采购热线 400-661-9010
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：VN2450N8-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：150pF@25V
连续漏极电流：250mA
类型：N沟道
导通电阻：13Ω@400mA，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：VN0550N3-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：4V@1mA
包装方式：袋
输入电容：55pF@25V
连续漏极电流：50mA
类型：N沟道
导通电阻：60Ω@50mA，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：VN0550N3-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：4V@1mA
包装方式：袋
输入电容：55pF@25V
连续漏极电流：50mA
类型：N沟道
导通电阻：60Ω@50mA，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：VN2450N8-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：150pF@25V
连续漏极电流：250mA
类型：N沟道
导通电阻：13Ω@400mA，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：VN2450N8-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：4V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：150pF@25V
连续漏极电流：250mA
类型：N沟道
导通电阻：13Ω@400mA，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：VN2450N3-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：4V@1mA
包装方式：袋
输入电容：150pF@25V
连续漏极电流：200mA
类型：N沟道
导通电阻：13Ω@400mA，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：APT30M70BVRG
工作温度：-55℃~150℃
功率：370W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：225nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5870pF@25V
连续漏极电流：48A
类型：N沟道
导通电阻：70mΩ@500mA，10V
漏源电压：300V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：VN2450N3-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：4V@1mA
包装方式：袋
输入电容：150pF@25V
连续漏极电流：200mA
类型：N沟道
导通电阻：13Ω@400mA，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：VN2450N8-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：150pF@25V
连续漏极电流：250mA
类型：N沟道
导通电阻：13Ω@400mA，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：APT30M85BVRG
工作温度：-55℃~150℃
功率：300W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：195nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4950pF@25V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：85mΩ@500mA，10V
漏源电压：300V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：VN0550N3-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：4V@1mA
包装方式：袋
输入电容：55pF@25V
连续漏极电流：50mA
类型：N沟道
导通电阻：60Ω@50mA，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：APT20M38SVRG
工作温度：-55℃~150℃
功率：370W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：225nC@10V
包装方式：管件
输入电容：6120pF@25V
连续漏极电流：67A
类型：N沟道
导通电阻：38mΩ@500mA，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：VN0550N3-G-P013
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：剪切带（CT）
输入电容：55pF@25V
连续漏极电流：50mA
类型：N沟道
导通电阻：60Ω@50mA，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：VN2450N8-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：4V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：150pF@25V
连续漏极电流：250mA
类型：N沟道
导通电阻：13Ω@400mA，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：VN2450N8-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：150pF@25V
连续漏极电流：250mA
类型：N沟道
导通电阻：13Ω@400mA，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：VN0550N3-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：4V@1mA
包装方式：袋
输入电容：55pF@25V
连续漏极电流：50mA
类型：N沟道
导通电阻：60Ω@50mA，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：VN2450N8-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：150pF@25V
连续漏极电流：250mA
类型：N沟道
导通电阻：13Ω@400mA，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：VN0550N3-G-P013
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：剪切带（CT）
输入电容：55pF@25V
连续漏极电流：50mA
类型：N沟道
导通电阻：60Ω@50mA，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：VN2450N8-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：4V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：150pF@25V
连续漏极电流：250mA
类型：N沟道
导通电阻：13Ω@400mA，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：VN2450N3-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：4V@1mA
包装方式：袋
输入电容：150pF@25V
连续漏极电流：200mA
类型：N沟道
导通电阻：13Ω@400mA，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：APT20M38BVRG
工作温度：-55℃~150℃
功率：370W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：225nC@10V
包装方式：管件
输入电容：6120pF@25V
连续漏极电流：67A
类型：N沟道
导通电阻：38mΩ@500mA，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：VN0550N3-G-P013
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：剪切带（CT）
输入电容：55pF@25V
连续漏极电流：50mA
类型：N沟道
导通电阻：60Ω@50mA，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：VN2450N8-G
漏源电压：500V
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
连续漏极电流：250mA
输入电容：150pF@25V
类型：N沟道
阈值电压：4V@1mA
功率：1.6W
ECCN：EAR99
导通电阻：13Ω@400mA，10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：VN2450N3-G
漏源电压：500V
包装方式：袋
连续漏极电流：200mA
工作温度：-55℃~150℃
阈值电压：4V@1mA
输入电容：150pF@25V
功率：1W
类型：N沟道
导通电阻：13Ω@400mA，10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：VN2450N8-G
漏源电压：500V
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
连续漏极电流：250mA
输入电容：150pF@25V
类型：N沟道
阈值电压：4V@1mA
功率：1.6W
ECCN：EAR99
导通电阻：13Ω@400mA，10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：VN0550N3-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：4V@1mA
包装方式：袋
输入电容：55pF@25V
连续漏极电流：50mA
类型：N沟道
导通电阻：60Ω@50mA，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：VN0550N3-G-P013
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：剪切带（CT）
输入电容：55pF@25V
连续漏极电流：50mA
类型：N沟道
导通电阻：60Ω@50mA，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：VN2450N8-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：4V@1mA
输入电容：150pF@25V
连续漏极电流：250mA
类型：N沟道
导通电阻：13Ω@400mA，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：APT20M38BVRG
工作温度：-55℃~150℃
功率：370W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：225nC@10V
包装方式：管件
输入电容：6120pF@25V
连续漏极电流：67A
类型：N沟道
导通电阻：38mΩ@500mA，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：VN0550N3-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：4V@1mA
包装方式：袋
输入电容：55pF@25V
连续漏极电流：50mA
类型：N沟道
导通电阻：60Ω@50mA，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
