品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPW4R008NH,L1Q
导通电阻:4mΩ@50A,10V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:150℃
栅极电荷:59nC@10V
类型:N沟道
漏源电压:80V
输入电容:5300pF@40V
功率:800mW€142W
阈值电压:4V@1mA
连续漏极电流:116A
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPH2R306NH,L1Q
包装方式:卷带(TR)
工作温度:150℃
类型:N沟道
漏源电压:60V
栅极电荷:72nC@10V
导通电阻:2.3mΩ@30A,10V
连续漏极电流:60A
阈值电压:4V@1mA
功率:1.6W€78W
ECCN:EAR99
输入电容:6100pF@30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):R6007END3TL1
输入电容:390pF@25V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:150℃
类型:N沟道
功率:78W
栅极电荷:20nC@10V
阈值电压:4V@1mA
漏源电压:600V
导通电阻:620mΩ@2.4A,10V
连续漏极电流:7A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPH4R008NH,L1Q
包装方式:卷带(TR)
工作温度:150℃
栅极电荷:59nC@10V
类型:N沟道
漏源电压:80V
导通电阻:4mΩ@30A,10V
输入电容:5300pF@40V
连续漏极电流:60A
阈值电压:4V@1mA
功率:1.6W€78W
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPH2900ENH,L1Q
包装方式:卷带(TR)
工作温度:150℃
类型:N沟道
功率:78W
输入电容:2200pF@100V
连续漏极电流:33A
阈值电压:4V@1mA
导通电阻:29mΩ@16.5A,10V
栅极电荷:22nC@10V
ECCN:EAR99
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPH1500CNH,L1Q
包装方式:卷带(TR)
工作温度:150℃
类型:N沟道
漏源电压:150V
输入电容:2200pF@75V
导通电阻:15.4mΩ@19A,10V
阈值电压:4V@1mA
功率:1.6W€78W
连续漏极电流:38A
栅极电荷:22nC@10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):R6024ENJTL
导通电阻:165mΩ@11.3A,10V
栅极电荷:70nC@10V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:150℃
功率:40W
类型:N沟道
输入电容:1650pF@25V
连续漏极电流:24A
阈值电压:4V@1mA
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):R6020ENJTL
连续漏极电流:20A
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:150℃
输入电容:1400pF@25V
功率:40W
类型:N沟道
导通电阻:196mΩ@9.5A,10V
阈值电压:4V@1mA
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPH5200FNH,L1Q
包装方式:卷带(TR)
工作温度:150℃
类型:N沟道
功率:78W
漏源电压:250V
输入电容:2200pF@100V
阈值电压:4V@1mA
导通电阻:52mΩ@13A,10V
栅极电荷:22nC@10V
ECCN:EAR99
连续漏极电流:26A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPH5200FNH,L1Q
包装方式:卷带(TR)
工作温度:150℃
类型:N沟道
功率:78W
漏源电压:250V
输入电容:2200pF@100V
阈值电压:4V@1mA
导通电阻:52mΩ@13A,10V
栅极电荷:22nC@10V
ECCN:EAR99
连续漏极电流:26A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPH4R008NH,L1Q
包装方式:卷带(TR)
工作温度:150℃
栅极电荷:59nC@10V
类型:N沟道
漏源电压:80V
导通电阻:4mΩ@30A,10V
输入电容:5300pF@40V
连续漏极电流:60A
阈值电压:4V@1mA
功率:1.6W€78W
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPH2R306NH1,LQ
包装方式:卷带(TR)
工作温度:150℃
连续漏极电流:136A
类型:N沟道
漏源电压:60V
栅极电荷:72nC@10V
阈值电压:4V@1mA
功率:800mW€170W
ECCN:EAR99
输入电容:6100pF@30V
导通电阻:2.3mΩ@50A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):R6007END3TL1
输入电容:390pF@25V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:150℃
类型:N沟道
功率:78W
栅极电荷:20nC@10V
阈值电压:4V@1mA
漏源电压:600V
导通电阻:620mΩ@2.4A,10V
连续漏极电流:7A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPH2R306NH1,LQ
包装方式:卷带(TR)
工作温度:150℃
连续漏极电流:136A
类型:N沟道
漏源电压:60V
栅极电荷:72nC@10V
阈值电压:4V@1mA
功率:800mW€170W
ECCN:EAR99
输入电容:6100pF@30V
导通电阻:2.3mΩ@50A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RD3P03BBHTL1
包装方式:卷带(TR)
工作温度:150℃
栅极电荷:12.4nC@10V
类型:N沟道
功率:50W
导通电阻:23mΩ@35A,10V
输入电容:800pF@50V
连续漏极电流:35A
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPW4R50ANH,L1Q
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:92A
工作温度:150℃
类型:N沟道
功率:800mW€142W
栅极电荷:58nC@10V
导通电阻:4.5mΩ@46A,10V
输入电容:5200pF@50V
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):R6020ENJTL
连续漏极电流:20A
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:150℃
输入电容:1400pF@25V
功率:40W
类型:N沟道
导通电阻:196mΩ@9.5A,10V
阈值电压:4V@1mA
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPH4R50ANH1,LQ
包装方式:卷带(TR)
功率:800mW
连续漏极电流:92A
工作温度:150℃
类型:N沟道
栅极电荷:58nC@10V
导通电阻:4.5mΩ@46A,10V
输入电容:5200pF@50V
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPH2R306NH1,LQ
包装方式:卷带(TR)
工作温度:150℃
连续漏极电流:136A
类型:N沟道
漏源电压:60V
栅极电荷:72nC@10V
阈值电压:4V@1mA
功率:800mW€170W
ECCN:EAR99
输入电容:6100pF@30V
导通电阻:2.3mΩ@50A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPW4R50ANH,L1Q
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:92A
工作温度:150℃
类型:N沟道
功率:800mW€142W
栅极电荷:58nC@10V
导通电阻:4.5mΩ@46A,10V
输入电容:5200pF@50V
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPH4R50ANH,L1Q
导通电阻:4.5mΩ@30A,10V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:150℃
类型:N沟道
栅极电荷:58nC@10V
连续漏极电流:60A
输入电容:5200pF@50V
阈值电压:4V@1mA
功率:1.6W€78W
ECCN:EAR99
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPH2R608NH,L1Q
导通电阻:2.6mΩ@50A,10V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:75V
连续漏极电流:150A
功率:142W
工作温度:150℃
类型:N沟道
栅极电荷:72nC@10V
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
输入电容:6000pF@37.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPH1500CNH,L1Q
包装方式:卷带(TR)
工作温度:150℃
类型:N沟道
漏源电压:150V
输入电容:2200pF@75V
导通电阻:15.4mΩ@19A,10V
阈值电压:4V@1mA
功率:1.6W€78W
连续漏极电流:38A
栅极电荷:22nC@10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RH6R025BHTB1
栅极电荷:16.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1010pF@75V
工作温度:150℃
类型:N沟道
漏源电压:150V
功率:2W€59W
导通电阻:60mΩ@25A,10V
连续漏极电流:25A
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPH2R306NH1,LQ
包装方式:卷带(TR)
工作温度:150℃
连续漏极电流:136A
类型:N沟道
漏源电压:60V
栅极电荷:72nC@10V
阈值电压:4V@1mA
功率:800mW€170W
ECCN:EAR99
输入电容:6100pF@30V
导通电阻:2.3mΩ@50A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPH5200FNH,L1Q
包装方式:卷带(TR)
工作温度:150℃
类型:N沟道
功率:78W
漏源电压:250V
输入电容:2200pF@100V
阈值电压:4V@1mA
导通电阻:52mΩ@13A,10V
栅极电荷:22nC@10V
ECCN:EAR99
连续漏极电流:26A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):R6007END3TL1
输入电容:390pF@25V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:150℃
类型:N沟道
功率:78W
栅极电荷:20nC@10V
阈值电压:4V@1mA
漏源电压:600V
导通电阻:620mΩ@2.4A,10V
连续漏极电流:7A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RD3P03BBHTL1
工作温度:150℃
功率:50W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:800pF@50V
连续漏极电流:35A
类型:N沟道
导通电阻:23mΩ@35A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RH6R025BHTB1
工作温度:150℃
功率:2W€59W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:16.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1010pF@75V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:60mΩ@25A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPH2R306NH1,LQ
工作温度:150℃
功率:800mW€170W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:72nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6100pF@30V
连续漏极电流:136A
类型:N沟道
导通电阻:2.3mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存: