型:N沟道
输入电容:1172pF@30V
漏源电压:60V
连续漏极电流:44A
工作温度:-55℃~175℃
导通电阻:15.7mΩ@15A,10V
栅极电荷:20nC@10V
阈值电压:4V@1mA
功率:74W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):800psc
规格型号(MPN):BUK764R4-60E,118
导通电阻:4.5mΩ@25A,10V
包装方式:卷带(TR)
类型:N沟道
漏源电压:60V
工作温度:-55℃~175℃
功率:234W
连续漏极电流:100A
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:82nC@10V
ECCN:EAR99
输入电容:6230pF@25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):800psc
规格型号(MPN):BUK763R1-60E,118
包装方式:卷带(TR)
类型:N沟道
漏源电压:60V
工作温度:-55℃~175℃
功率:293W
导通电阻:3.1mΩ@25A,10V
输入电容:8920pF@25V
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:114nC@10V
连续漏极电流:120A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):800psc
规格型号(MPN):BUK7613-60E,118
包装方式:卷带(TR)
类型:N沟道
漏源电压:60V
工作温度:-55℃~175℃
连续漏极电流:58A
栅极电荷:22.9nC@10V
输入电容:1730pF@25V
阈值电压:4V@1mA
功率:96W
导通电阻:13mΩ@15A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"17+":32825,"18+":3950,"19+":1932,"20+":11000,"9999":494,"MI+":5000}
规格型号(MPN):PSMN3R0-60PS,127
输入电容:8079pF@30V
栅极电荷:130nC@10V
类型:N沟道
漏源电压:60V
工作温度:-55℃~175℃
功率:306W
导通电阻:3mΩ@25A,10V
包装方式:管件
连续漏极电流:100A
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):800psc
规格型号(MPN):PSMN7R6-60BS,118
栅极电荷:38.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:92A
功率:149W
类型:N沟道
导通电阻:7.8mΩ@25A,10V
漏源电压:60V
工作温度:-55℃~175℃
输入电容:2651pF@30V
阈值电压:4V@1mA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPH2R306NH1,LQ
包装方式:卷带(TR)
工作温度:150℃
连续漏极电流:136A
类型:N沟道
漏源电压:60V
栅极电荷:72nC@10V
阈值电压:4V@1mA
功率:800mW€170W
ECCN:EAR99
输入电容:6100pF@30V
导通电阻:2.3mΩ@50A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK7M19-60EX
包装方式:卷带(TR)
类型:N沟道
连续漏极电流:35.8A
漏源电压:60V
工作温度:-55℃~175℃
导通电阻:19mΩ@10A,10V
阈值电压:4V@1mA
功率:55W
栅极电荷:17.3nC@10V
输入电容:1055pF@25V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN7R0-60YS,115
包装方式:卷带(TR)
栅极电荷:45nC@10V
功率:117W
连续漏极电流:89A
导通电阻:6.4mΩ@15A,10V
类型:N沟道
漏源电压:60V
工作温度:-55℃~175℃
输入电容:2712pF@30V
阈值电压:4V@1mA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"18+":5000,"19+":7987,"20+":4390,"MI+":1000}
规格型号(MPN):BUK7E3R5-60E,127
类型:N沟道
导通电阻:3.5mΩ@25A,10V
漏源电压:60V
工作温度:-55℃~175℃
功率:293W
输入电容:8920pF@25V
包装方式:管件
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:114nC@10V
连续漏极电流:120A
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存: