品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2SK3566(STA4,Q,M)
漏源电压:900V
工作温度:150℃
功率:40W
类型:N沟道
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:管件
阈值电压:4V@1mA
输入电容:470pF@25V
连续漏极电流:2.5A
导通电阻:6.4Ω@1.5A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):TK56A12N1,S4X
功率:45W
输入电容:4200pF@60V
工作温度:150℃
连续漏极电流:56A
类型:N沟道
漏源电压:120V
包装方式:管件
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:69nC@10V
导通电阻:7.5mΩ@28A,10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):R6011ENXC7G
输入电容:670pF@25V
工作温度:150℃
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:390mΩ@3.8A,10V
功率:53W
包装方式:管件
栅极电荷:32nC@10V
阈值电压:4V@1mA
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):R6020ENZ4C13
连续漏极电流:20A
栅极电荷:60nC@10V
工作温度:150℃
功率:231W
输入电容:1400pF@25V
类型:N沟道
导通电阻:196mΩ@9.5A,10V
包装方式:管件
阈值电压:4V@1mA
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):TK750A60F,S4X
连续漏极电流:10A
工作温度:150℃
功率:40W
类型:N沟道
输入电容:1130pF@300V
包装方式:管件
阈值电压:4V@1mA
漏源电压:600V
栅极电荷:30nC@10V
导通电阻:750mΩ@5A,10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2SK3564(STA4,Q,M)
输入电容:700pF@25V
漏源电压:900V
工作温度:150℃
功率:40W
栅极电荷:17nC@10V
类型:N沟道
连续漏极电流:3A
包装方式:管件
导通电阻:4.3Ω@1.5A,10V
阈值电压:4V@1mA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):R6047ENZ4C13
导通电阻:72mΩ@25.8A,10V
工作温度:150℃
功率:481W
栅极电荷:145nC@10V
类型:N沟道
连续漏极电流:47A
包装方式:管件
输入电容:3850pF@25V
阈值电压:4V@1mA
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):TK100E10N1,S1X
输入电容:8800pF@50V
导通电阻:3.4mΩ@50A,10V
工作温度:150℃
类型:N沟道
栅极电荷:140nC@10V
包装方式:管件
连续漏极电流:100A
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
功率:255W
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):TK6A65D(STA4,Q,M)
功率:45W
工作温度:150℃
类型:N沟道
漏源电压:650V
包装方式:管件
栅极电荷:20nC@10V
阈值电压:4V@1mA
导通电阻:1.11Ω@3A,10V
输入电容:1050pF@25V
连续漏极电流:6A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):25psc
规格型号(MPN):2SK2225-80-E#T2
工作温度:150℃
类型:N沟道
连续漏极电流:2A
功率:50W
漏源电压:1500V
导通电阻:12Ω@1A,15V
包装方式:管件
阈值电压:4V@1mA
输入电容:990pF@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):TK7A65D(STA4,Q,M)
功率:45W
工作温度:150℃
类型:N沟道
漏源电压:650V
包装方式:管件
阈值电压:4V@1mA
导通电阻:980mΩ@3.5A,10V
输入电容:1200pF@25V
栅极电荷:24nC@10V
连续漏极电流:7A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):TK72E12N1,S1X
输入电容:8100pF@60V
工作温度:150℃
栅极电荷:130nC@10V
类型:N沟道
漏源电压:120V
包装方式:管件
阈值电压:4V@1mA
功率:255W
导通电阻:4.4mΩ@36A,10V
连续漏极电流:72A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK65E10N1,S1X
工作温度:150℃
功率:192W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:81nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5400pF@50V
连续漏极电流:148A
类型:N沟道
导通电阻:4.8mΩ@32.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK10J80E,S1E
工作温度:150℃
功率:250W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:46nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2000pF@25V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:1Ω@5A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):R6076ENZ1C9
工作温度:150℃
功率:120W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:260nC@10V
包装方式:管件
输入电容:6500pF@25V
连续漏极电流:76A
类型:N沟道
导通电阻:42mΩ@44.4A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):R6030ENZ4C13
工作温度:150℃
功率:305W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:85nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2100pF@25V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:130mΩ@14.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK5A65D(STA4,Q,M)
工作温度:150℃
功率:40W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:16nC@10V
包装方式:管件
输入电容:800pF@25V
连续漏极电流:5A
类型:N沟道
导通电阻:1.43Ω@2.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2SK3564(STA4,Q,M)
工作温度:150℃
功率:40W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:管件
输入电容:700pF@25V
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:4.3Ω@1.5A,10V
漏源电压:900V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK10A60D(STA4,Q,M)
工作温度:150℃
功率:45W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1350pF@25V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:750mΩ@5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK12A60D(STA4,Q,M)
工作温度:150℃
功率:45W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:38nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1800pF@25V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:550mΩ@6A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"20+":30,"22+":60}
销售单位:个
规格型号(MPN):NDUL09N150CG
工作温度:150℃
功率:3W€78W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:114nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2025pF@30V
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:3Ω@3A,10V
漏源电压:1500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):R6020ENZC17
工作温度:150℃
功率:120W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1400pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:196mΩ@9.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):R6076ENZ1C9
工作温度:150℃
功率:120W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:260nC@10V
包装方式:管件
输入电容:6500pF@25V
连续漏极电流:76A
类型:N沟道
导通电阻:42mΩ@44.4A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK65E10N1,S1X
工作温度:150℃
功率:192W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:81nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5400pF@50V
连续漏极电流:148A
类型:N沟道
导通电阻:4.8mΩ@32.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):R6020ENZC17
工作温度:150℃
功率:120W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1400pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:196mΩ@9.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):R6076ENZ4C13
工作温度:150℃
功率:735W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:260nC@10V
包装方式:管件
输入电容:6500pF@25V
连续漏极电流:76A
类型:N沟道
导通电阻:42mΩ@44.4A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):R6011ENXC7G
工作温度:150℃
功率:53W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:32nC@10V
包装方式:管件
输入电容:670pF@25V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:390mΩ@3.8A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):R6007ENXC7G
工作温度:150℃
功率:46W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:管件
输入电容:390pF@25V
连续漏极电流:7A
类型:N沟道
导通电阻:620mΩ@2.4A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):R6030ENXC7G
工作温度:150℃
功率:86W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:85nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2100pF@25V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:130mΩ@14.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK12A60D(STA4,Q,M)
工作温度:150℃
功率:45W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:38nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1800pF@25V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:550mΩ@6A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存: