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    阈值电压: 4V@1mA
    类型: N沟道
    漏源电压: 60V
    行业应用: 工业
    栅极电荷: 137nC@10V
    包装方式: 管件
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    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN2R0-60ES,127 起订258个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN2R0-60ES,127 起订258个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"17+":610}

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN2R0-60ES,127

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:338W

    阈值电压:4V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:137nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:9997pF@30V

    连续漏极电流:120A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.2mΩ@25A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN2R0-60ES,127 起订500个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN2R0-60ES,127 起订500个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"17+":610}

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN2R0-60ES,127

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:338W

    阈值电压:4V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:137nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:9997pF@30V

    连续漏极电流:120A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.2mΩ@25A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN2R0-60ES,127 起订1个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN2R0-60ES,127 起订1个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN2R0-60ES,127

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:338W

    阈值电压:4V@1mA

    栅极电荷:137nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:9997pF@30V

    连续漏极电流:120A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.2mΩ@25A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN2R0-60ES,127 起订5000个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN2R0-60ES,127 起订5000个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"17+":610}

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN2R0-60ES,127

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:338W

    阈值电压:4V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:137nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:9997pF@30V

    连续漏极电流:120A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.2mΩ@25A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN2R0-60ES,127 起订300个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN2R0-60ES,127 起订300个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"17+":610}

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN2R0-60ES,127

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:338W

    阈值电压:4V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:137nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:9997pF@30V

    连续漏极电流:120A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.2mΩ@25A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN2R0-60ES,127 起订1000个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN2R0-60ES,127 起订1000个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"17+":610}

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN2R0-60ES,127

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:338W

    阈值电压:4V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:137nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:9997pF@30V

    连续漏极电流:120A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.2mΩ@25A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

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    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN2R0-60PS,127 起订1个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN2R0-60PS,127 起订1个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN2R0-60PS,127

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:338W

    阈值电压:4V@1mA

    栅极电荷:137nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:9997pF@30V

    连续漏极电流:120A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.2mΩ@25A,10V

    漏源电压:60V

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